SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated DMTH8001STLW-13 2.7342
RFQ
ECAD 6321 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDI1012-8 download Alcançar Não Afetado 31-DMTH8001STLW-13TR Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 v 270A (TC) 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 4V A 250µA 138 NC @ 10 V ± 20V 8894 pf @ 50 V - 6W (TA), 250W (TC)
BF904,215 NXP USA Inc. BF904.215 -
RFQ
ECAD 1055 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 v Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA BF904 200MHz MOSFET SOT-143B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Canal Portão Duplo 30Ma 10 MA - - 1db 5 v
NE4210S01-T1B Renesas Electronics America Inc NE4210S01-T1B 1.0000
RFQ
ECAD 5276 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Volume Obsoleto 4 v 4-SMD 12 GHz HFET Smd download Não Aplicável Ear99 8541.21.0075 4.000 15m 10 MA - 13dB 0,5dB 2 v
YJL2102W Yangjie Technology YJL2102W 0,0250
RFQ
ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-YJL2102WTR Ear99 3.000
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 -
RFQ
ECAD 8071 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-xfdfn DMN3110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) X2-DFN1006-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 3.2a (ta) 1.8V, 8V 69mohm @ 500mA, 8V 1.1V @ 250µA 1,52 nc @ 4,5 V 12V 150 pf @ 15 V - 1.38W
PMSTA92,115 Nexperia USA Inc. PMSTA92.115 0,3400
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 PMSTA92 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 300 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 250mv @ 2Ma, 20Ma 30 @ 30MA, 10V 50MHz
MUBW15-12A6 IXYS MUBW15-12A6 -
RFQ
ECAD 2077 0,00000000 Ixys - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi E1 MUBW 70 w Retificador de Ponte Trifásica E1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico com freio NPT 1200 v 18 a 2.9V @ 15V, 10A 500 µA Sim 850 NF @ 25 V
IPA60R520C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R520C6XKSA1 -
RFQ
ECAD 2005 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 8.1a (TC) 10V 520mohm @ 2.8a, 10V 3,5V A 230µA 23,4 NC a 10 V ± 20V 512 pf @ 100 V - 29W (TC)
SUD50N03-12P-E3 Vishay Siliconix SUD50N03-12P-E3 -
RFQ
ECAD 6246 0,00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SUD50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 30 v 17.5a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 6.5W (TA), 46,8W (TC)
STI6N80K5 STMicroelectronics STI6N80K5 -
RFQ
ECAD 2935 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA STI6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 800 v 4.5a (TC) 10V 1.6OHM @ 2A, 10V 5V @ 100µA 7,5 nc @ 10 V 30V 255 pf @ 100 V - 85W (TC)
DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated DMG1013UWQ-13 0,3500
RFQ
ECAD 8525 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 DMG1013 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 Canal P. 20 v 820mA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V a 250µA 0,62 nc @ 4,5 V ± 6V 59,76 pf @ 16 V - 310mW (TA)
APTGF25H120T1G Microchip Technology APTGF25H120T1G -
RFQ
ECAD 3563 0,00000000 Microchip Technology - Volume Obsoleto - Montagem do chassi SP1 208 w Padrão SP1 download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 Inversor de Ponte Conclua NPT 1200 v 40 a 3.7V @ 15V, 25A 250 µA Sim 1,65 NF @ 25 V
NSBC144EF3T5G onsemi NSBC144EF3T5G 0,5100
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-1123 NSBC144 254 MW SOT-1123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500na Npn - pré -tendencioso 250mv @ 300µA, 10ma 80 @ 5MA, 10V 47 Kohms 47 Kohms
IRFPG42 Harris Corporation IRFPG42 2.2700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 v 3.9a (TC) 10V 4.2OHM @ 2.5A, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V - 150W (TC)
FCP22N60N onsemi FCP22N60N 4.6700
RFQ
ECAD 638 0,00000000 Onsemi Supremos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 FCP22N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 22a (TC) 10V 165mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 45V 1950 pf @ 100 V - 205W (TC)
PTFB093608SVV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB093608SVV2R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 2694 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 65 v Montagem na Superfície H-37275G-6/2 PTFB093608 920MHz ~ 960MHz LDMOS H-37275G-6/2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000957080 Ear99 8541.29.0095 250 - 360W 20dB -
BC816-25WX Nexperia USA Inc. BC816-25WX 0,2100
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101, BC816W Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC816 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 80 v 500 MA 100µA Npn 400mV @ 5MA, 50MA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BSL302SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL302SNH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 2939 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 7.1a (ta) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.1a, 10V 2V @ 30µA 6,6 nc @ 5 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 2W (TA)
RQ5E030AJTCL Rohm Semiconductor RQ5E030AJTCL 0,4600
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-96 RQ5E030 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TSMT3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 3a (ta) 4.5V 75mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 1MA 2,1 nc @ 4,5 V ± 12V 240 pf @ 15 V - 1W (TC)
2SK4150TZ-E Renesas 2SK4150TZ-E 0,6300
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Parágrafo 92 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-2SK4150TZ-E Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 400mA (TA) 2.5V, 4V 5.7Ohm @ 200Ma, 4V 1.5V @ 1MA 3,7 nc @ 4 V ± 10V 80 pf @ 25 V - 750mW (TA)
DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated DMS3014SFG-7 0,5400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn DMS3014 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDI3333-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 30 v 9.5a (TA) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 10.4a, 10V 2.2V A 250µA 45,7 nc @ 10 V ± 12V 4310 PF @ 15 V Diodo Schottky (Corpo) 1W (TA)
SQJ403BEEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ403BEEP-T1_BE3 1.6000
RFQ
ECAD 7997 0,00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície PowerPak® SO-8 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerPak® SO-8 download 1 (ilimito) 742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 30a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 164 NC @ 10 V ± 20V - 68W (TC)
IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies IAUT300N08S5N011ATMA1 6.8700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 80 v 410A (TJ) 6V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10V 3,8V A 275µA 231 NC @ 10 V ± 20V 16250 PF @ 40 V - 375W (TC)
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5, RVQ 1.3300
RFQ
ECAD 1789 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba Dtmosiv Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C. Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 600 v 4.5a (ta) 10V 990mohm @ 2.3a, 10V 4.5V @ 230µA 11,5 nc @ 10 V ± 30V 370 pf @ 300 V - 60W (TC)
DMP31D7LDW-7 Diodes Incorporated Dmp31d7ldw-7 0,0706
RFQ
ECAD 6056 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Dmp31 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Dmp31d7ldw-7di Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 550mA (TA) 900MOHM @ 420MA, 10V 2.6V a 250µA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque