SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Máx.)
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
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ECAD 1506 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino 1N3765R Padrão, inversão de polaridade DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1N3765RGN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 700 V 1,2 V a 35 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 190°C 35A -
MURT20040 GeneSiC Semiconductor MURT20040 104.4930
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ECAD 3859 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres padrão Três Torres download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MURT20040GN EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 400 V 100A 1,35 V a 100 A 90 ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A200 48.6255
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ECAD 5975 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi SOT-227-4, miniBLOC MBR2X080 Schottky SOT-227 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 2 Independente 200 V 80A 920 mV a 80 A 3 mA a 200 V -40°C ~ 150°C
S400YR GeneSiC Semiconductor S400YR 92.3505
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ECAD 3436 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-205AB, DO-9, pino S400 Padrão, inversão de polaridade DO-205AB (DO-9) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) S400YRGN EAR99 8541.10.0080 8 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 1600V 1,2 V a 400 A 10 µA a 50 V -60°C ~ 200°C 400A -
MBR120150CT GeneSiC Semiconductor MBR120150CT -
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ECAD 9573 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi Torre Gêmea Schottky Torre Gêmea download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 150 V 60A 880 mV a 60 A 1 mA a 150 V -55°C ~ 150°C
S300ER GeneSiC Semiconductor S300ER 63.8625
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ECAD 4379 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-205AB, DO-9, pino S300 Padrão, inversão de polaridade DO-205AB (DO-9) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) S300ERGN EAR99 8541.10.0080 8 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 300V 1,2 V a 300 A 10 µA a 100 V -60°C ~ 200°C 300A -
MBRT40040RL GeneSiC Semiconductor MBRT40040RL -
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ECAD 1556 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi Três Torres Schottky Três Torres - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 40 V 200A 600 mV a 200 A 3 mA a 40 V -55°C ~ 150°C
MBRT50030R GeneSiC Semiconductor MBRT50030R -
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ECAD 9524 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi Três Torres Schottky Três Torres download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MBRT50030RGN EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 30 V 250A 750 mV a 250 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBRT60020L GeneSiC Semiconductor MBRT60020L -
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ECAD 3867 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi Três Torres Schottky Três Torres - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 20 V 300A 580 mV a 300 A 3 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J 8.0400
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ECAD 7 0,00000000 Semicondutor GeneSiC G3R™ Tubo Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-8, D²Pak (7 derivações + guia), TO-263CA G3R450 SiCFET (carboneto de silício) PARA-263-7 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1242-G3R450MT17J EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 1700 V 9A (Tc) 15V 585mOhm @ 4A, 15V 2,7V a 2mA 18 nC @ 15 V ±15V 454 pF a 1000 V - 91W (Tc)
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor MUR10040CTR 75.1110
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ECAD 3250 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Torre Gêmea MUR10040 padrão Torre Gêmea download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MUR10040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 400 V 50A 1,3 V a 50 A 90 ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
MURF10005 GeneSiC Semiconductor MURF10005 -
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ECAD 2925 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-244AB padrão PARA-244 - 1 (ilimitado) MURF10005GN EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 50 V 50A 1,3 V a 50 A 75ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
KBP206G GeneSiC Semiconductor KBP206G 0,2280
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ECAD 5933 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, KBP KBP206 padrão KBP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) KBP206GGS EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 2 A 10 µA a 600 V 2A Monofásico 600V
FR16DR05 GeneSiC Semiconductor FR16DR05 8.5020
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ECAD 6857 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AA, DO-4, pino Padrão, inversão de polaridade DO-4 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) FR16DR05GN EAR99 8541.10.0080 250 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 16 A 500 ns 25 µA a 100 V -65°C ~ 150°C 16A -
1N1187 GeneSiC Semiconductor 1N1187 7.4730
