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Transistores (100539)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCU360N65S3R0 | 2.3400 |  | 1 | 0,00000000 | Onsemi | Superfet® III | Tubo | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | FCU360 | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 10a (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixgp36n60a3 | 5.0272 | | 9736 | 0,00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixgp36 | Padrão | 220 w | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 30A, 5OHM, 15V | 23 ns | Pt | 600 v | 200 a | 1.4V @ 15V, 30A | 740µJ (ON), 3MJ (OFF) | 80 nc | 18ns/330ns | ||||||||||||||||||||||||
 | IRGS6B60KDPBF | - | | 8634 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Padrão | 90 w | D2PAK | - | 2156-IRGS6B60KDPBF | 1 | 400V, 5A, 100OHM, 15V | 70 ns | NPT | 600 v | 13 a | 26 a | 2.2V @ 15V, 5A | 110µJ (ON), 135µJ (Off) | 18.2 NC | 25ns/215ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | APT18M100S | 10.5700 | | 147 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT18M100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-APT18M100S | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 18a (TC) | 10V | 700MOHM @ 9A, 10V | 5V @ 1MA | 150 nc @ 10 V | ± 30V | 4845 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | DMN3731UFB4-7B | 0,3000 | | 9 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 3-xfdfn | DMN3731 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X2-DFN1006-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 1.2a (ta) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 950MV A 250µA | 5,5 nc a 4,5 V | ± 8V | 73 pf @ 25 V | - | 520mW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | PJL9812_R2_00201 | 0,6300 | | 4 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | PJL9812 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a (ta) | 35mohm @ 6a, 10V | 1.3V a 250µA | 5.1NC @ 4.5V | 421pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||
| MJE13004 | 0,5100 | | 6 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | 75 w | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 592 | 300 v | 4 a | 1Ma | Npn | 1v @ 1a, 4a | 10 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRG8P25N120KD-EPBF | 4.1400 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 180 w | TO-247AD | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 600V, 15A, 10OHM, 15V | 70 ns | - | 1200 v | 40 a | 45 a | 2V @ 15V, 15A | 800µJ (ON), 900µJ (OFF) | 135 NC | 20ns/170ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCR183WH6327 | - | | 6838 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | BCR183 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 7.123 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | PNP - Pré -tendencioso | 300mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | GT042P06T | 2.7400 | | 1319 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 50 | Canal P. | 60 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 305 nc @ 10 V | ± 20V | 9151 pf @ 30 V | - | 280W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | MMBT5551 | 0,0150 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MMBT551TR | Ear99 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5Ma, 50Ma | 100 @ 10Ma, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA715VC | 0,4300 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ZXTP2039FTA | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXTP2039 | 350 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | Pnp | 600mv @ 100ma, 1a | 100 @ 500mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | STGW25M120DF3 | 7.1900 | | 367 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | STGW25 | Padrão | 375 w | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 25A, 15OHM, 15V | 265 ns | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 50 a | 100 a | 2.3V @ 15V, 25A | 850µJ (ON), 1,3MJ (Desligado) | 85 NC | 28ns/150ns | ||||||||||||||||||||||
 | 2SB1234-TB-E | 0,1100 | | 282 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ645-TL-E | 0,4400 | | 3 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 2SJ645 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 683 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN1407, LXHF | 0,3400 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1407 | 200 MW | S-mini | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 250µA, 5MA | 80 @ 10Ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC81T60SNCX1SA1 | - | | 2072 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | Morrer | SIGC81T60 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | 400V, 100A, 3,3OHM, 15V | NPT | 600 v | 100 a | 300 a | 2.5V @ 15V, 100A | - | 65ns/450ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | Tsm4nd60ci c0g | - | | 5832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM4nd60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.2OHM @ 1.4A, 10V | 3,8V a 250µA | 17,2 nc @ 10 V | ± 30V | 582 pf @ 50 V | - | 41.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FD6M045N06 | 6.1600 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Power-spm ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | EPM15 | FD6M045 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | EPM15 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 60a | 4.5mohm @ 40a, 10V | 4V A 250µA | 87NC @ 10V | 3890pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PC40UPBF | - | | 7898 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 160 w | TO-247AC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.1V @ 15V, 20A | 320µJ (ON), 350µJ (Off) | 100 nc | 34ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||
 | SGH30N60RUFDTU | - | | 7989 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | SGH30N60 | Padrão | 235 w | TO-3P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 300V, 30A, 7ohm, 15V | 95 ns | - | 600 v | 48 a | 90 a | 2.8V @ 15V, 30A | 919µJ (ON), 814µJ (Off) | 85 NC | 30ns/54ns | ||||||||||||||||||||||
 | AOSD26313C | 0,1725 | | 5688 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AOSD213 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-AOSD26313CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 7a (ta), 5.7a (ta) | 20mohm @ 7a, 10v, 32mohm @ 5.7a, 10V | 2,3V a 250µA, 2,2V a 250µA | 20NC @ 10V, 33NC @ 10V | 600pf @ 15V, 1100pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||
 | IRFB61N15DPBF | - | | 4102 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 150 v | 60a (TC) | 32mohm @ 36a, 10V | 5,5V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 30V | 3470 PF @ 25 V | - | 2.4W (TA), 330W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | AUILLU3114Z-701TRL | 1.0800 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10V | 2.5V @ 100µA | 56 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3810 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | MCG40N10Y-TP | 0,3514 | | 5609 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem NA Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | MCG40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN3333 | download | 353-MCG40N10Y-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 40A | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 1051 pf @ 50 V | - | 43W | ||||||||||||||||||||||||
| IRFS4115-7PPBF | 2.5600 | | 9405 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 14 | N-canal | 150 v | 105a (TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a, 10V | 5V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 5320 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | SFS9Z24 | 0,3900 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 60 v | 7.5a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | KSB1015OTU | - | | 9779 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | KSB10 | 25 w | TO-220F-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 3 a | 100µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 300MA, 3A | 60 a 500mA, 5V | 9MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 3LP01C-TB-H | - | | 6489 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3LP01 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-59-3/CP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 100mA (ta) | 1.5V, 4V | 10.4ohm @ 50ma, 4v | - | 1,43 nc @ 10 V | ± 10V | 7,5 pf @ 10 V | - | 250mW (TA) |
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