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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT60020L | - | ![]() | 3867 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 20 V | 300A | 580 mV a 300 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3766 | 6.2320 | ![]() | 4148 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3766 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3766GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MURF10005 | - | ![]() | 2925 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | padrão | PARA-244 | - | 1 (ilimitado) | MURF10005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 50 V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
| S150QR | 35.5695 | ![]() | 1469 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | S150 | Padrão, inversão de polaridade | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,2 V a 150 A | 10 µA a 600 V | -65°C ~ 200°C | 150A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30060 | - | ![]() | 2330 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | MBRF3006 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 60 V | 150A | 750 mV a 150 A | 1 mA a 60 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | S16M | 4.5900 | ![]() | 4308 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S16MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | G3R450MT17J | 8.0400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | G3R™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA | G3R450 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-263-7 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-G3R450MT17J | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 1700V | 9A (Tc) | 15V | 585mOhm @ 4A, 15V | 2,7V a 2mA | 18 nC @ 15 V | ±15V | 454 pF a 1000 V | - | 91W (Tc) | |||||||||||||
![]() | MBRF50045 | - | ![]() | 3009 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3889R | 9.3600 | ![]() | 176 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | 1N3889R | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1108 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,4 V a 12 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | |||||||||||||||||
![]() | MUR30005CTR | - | ![]() | 3402 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Torre Gêmea | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR30005CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 50 V | 150A | 1,3 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | 1N1199AR | 4.2345 | ![]() | 2646 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | 1N1199AR | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1028 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MUR2560R | 10.1910 | ![]() | 2236 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | MUR2560 | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR2560RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 25 A | 90 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 25A | - | |||||||||||||||||
![]() | MSRT100140AD | 54.0272 | ![]() | 4745 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRT100 | padrão | Três Torres | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1400 V | 100A | 1,1 V a 100 A | 10 µA a 1400 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF50060R | - | ![]() | 4099 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 60 V | 250A | 780 mV a 250 A | 1 mA a 60 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
| KBPC3506T | 2.4720 | ![]() | 1836 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, KBPC-T | KBPC3506 | padrão | KBPC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 600 V | 35A | Monofásico | 600 V | |||||||||||||||||||||
![]() | GBPC5008W | 4.0155 | ![]() | 3277 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, GBPC-W | GBPC5008 | padrão | GBPC-W | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,2 V a 25 A | 5 µA a 800 V | 50A | Monofásico | 800 V | ||||||||||||||||||||
![]() | GKR13012 | 37.6023 | ![]() | 8899 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | GKR130 | padrão | DO-205AA (DO-8) | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,5 V a 60 A | 22 mA @ 1200 V | -40°C ~ 180°C | 165A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF20045 | - | ![]() | 8356 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 100A | 700 mV a 100 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
| KBPC2502T | 2.2995 | ![]() | 3310 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, KBPC-T | KBPC2502 | padrão | KBPC | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 5 µA a 200 V | 25A | Monofásico | 200 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF600100 | - | ![]() | 2584 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 250A | 840 mV a 250 A | 1 mA a 100 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30030R | - | ![]() | 5710 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | MBRF3003 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 30 V | 150A | 700 mV a 150 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3291A | 33.5805 | ![]() | 8851 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | 1N3291 | padrão | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3291AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,5 V a 100 A | 24 mA a 400 V | -40°C ~ 200°C | 100A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MURH10010 | 49.5120 | ![]() | 9951 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | D-67 | padrão | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MURH10010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,3 V a 100 A | 75ns | 25 µA a 50 V | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4593 | 35.5695 | ![]() | 8887 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | 1N4593 | padrão | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N4593GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,5 V a 150 A | 5,5 mA a 800 V | -60°C ~ 200°C | 150A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MUR30040CTR | 118.4160 | ![]() | 2621 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MUR30040 | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR30040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 400 V | 150A | 1,5 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
![]() | S6QR | 3.8625 | ![]() | 1284 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | S6Q | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,1 V a 6 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 6A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR35100 | 14.3280 | ![]() | 8144 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | Schottky | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR35100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 840 mV a 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 35A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A100 | 51.8535 | ![]() | 3033 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 100V | 120A | 840 mV a 120 A | 1 mA a 100 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | 1N2138AR | 11.7300 | ![]() | 179 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N2138AR | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1072 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 60 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 60A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR7580 | 20.8845 | ![]() | 8966 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | Schottky | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR7580GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 80 V | 840 mV a 75 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | 75A | - |

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