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ECAD 5062 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino 1N1187 padrão DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1N1187GN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 300V 1,2 V a 35 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 190°C 35A -
MBRF30060 GeneSiC Semiconductor MBRF30060 -
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ECAD 2330 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-244AB MBRF3006 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 60 V 150A 750 mV a 150 A 1 mA a 60 V -55°C ~ 150°C
S150QR GeneSiC Semiconductor S150QR 35.5695
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ECAD 1469 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-205AA, DO-8, pino S150 Padrão, inversão de polaridade DO-205AA (DO-8) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,2 V a 150 A 10 µA a 600 V -65°C ~ 200°C 150A -
GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 3.1200
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ECAD 6092 0,00000000 Semicondutor GeneSiC SiC Schottky MPS™ Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 GC08MPS12 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252-2 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 10.000 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,8 V a 8 A 0 ns 7 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 40A 545pF @ 1V, 1MHz
MBRF12040 GeneSiC Semiconductor MBRF12040 -
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ECAD 8447 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-244AB Schottky TO-244AB download 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 40 V 60A 700 mV a 60 A 1 mA a 40 V -55°C ~ 150°C
1N8028-GA GeneSiC Semiconductor 1N8028-GA -
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ECAD 2634 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Tubo Obsoleto Através do furo PARA-257-3 1N8028 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-257 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,6 V a 10 A 0 ns 20 µA a 1200 V -55°C ~ 250°C 9.4A 884pF @ 1V, 1MHz
MBR7580 GeneSiC Semiconductor MBR7580 20.8845
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ECAD 8966 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino Schottky DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MBR7580GN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 80 V 840 mV a 75 A 1 mA a 80 V -55°C ~ 150°C 75A -
FR40B02 GeneSiC Semiconductor FR40B02 12.8985
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ECAD 4193 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino padrão DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) FR40B02GN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 100V 1 V a 40 A 200 ns 25 µA a 100 V -40°C ~ 125°C 40A -
FST6340M GeneSiC Semiconductor FST6340M -
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ECAD 8483 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 40 V 30A 700 mV a 30 A 1 mA a 40 V -55°C ~ 150°C
MSRTA300140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300140AD 113.5544
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ECAD 2675 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres MSRTA300 padrão Três Torres - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) Conexão em série de 1 par 1400V 300A 1,1 V a 300 A 20 µA a 1400 V -55°C ~ 150°C
FR70GR02 GeneSiC Semiconductor FR70GR02 21.3300
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ECAD 124 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino Padrão, inversão de polaridade DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 400 V 1,4 V a 70 A 200 ns 25 µA a 100 V -40°C ~ 125°C 70A -
FST16035L GeneSiC Semiconductor FST16035L -
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ECAD 7782 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-249AB Schottky TO-249AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 35V 80A 600 mV a 80 A 1 mA a 35 V -55°C ~ 150°C
MURF10040R GeneSiC Semiconductor MURF10040R -
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ECAD 2115 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-244AB padrão TO-244AB - 1 (ilimitado) MURF10040RGN EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 400 V 50A 1,3 V a 50 A 75ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
W01M GeneSiC Semiconductor W01M -
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ECAD 7665 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto -65°C ~ 125°C (TJ) Através do furo 4-Circular, WOM padrão MULHER download 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1 A 10 µA a 100 V 1,5A Monofásico 100V
GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N 40.4900
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ECAD 585 0,00000000 Semicondutor GeneSiC SiC Schottky MPS™ Tubo Ativo Montagem em chassi SOT-227-4, miniBLOC GD2X SiC (carboneto de silício) Schottky SOT-227 download 1 (ilimitado) 1242-GD2X60MPS06N EAR99 8541.10.0080 10 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 2 Independente 650 V 70A (CC) 1,8 V a 60 A 0 ns 10 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
MSRT200160AD GeneSiC Semiconductor MSRT200160AD 80.4872
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ECAD 2549 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres MSRT200 padrão Três Torres - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) Conexão em série de 1 par 1600V 200A 1,1 V a 200 A 10 µA a 1600 V -55°C ~ 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque