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Produtos semicondutores discretos (2160)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)
MURTA600120	207.4171	Solicitação de cotação	4406	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres		padrão	Três Torres	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	24	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												1 par de cátodo comum	1200 V	300A	2,6 V a 300 A		25 µA a 1200 V	-55°C ~ 150°C
MBRF20040	-	Solicitação de cotação	9946	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de cátodo comum	40 V	100A	700 mV a 100 A		1 mA a 40 V	-55°C ~ 150°C
GBJ30D	1.1205	Solicitação de cotação	7632	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, GBJ	GBJ30	padrão	GBJ	download	Compatível com ROHS3		1242-GBJ30D	EAR99	8541.10.0080	200																1,05 V a 15 A		5 µA a 200 V		30 A		Monofásico	200 V
GBJ30G	1.1205	Solicitação de cotação	5909	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, GBJ	GBJ30	padrão	GBJ	download	Compatível com ROHS3		1242-GBJ30G	EAR99	8541.10.0080	200																1,05 V a 15 A		5 µA a 400 V		30 A		Monofásico	400V
MURTA50020R	174.1546	Solicitação de cotação	7352	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres	MURTA50020	padrão	Três Torres	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	MURTA50020RGN	EAR99	8541.10.0080	24	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de anodo comum	200 V	250A	1,3 V a 250 A	150 ns	25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
S70KR	9.8985	Solicitação de cotação	9090	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AB, DO-5, pino	S70K	Padrão, inversão de polaridade	DO-5	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	S70KRGN	EAR99	8541.10.0080	100	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													800V		1,1 V a 70 A		10 µA a 100 V	-65°C ~ 180°C	70A	-
MBRT40045L	-	Solicitação de cotação	6197	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Três Torres		Schottky	Três Torres	-		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de cátodo comum	45V	200A	600 mV a 200 A		5 mA a 45 V	-55°C ~ 150°C
FR12G05	6.7605	Solicitação de cotação	4903	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino		padrão	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)													400V		800 mV a 12 A	500 ns	25 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	12A	-
GB20SLT12-247	-	Solicitação de cotação	1966	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Através do furo	PARA-247-2	GB20SLT12	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-247-2	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)													1200 V		2 V a 20 A	0 ns	200 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	20A	968pF @ 1V, 1MHz
1N3765R	6.2320	Solicitação de cotação	1506	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AB, DO-5, pino	1N3765R	Padrão, inversão de polaridade	DO-5	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1N3765RGN	EAR99	8541.10.0080	100	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													700 V		1,2 V a 35 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 190°C	35A	-
MBR30030CTRL	-	Solicitação de cotação	5353	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Torre Gêmea		Schottky	Torre Gêmea	-		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de anodo comum	30 V	150A	580 mV a 150 A		3 mA a 30 V	-55°C ~ 150°C
1N5829	14.0145	Solicitação de cotação	1994	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino	1N5829	Schottky	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1N5829GN	EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)													20 V		580 mV a 25 A		2 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C	25A	-
MUR2X060A02	47.1200	Solicitação de cotação	6244	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	MUR2X060	padrão	SOT-227	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1242-1309	EAR99	8541.10.0080	52	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												2 Independente	200 V	60A	1 V a 60 A	75ns	25 µA a 200 V	-55°C ~ 175°C
MBR80100	21.1680	Solicitação de cotação	9276	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AB, DO-5, pino		Schottky	DO-5	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	MBR80100GN	EAR99	8541.10.0080	100	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)													100V		840 mV a 80 A		1 mA a 100 V	-55°C ~ 150°C	80A	-
S300DR	63.8625	Solicitação de cotação	7570	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-205AB, DO-9, pino	S300	Padrão, inversão de polaridade	DO-205AB (DO-9)	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	S300DRGN	EAR99	8541.10.0080	8	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													200 V		1,2 V a 300 A		10 µA a 100 V	-60°C ~ 200°C	300A	-
GKR26/16	-	Solicitação de cotação	9036	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino		padrão	DO-4	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	5	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													1600V		1,55 V a 60 A		4 mA @ 1600 V	-40°C ~ 180°C	25A	-
S12G	4.2345	Solicitação de cotação	4684	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino		padrão	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	S12GGN	EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													400V		1,1 V a 12 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 175°C	12A	-
1N8030-GA	-	Solicitação de cotação	5782	Semicondutor GeneSiC	-	Tubo	Obsoleto		Através do furo	PARA-257-3	1N8030	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-257	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	10	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)													650 V		1,39 V a 750 mA	0 ns	5 µA a 650 V	-55°C ~ 250°C	750mA	76pF @ 1V, 1MHz
MSRT10080AD	54.0272	Solicitação de cotação	4048	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres	MSRT100	padrão	Três Torres	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												Conexão em série de 1 par	800V	100A	1,1 V a 100 A		10 µA a 800 V	-55°C ~ 150°C
MUR2X120A02	50.2485	Solicitação de cotação	2903	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	MUR2X120	padrão	SOT-227	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	52	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												2 Independente	200 V	120A	1 V a 120 A		25 µA a 200 V	-55°C ~ 175°C
MBRT40035RL	-	Solicitação de cotação	3676	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Três Torres		Schottky	Três Torres	-		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de anodo comum	35V	200A	600 mV a 200 A		3 mA a 35 V	-55°C ~ 150°C
MBR500150CTR	-	Solicitação de cotação	9003	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Torre Gêmea		Schottky	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de anodo comum	150 V	250A	880 mV a 250 A		3 mA a 150 V	-55°C ~ 150°C
MUR40005CT	-	Solicitação de cotação	2519	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Torre Gêmea		padrão	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	MUR40005CTGN	EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de cátodo comum	50 V	200A	1,3 V a 125 A	90 ns	25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
1N3673A	4.2345	Solicitação de cotação	9171	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino	1N3673	padrão	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1242-1109	EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													1000 V		1,1 V a 12 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 200°C	12A	-
MSRTA30080AD	113.5544	Solicitação de cotação	3891	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres	MSRTA300	padrão	Três Torres	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	18	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												Conexão em série de 1 par	800V	300A	1,1 V a 300 A		20 µA a 800 V	-55°C ~ 150°C
G3R75MT12J	11.0300	Solicitação de cotação	9581	Semicondutor GeneSiC	G3R™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA	G3R75	SiCFET (carboneto de silício)	PARA-263-7	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1242-G3R75MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	1200 V	42A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	2,69 V a 7,5 mA	54 nC @ 15 V	±15V	1560 pF a 800 V	-	224W (Tc)
FR6MR05	5.3355	Solicitação de cotação	4214	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino		Padrão, inversão de polaridade	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	FR6MR05GN	EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)													1000 V		1,4 V a 6 A	500 ns	25 µA a 50 V	-65°C ~ 150°C	6A	-
MBRF20045R	-	Solicitação de cotação	9838	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1 par de anodo comum	45V	100A	700 mV a 100 A		1 mA a 45 V	-55°C ~ 150°C
1N3673AR	6.3300	Solicitação de cotação	1	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino	1N3673AR	Padrão, inversão de polaridade	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	1242-1055	EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													1000 V		1,1 V a 12 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 200°C	12A	-
MBR2X060A200	46.9860	Solicitação de cotação	5106	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	MBR2X060	Schottky	SOT-227	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	52	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												2 Independente	200 V	60A	920 mV a 60 A		3 mA a 200 V	-40°C ~ 150°C