SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Tensão - Quebra (V(BR)GSS) Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
NTD4809NA-1G onsemi NTD4809NA-1G -
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ECAD 5704 0,00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA DTN48 MOSFET (óxido metálico) I-PAK download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 30 V 9,6A (Ta), 58A (Tc) 4,5 V, 11,5 V 9mOhm a 30A, 10V 2,5 V a 250 µA 13 nC @ 4,5 V ±20V 1456 pF a 12 V - 1,3 W (Ta), 52 W (Tc)
SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA34EP-T1_GE3 1.1100
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ECAD 4562 0,00000000 Vishay Siliconix Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície PowerPAK® SO-8 SQJA34 MOSFET (óxido metálico) PowerPAK® SO-8 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 40 V 75A (Tc) 10V 4,3mOhm a 10A, 10V 3,5 V a 250 µA 50 nC @ 10 V ±20V 2.800 pF a 25 V - 68W (Tc)
U401 TO-71 6L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. U401 TO-71 6L ROHS 5.1100
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ECAD 473 0,00000000 Sistemas integrados lineares, Inc. U401 Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Lata metálica TO-71-6 300 mW PARA-71 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 500 2 canais N (duplo) 50 V 8pF a 15V 50 V 500 µA a 10 V 500 mV @ 1 nA
IXSH24N60B IXYS IXSH24N60B -
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ECAD 8083 0,00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 IXSH24 padrão 150 W TO-247AD download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 480V, 24A, 33Ohm, 15V PT 600 V 48A 96A 2,5V a 15V, 24A 1,3mJ (desligado) 41nC 50ns/150ns
NVHL080N120SC1 onsemi NVHL080N120SC1 18.1100
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ECAD 2360 0,00000000 onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tubo Não para novos designs -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 NVHL080 SiCFET (carboneto de silício) PARA-247-3 download Compatível com ROHS3 Não aplicável REACH não afetado NVHL080N120SC1OS EAR99 8541.29.0095 450 Canal N 1200 V 44A (Tc) 20V 110mOhm a 20A, 20V 4,3V a 5mA 56 nC @ 20 V +25V, -15V 1670 pF a 800 V - 348W (Tc)
FDS6630A onsemi FDS6630A -
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ECAD 1718 0,00000000 onsemi PowerTrench® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) FDS66 MOSFET (óxido metálico) 8-SOIC download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 30 V 6,5A (Ta) 4,5V, 10V 38mOhm @ 6,5A, 10V 3 V a 250 µA 7 nC @ 5 V ±20V 460 pF a 15 V - 2,5W (Ta)
NVLJWS022N06CLTAG onsemi NVLJWS022N06CLTAG 0,3079
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ECAD 3 0,00000000 onsemi Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície, flanco molhável 6-PowerWDFN NVLJWS022 MOSFET (óxido metálico) 6-WDFNW (2,05x2,05) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 488-NVLJWS022N06CLTAGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 60 V 7,2A (Ta), 25A (Tc) 4,5V, 10V 21mOhm @ 8A, 10V 2V @ 77µA 7,6 nC a 10 V ±20V 440 pF a 25 V - 2,4 W (Ta), 28 W (Tc)
SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3 -
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ECAD 8098 0,00000000 Vishay Siliconix TrincheiraFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) SI6983 MOSFET (óxido metálico) 830mW 8-TSSOP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais P (duplo) 20V 4,6A 24mOhm @ 5,4A, 4,5V 1V @ 400µA 30nC a 4,5V - Portão de nível lógico
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908,LXHF(CT 0,3600
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ECAD 6 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200mW EUA6 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 NPN - Pré-polarizado (Duplo) 300mV @ 250µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kOhms 47kOhms
NTLUS4195PZTBG onsemi NTLUS4195PZTBG -
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ECAD 2478 0,00000000 onsemi - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 6-PotênciaUFDFN NTLUS41 MOSFET (óxido metálico) 6-UDFN (1,6x1,6) download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2A (Ta) 4,5V, 10V 90mOhm @ 3A, 10V 3 V a 250 µA 5 nC @ 4,5 V ±20V 250 pF a 15 V - 600 mW (Ta)
BC856SH-QF Nexperia USA Inc. BC856SH-QF 0,0305
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ECAD 7664 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C (TJ) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 270mW 6-TSSOP download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 10.000 65V 100mA 15nA (ICBO) 2 PNP (duplo) 300mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 100MHz
NDB4050L onsemi NDB4050L -
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ECAD 1258 0,00000000 onsemi - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -65°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB NDB405 MOSFET (óxido metálico) D²PAK (TO-263) download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 50 V 15A (Tc) 5V, 10V 80mOhm a 15A, 10V 2V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±16V 600 pF a 25 V - 50W (Tc)
BUK6610-75C,118 NXP Semiconductors BUK6610-75C,118 0,4100
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ECAD 7 0,00000000 Semicondutores NXP Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-BUK6610-75C,118-954 1 Canal N 75V 78A (Tc) 10V 10mOhm a 25A, 10V 2,8V a 1mA 81 nC @ 10 V ±16V 5251 pF a 25 V - 158W (Tc)
ADTA123JCAQ-7 Diodes Incorporated ADTA123JCAQ-7 -
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ECAD 1545 0,00000000 Diodos Incorporados * Fita e Carretel (TR) Obsoleto ADTA123 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 3.000
IPP50R350CP Infineon Technologies IPP50R350CP -
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ECAD 2361 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 0000.00.0000 1 Canal N 500 V 10A (Tc) 10V 350mOhm @ 5,6A, 10V 3,5 V a 370 µA 25 nC @ 10 V ±20V 1020 pF a 100 V - 89W (Tc)
NP80N055KLE-E1-AY Renesas NP80N055KLE-E1-AY 2.2400
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ECAD 1 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-3 download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-NP80N055KLE-E1-AY EAR99 8541.29.0075 135 Canal N 55V 80A (Tc) 4,5V, 10V 11mOhm a 40A, 10V 2,5 V a 250 µA 75 nC @ 10 V ±20V 4400 pF a 25 V - 1,8 W (Ta), 120 W (Tc)
FDMS9410L-F085 onsemi FDMS9410L-F085 -
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ECAD 4655 0,00000000 onsemi Automotivo, AEC-Q101, PowerTrench® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerVDFN FDMS94 MOSFET (óxido metálico) Poder56 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 40 V 50A (Tc) 10V 4,1mOhm a 50A, 10V 3 V a 250 µA 45 nC @ 10 V ±20V 1960 pF a 20 V - 75W (Tj)
IPB65R380C6 Infineon Technologies IPB65R380C6 0,9200
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ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PG-TO263-3-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 650 V 10,6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3,2A, 10V 3,5 V a 320 µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF a 100 V - 83W (Tc)
IRF740AS Vishay Siliconix IRF740AS -
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ECAD 4466 0,00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB IRF740 MOSFET (óxido metálico) D²PAK (TO-263) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRF740AS EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4 V a 250 µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF a 25 V - 3,1 W (Ta), 125 W (Tc)
FDU8896 Fairchild Semiconductor FDU8896 0,7200
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ECAD 116 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) I-PAK download Compatível com ROHS3 EAR99 8541.29.0095 1.800 Canal N 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 4,5V, 10V 5,7mOhm a 35A, 10V 2,5 V a 250 µA 60 nC @ 10 V ±20V 2525 pF a 15 V - 80W (Tc)
JANSF2N3439U4 Microchip Technology JANSF2N3439U4 413.4420
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ECAD 2395 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Volume Ativo -65°C ~ 200°C (TJ) Montagem em superfície 3-SMD, sem chumbo 800 mW U4 - REACH não afetado 150-JANSF2N3439U4 1 350 V 1A 2µA NPN 500mV @ 4mA, 50mA 40 @ 20mA, 10V -
SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1 0,6200
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ECAD 7006 0,00000000 Vishay Siliconix TrincheiraFET® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 30-XFBGA SI8851 MOSFET (óxido metálico) Power Micro Foot® (2,4x2) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 7,7A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 8mOhm @ 7A, 4,5V 1V @ 250µA 180 nC @ 8 V ±8V 6.900 pF a 10 V - 660 mW (Ta)
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL,L1Q 0,9400
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ECAD 60 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba U-MOSIX-H Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C Montagem em superfície 8-PowerVDFN TPH3R704 MOSFET (óxido metálico) 8-SOP Avançado (5x5) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 40 V 92A (Tc) 4,5V, 10V 3,7mOhm a 46A, 10V 2,4 V a 200 µA 27 nC @ 10 V ±20V 2500 pF a 20 V - 960mW (Ta), 81W (Tc)
2SK3229-E Renesas Electronics America Inc 2SK3229-E 4.9500
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ECAD 11 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. * Volume Ativo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1
MPSA55-AP Micro Commercial Co MPSA55-AP -
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ECAD 1585 0,00000000 Micro Comercial - Fita e Caixa (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados MPSA55 625 mW TO-92 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 353-MPSA55-APTB EAR99 8541.21.0095 2.000 80 V 500 mA 100nA PNP 250mV a 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
FQA6N70 onsemi FQA6N70 -
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ECAD 6692 0,00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-3P-3, SC-65-3 FQA6 MOSFET (óxido metálico) PARA-3P download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 700 V 6,4A (Tc) 10V 1,5 Ohm a 3,2 A, 10 V 5 V a 250 µA 40 nC @ 10 V ±30V 1400 pF a 25 V - 152W (Tc)
JANS2N3740 Microchip Technology JANS2N3740 745.4720
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ECAD 5864 0,00000000 Tecnologia de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/441 Volume Ativo -55°C ~ 200°C (TJ) Através do furo TO-213AA, TO-66-2 25W TO-66 (TO-213AA) - RoHS não compatível REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 10 µA 10µA PNP 600mV a 1,25mA, 1A 30 @ 250mA, 1V -
NVTFS040N10MCLTAG onsemi NVTFS040N10MCLTAG 0,2880
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ECAD 5499 0,00000000 onsemi Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN MOSFET (óxido metálico) 8-WDFN (3,3x3,3) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 488-NVTFS040N10MCLTAGTR EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal N 100V 6,1A (Ta), 21A (Tc) 4,5V, 10V 38mOhm @ 5A, 10V 3V @ 26µA 8,6 nC a 10 V ±20V 520 pF a 50 V - 3,1 W (Ta), 36 W (Tc)
DTA113ZUA Yangjie Technology DTA113ZUA 0,0200
Solicitação de cotação
ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita e Carretel (TR) Ativo DTA113 - Compatível com RoHS REACH não afetado 4617-DTA113ZUATR EAR99 3.000
UPA1456H(1)-AZ Renesas Electronics America Inc UPA1456H(1)-AZ 1.9100
Solicitação de cotação
ECAD 248 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. * Volume Ativo - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque