SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tensão - Nominal Temperatura operacional Aplicativos Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Frequência Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Classificação atual (amperes) Atual - Teste Potência - Saída Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Figura de ruído Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Tensão - Teste Tensão - Quebra (V(BR)GSS) Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
2SK1157-E Renesas Electronics America Inc 2SK1157-E 5.0300
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ECAD 339 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. * Volume Ativo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1
BLF7G10LS-250 Ampleon USA Inc. BLF7G10LS-250 -
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ECAD 3834 0,00000000 Ampleon EUA Inc. - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 65V Montagem em chassi SOT-502B 869 MHz ~ 960 MHz LDMOS SOT502B download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 100 5µA 1,8A 250W 19,5dB - 30 V
PMPB16XN,115 NXP USA Inc. PMPB16XN,115 -
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ECAD 4498 0,00000000 NXP EUA Inc. - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície Almofada exposta 6-UDFN PMPB1 MOSFET (óxido metálico) 6-DFN2020MD (2x2) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 7,2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 21mOhm a 7,2A, 4,5V 1,5 V a 250 µA 10,8 nC a 4,5 V ±12V 775 pF a 15 V - 1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
BSS316NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS316NL6327HTSA1 -
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ECAD 8612 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) PG-SOT23 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal N 30 V 1,4A (Ta) 4,5V, 10V 160mOhm @ 1,4A, 10V 2 V a 3,7 µA 0,6 nC a 5 V ±20V 94 pF a 15 V - 500mW (Ta)
APT44F80B2 Microchip Technology APT44F80B2 22.5900
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ECAD 9224 0,00000000 Tecnologia de Microchip POWERMOS 8™ Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Variante TO-247-3 APT44F80 MOSFET (óxido metálico) T-MAX™ [B2] download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 800V 47A (Tc) 10V 210mOhm @ 24A, 10V 5 V a 2,5 mA 305 nC @ 10 V ±30V 9330 pF a 25 V - 1135W (Tc)
STW25NM60ND STMicroelectronics STW25NM60ND -
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ECAD 5059 0,00000000 STMicroeletrônica FDmesh™II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 STW25N MOSFET (óxido metálico) PARA-247-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 497-8455-5 EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 600 V 21A (Tc) 10V 160mOhm a 10,5A, 10V 5 V a 250 µA 80 nC @ 10 V ±25V 2.400 pF a 50 V - 160W (Tc)
IRF3709ZPBF International Rectifier IRF3709ZPBF 0,4600
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ECAD 5 0,00000000 Retificador Internacional HEXFET® Volume Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 0000.00.0000 1 Canal N 30 V 87A (Tc) 6,3mOhm a 21A, 10V 2,25 V a 250 µA 26 nC @ 4,5 V ±20V 2130 pF a 15 V - 79W (Tc)
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0,2000
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ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMC6680 - - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL(TE85L,F) 0,5900
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ECAD 14 0,00000000 Semicondutores e armazenamento Toshiba - Fita e Carretel (TR) Ativo 125°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 2SK880 100 mW SC-70 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal N 13pF a 10V 50 V 6 mA a 10 V 1,5 V a 100 nA
DTC114YE onsemi DTC114YE 0,0200
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ECAD 5533 0,00000000 onsemi * Volume Ativo DTC114 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.21.0095 5.000
TIP12525 Harris Corporation DICA12525 -
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ECAD 8782 0,00000000 Corporação Harris * Volume Ativo - RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 1
NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP110N055PUK-E1-AY 3.9000
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ECAD 5990 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. - Fita e Carretel (TR) Ativo 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB NP110N055 MOSFET (óxido metálico) PARA-263 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 800 Canal N 55V 110A (Tc) 10V 1,75mOhm a 55A, 10V 4 V a 250 µA 294 nC @ 10 V ±20V 16050 pF a 25 V - 1,8 W (Ta), 348 W (Tc)
RQK0204TGDQAWS#H6 Renesas Electronics America Inc RQK0204TGDQAWS#H6 0,2600
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ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. * Volume Ativo - Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1
2N5015S Microsemi Corporation 2N5015S -
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ECAD 7327 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/727 Volume Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Através do furo TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal 1W TO-39 (TO-205AD) - RoHS não compatível Não aplicável EAR99 8541.29.0095 1 1000V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 1,8 V a 5 mA, 20 mA 30 @ 20mA, 10V -
JANKCC2N6193 Microchip Technology JANKCC2N6193 260.6401
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ECAD 7718 0,00000000 Tecnologia de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/561 Fita e Carretel (TR) Ativo -65°C ~ 200°C Através do furo TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal 1W TO-205AD (TO-39) - Compatível com ROHS3 REACH não afetado 150-JANKCC2N6193 EAR99 8541.29.0095 1 100V 5A 100µA PNP 1,2V a 500mA, 5A 60 @ 2A, 2V -
UNR9112G0L Panasonic Electronic Components UNR9112G0L -
