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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR40080CT | 98.8155 | ![]() | 1784 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR40080 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR40080CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 80 V | 200A | 840 mV a 200 A | 5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MSRTA20080D | 142.3575 | ![]() | 2531 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Módulo | MSRTA200 | padrão | - | download | Compatível com ROHS3 | 1242-MSRTA20080D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 800 V | 200A | 1,1 V a 200 A | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
| 1N8034-GA | - | ![]() | 7578 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-257-3 | 1N8034 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-257 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,34 V a 10 A | 0 ns | 5 µA a 650 V | -55°C ~ 250°C | 9.4A | 1107pF @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | MURT30010R | 118.4160 | ![]() | 4161 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MURT30010 | padrão | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MURT30010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 100V | 150A | 1,3 V a 150 A | 100 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | MURF30040R | - | ![]() | 6740 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | padrão | PARA-244 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 400 V | 150A | 1,3 V a 150 A | 110ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | FR6M05 | 5.0745 | ![]() | 8511 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR6M05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,4 V a 6 A | 500 ns | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 6A | - | ||||||||
![]() | MBRT60035L | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 35V | 300A | 600 mV a 300 A | 3 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | S16M | 4.5900 | ![]() | 4308 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S16MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||||||
![]() | 1N3766 | 6.2320 | ![]() | 4148 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3766 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3766GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | ||||||||
![]() | MBR400100CT | 102.9600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR400100 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1022 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 200A | 840 mV a 200 A | 5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | GBPC1510T | 2.4180 | ![]() | 2180 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, GBPC | GBPC1510 | padrão | GBPC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 7,5 A | 5 µA a 1000 V | 15A | Monofásico | 1kV | ||||||||||
![]() | KBP210G | 0,2280 | ![]() | 2792 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBP | KBP210 | padrão | KBP | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 2 A | 10 µA a 1000 V | 2A | Monofásico | 1kV | ||||||||||
![]() | MBRF60035R | - | ![]() | 1144 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 35V | 300A (CC) | 650 mV a 300 A | 10 mA a 20 V | -40°C ~ 175°C | |||||||||||
![]() | 1N1189 | 7.4730 | ![]() | 1109 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N1189 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N1189GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | ||||||||
![]() | S85K | 11.8980 | ![]() | 9079 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S85KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,1 V a 85 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 85A | - | |||||||||
![]() | GC05MPS12-252 | 2.3475 | ![]() | 8544 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | GC05MPS12 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252-2 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 4 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 27A | 359pF @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | MUR2X060A04 | 47.1200 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X060 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1310 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 400 V | 60A | 1,3 V a 60 A | 75ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | |||||||
![]() | MURH7005 | - | ![]() | 3695 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D-67 | padrão | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1 V a 70 A | 75ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 70A | - | |||||||||
| 150KR40A | 35.5695 | ![]() | 5407 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | Padrão, inversão de polaridade | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,33 V a 150 A | 35 mA a 400 V | -40°C ~ 200°C | 150A | - | |||||||||||
![]() | MBRF30080R | - | ![]() | 6743 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | MBRF3008 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 80 V | 150A | 840 mV a 150 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | MUR10010CTR | 75.1110 | ![]() | 2570 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MUR10010 | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR10010CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 100V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | FR16B05 | 8.1330 | ![]() | 5774 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR16B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,4 V a 16 A | 500 ns | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | ||||||||
![]() | MBR60045CTRL | - | ![]() | 5064 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | Schottky | Torre Gêmea | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 45V | 300A | 600 mV a 300 A | 5 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | GBU10K | 1.6300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU10 | padrão | GBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | GBU10KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 10 A | 5 µA a 800 V | 10A | Monofásico | 800 V | |||||||||
![]() | MBRT30045R | 107.3070 | ![]() | 5209 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MBRT30045 | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1073 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 45V | 150A | 750 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MSRT150140AD | 71.6012 | ![]() | 9567 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRT150 | padrão | Três Torres | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1400V | 150A | 1,1 V a 150 A | 10 µA a 1400 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | MUR10005CT | - | ![]() | 5416 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR10005CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 50 V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | S6QR | 3.8625 | ![]() | 1284 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | S6Q | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,1 V a 6 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 6A | - | |||||||||
![]() | FST83100M | - | ![]() | 3835 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D61-3M | Schottky | D61-3M | download | 1 (ilimitado) | FST83100MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 80A (CC) | 840 mV a 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
| 1N3210 | 9.6500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3210 | padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,5 V a 15 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 15A | - |

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