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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | J111rlrp | - |  | 4298 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 2SK1399-T1B-A | 1.0000 | | 3813 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NTBLS001N06C | 7.3200 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERSFN | NTBLS001 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-hpsof | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 51a (ta), 422a (tc) | 6V, 10V | 0,9mohm @ 80a, 10V | 4V @ 562µA | 143 NC @ 10 V | ± 20V | 11575 pf @ 30 V | - | 4.2W (TA), 284W (TC) | ||
 | Svd5865nlt4g | 0,3613 | | 85 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SVD5865 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 10a (ta), 46a (tc) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 19a, 10V | 2V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 71W (TC) | ||
 | RM3400 | 0,4100 | | 7462 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM3400TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-canal | 30 v | 5.8a (ta) | 2.5V, 10V | 41mohm @ 5.8a, 10V | 1.4V A 250µA | ± 12V | 820 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||
 | RM130N100HD | 0,7000 | | 4397 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM130N100HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-canal | 100 v | 130a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||
 | RM120N60T2 | 0,5500 | | 2318 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM120N60T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 60a, 10V | 2.4V a 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 180W (TC) | |||||
 | RM80N60DF | 0,5500 | | 2083 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM80N60DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-canal | 60 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 40a, 10V | 2.4V a 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||
 | MTB15N06VT4 | 0,6400 | | 10 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||
 | PMZB150une315 | - | | 2485 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||
 | SIPC19N80C3 | - | | 9533 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | |||||||||||||||||||
 | RJH3047ADPK-80#T2 | 5.1800 | | 300 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IPI65R190C | 2.0000 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 v | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10V | 3,5V a 730µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 1620 PF @ 100 V | - | 151W (TC) | |||
| RJH30H1DPP-M0#T2 | 1.7100 | | 3473 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 131 | |||||||||||||||||||
| RJH30H2DPK-M2#T2 | 3.6600 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IMBF170R650M1XTMA1 | 7.4600 | | 592 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | IMBF170 | Sicfet (Carboneto de Silício) | PG-PARA263-7-13 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 1700 v | 7.4a (TC) | 12V, 15V | 650mohm @ 1.5a, 15V | 5.7V @ 1.7MA | 8 nc @ 12 V | +20V, -10V | 422 pf @ 1000 V | - | 88W (TC) | ||
| IRFCZ44VB | - | | 9434 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Volume | Obsoleto | - | Montagem NA Superfície | Morrer | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Morrer | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 448-IRFCZ44VB | Obsoleto | 1 | - | 60 v | 55a | 10V | 16.5mohm @ 55a, 10V | - | - | - | - | ||||||
 | NTHL080N120SC1A | 13.9700 | | 9050 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | NTHL080 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NTHL080N120SC1A | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 v | 31a (TC) | 20V | 110mohm @ 20a, 20V | 4.3V @ 5MA | 56 nc @ 20 V | +25V, -15V | 1670 pf @ 800 V | - | 178W (TC) | |
 | IRFRC20TRPBF-BE3 | 1.2900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | 742-IRFRC20TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | IRF830PBF-BE3 | 1.5800 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF830 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | 742-IRF830PBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 4.5a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.7a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | IRFL9110TRPBF-BE3 | 0,8800 | | 1456 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 100 v | 1.1a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 660MA, 10V | 4V A 250µA | 8,7 nc @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3,1W (TC) | ||||
| IPI22N03S4L-15 | 0,2400 | | 3307 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 897 | N-canal | 30 v | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10V | 2.2V @ 10µA | 14 nc @ 10 V | ± 16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | |||
 | SCTWA35N65G2V | 18.6800 | | 5585 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SCTWA35 | Sicfet (Carboneto de Silício) | TO-247 LIMPOS LONGOS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-SCTWA35N65G2V | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 45a (TC) | 18V, 20V | 72mohm @ 20a, 20V | 3.2V @ 1MA | 73 NC @ 20 V | +20V, -5V | 73000 pf @ 400 V | - | 208W (TC) | |
| 2SK680A-T2-AZ | 0,4600 | | 28 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||
| 2SJ208-T1-AZ | - | | 3489 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | Spb10n10lg | 0,4200 | | 993 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 10.3a (TC) | 10V | 154mohm @ 8.1a, 10V | 2V @ 21µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 444 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SIHF530STRL-GE3 | 1.0700 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHF530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
 | NVMFS015N10MCLT1G | 1.3200 | | 8810 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NVMFS015 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 100 v | 10.5a (ta), 54a (tc) | 4.5V, 10V | 12.2mohm @ 14a, 10v | 2.2V @ 282µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1338 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 79W (TC) | ||
 | DMN6022SSS-13 | 0,2435 | | 4341 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMN6022 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMN6022SSS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 6.9a (TA) | 6V, 10V | 29mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 2110 pf @ 30 V | - | 2.1W (TA) | |
| NTMFS4841NT1G | - | | 1312 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 v | 8.3a (ta), 57a (tc) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1436 pf @ 12 V | - | 870MW (TA), 41,7W (TC) |
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