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ECAD 3586 0,00000000 Componentes Eletrônicos Panasonic - Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície SC-89, SOT-490 UNR9112 125 mW SSMini3-F3 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pré-tendencioso 250mV @ 300µA, 10mA 60 @ 5mA, 10V 80 MHz 22 kOhms 22 kOhms
RSR020P05TL Rohm Semiconductor RSR020P05TL 0,2984
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ECAD 7457 0,00000000 Rohm Semicondutores - Fita e Carretel (TR) Não para novos designs 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-96 RSR020 MOSFET (óxido metálico) TSMT3 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 45V 2A (Ta) 4V, 10V 190mOhm @ 2A, 10V 3V @ 1mA 4,5 nC @ 4,5 V ±20V 500 pF a 10 V - 540 mW (Ta)
PJQ4848P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4848P-AU_R2_000A1 0,7700
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ECAD 3 0,00000000 Panjit Internacional Inc. Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN PJQ4848 MOSFET (óxido metálico) 2,4 W (Ta), 39,6 W (Tc) DFN3333B-8 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canais N (duplo) 40V 9A (Ta), 37A (Tc) 15mOhm @ 8A, 10V 2,5 V a 250 µA 10nC a 4,5V 1040pF a 20V -
NVMFS5C673NWFT1G onsemi NVMFS5C673NWFT1G 1.6700
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ECAD 4703 0,00000000 onsemi Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN, 5 derivações NVMFS5 MOSFET (óxido metálico) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal N 60 V 14A (Ta), 50A (Tc) 10V 10,7mOhm a 7A, 10V 4 V a 35 µA 9,6 nC a 10 V ±20V 680 pF a 30 V - 3,6 W (Ta), 46 W (Tc)
PSMN8R5-108ESQ127 NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ127 -
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ECAD 8802 0,00000000 NXP EUA Inc. * Volume Ativo download Não aplicável 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.29.0095 330
2SK2225-E Renesas Electronics America Inc 2SK2225-E 4.9926
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ECAD 7630 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. - Tubo Ativo 150°C (TJ) Através do furo TO-3PFM, SC-93-3 2SK2225 MOSFET (óxido metálico) TO-3PFM download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 1500 V 2A (Ta) 15V 12Ohm @ 1A, 15V - ±20V 984,7 pF a 30 V - 50W (Tc)
2SA2201-TD-E Sanyo 2SA2201-TD-E -
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ECAD 2216 0,00000000 Sanyo * Volume Ativo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0075 1
SQJA46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJA46EP-T1_GE3 1.1500
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ECAD 9232 0,00000000 Vishay Siliconix Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície PowerPAK® SO-8 SQJA46 MOSFET (óxido metálico) PowerPAK® SO-8 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 40 V 60A (Tc) 10V 3mOhm @ 10A, 10V 3,5 V a 250 µA 105 nC @ 10 V ±20V 5000 pF a 25 V - 68W (Tc)
CPH3456-TL-H onsemi CPH3456-TL-H -
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ECAD 1475 0,00000000 onsemi - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH345 MOSFET (óxido metálico) 3-CPH download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 20 V 3,5A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 71mOhm a 1,5A, 4,5V - 2,8 nC a 4,5 V ±12V 260 pF a 10 V - 1W (Ta)
PMD4002K,115 NXP USA Inc. PMD4002K,115 -
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ECAD 6984 0,00000000 NXP EUA Inc. - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 40V Motorista de portão Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMD40 SMT3; MPAK download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado OBSOLETO 0000.00.0000 3.000 600mA NPN + Diodo Emissor de Base
KSR1102MTF Fairchild Semiconductor KSR1102MTF 0,0700
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ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSR1102 200 mW SOT-23 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) Fornecedor indefinido EAR99 8541.21.0075 4.438 50 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN 300mV @ 500µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 250MHz
FD6M033N06 onsemi FD6M033N06 -
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ECAD 6945 0,00000000 onsemi Power-SPM™ Tubo Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Através do furo EPM15 FD6M033 MOSFET (óxido metálico) - EPM15 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 19 2 canais N (duplo) 60V 73A 3,3mOhm a 40A, 10V 4 V a 250 µA 129nC @ 10V 6010pF a 25V -
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R600P7SXKSA1 1.2400
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ECAD 187 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ P7 Tubo Ativo -40°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 IPA70R600 MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-FP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 700 V 8,5A (Tc) 10V 600mOhm a 1,8A, 10V 3,5 V a 90 µA 10,5 nC @ 10 V ±16V 364 pF a 400 V - 25W (Tc)
SQD40020EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40020EL_GE3 1.6500
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ECAD 1060 0,00000000 Vishay Siliconix Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SQD40020 MOSFET (óxido metálico) TO-252AA download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 40 V 100A (Tc) 4,5V, 10V 2,2mOhm a 20A, 10V 2,2 V a 250 µA 165 nC @ 20 V ±20V 8.800 pF a 25 V - 107W (Tc)
SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR418DP-T1-GE3 1.3500
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ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície PowerPAK® SO-8 SIR418 MOSFET (óxido metálico) PowerPAK® SO-8 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 40 V 40A (Tc) 4,5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2,4 V a 250 µA 75 nC @ 10 V ±20V 2.410 pF a 20 V - 39W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque