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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Tensão - Teste | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emissor Base (R2) | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC807DS,115 | 0,4800 | ![]() | 89 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-74, SOT-457 | BC807 | 600mW | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45V | 500mA | 100nA (ICBO) | 2 PNP (duplo) | 700mV a 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCH1337-TL-H | - | ![]() | 4980 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-563, SOT-666 | SCH133 | MOSFET (óxido metálico) | 6-SCH | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5.000 | Canal P | 30 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 150mOhm @ 1A, 10V | - | 3,9 nC a 10 V | ±20V | 172 pF a 10 V | - | 800 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4536-T1-AZ | - | ![]() | 6802 | 0,00000000 | CEL | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-243AA | 2W | SOT-89 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 7dB | 15V | 250mA | NPN | 40 @ 50mA, 10V | 5,5GHz | 2dB a 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NE5531079A-T1A-A | - | ![]() | 5523 | 0,00000000 | CEL | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 30 V | 4-SMD, cabos planos | 460MHz | LDMOS | 79A | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 3A | 200 mA | 40dBm | - | - | 7,5 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDY301NZ_G | - | ![]() | 7027 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-89, SOT-490 | FDY30 | MOSFET (óxido metálico) | SC-89-3 | - | Não aplicável | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 200mA (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 5 Ohm @ 200 mA, 4,5 V | 1,5 V a 250 µA | 1,1 nC a 4,5 V | ±12V | 60 pF a 10 V | - | 625mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMST5551.115 | 0,3300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | PMST5551 | 200 mW | SOT-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 V | 300 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 80 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPN6R003NL,LQ | 0,8800 | ![]() | 9982 | 0,00000000 | Semicondutores e armazenamento Toshiba | U-MOSVIII-H | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | TPN6R003 | MOSFET (óxido metálico) | Avanço 8-TSON (3.1x3.1) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 27A (Tc) | 4,5V, 10V | 6mOhm @ 13,5A, 10V | 2,3 V a 200 µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 15 V | - | 700mW (Ta), 32W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SIHG73N60E-GE3 | 12.6600 | ![]() | 7443 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SIHG73 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 600 V | 73A (Tc) | 10V | 39mOhm @ 36A, 10V | 4 V a 250 µA | 362 nC @ 10 V | ±30V | 7700 pF a 100 V | - | 520W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y104-100B,115 | 0,8400 | ![]() | 2734 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-100, SOT-669 | BUK9Y104 | MOSFET (óxido metálico) | LFPAK56, Potência-SO8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal N | 100 V | 14,8A(Tc) | 5V, 10V | 99mOhm @ 5A, 10V | 2,15V a 1mA | 11 nC @ 5 V | ±15V | 1139 pF a 25 V | - | 59W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5083 | 287.8650 | ![]() | 5733 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em pino | TO-210AA, TO-59-4, pino | 20 W | TO-59 | - | REACH não afetado | 150-2N5083 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF2425M8L140J | 133.8600 | ![]() | 9678 | 0,00000000 | Ampleon EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Não para novos designs | 65V | Montagem em chassi | SOT-502A | BLF2425 | 2,45GHz | LDMOS | SOT502A | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 934067835118 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 1,3A | 140W | 19dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR540ZTRRPBF | - | ![]() | 1043 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001557092 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100 V | 35A (Tc) | 10V | 28,5mOhm @ 21A, 10V | 4V @ 50µA | 59 nC @ 10 V | ±20V | 1690 pF a 25 V | - | 91W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | STB130NS04ZBT4 | - | ![]() | 6304 | 0,00000000 | STMicroeletrônica | MALHA OVERLAY® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | STB130 | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 33V | 80A (Tc) | 10V | 9mOhm a 40A, 10V | 4V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | Preso | 2700 pF a 25 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DRA5144T0L | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Componentes Eletrônicos Panasonic | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | SC-85 | DRA5144 | 150 mW | SMini3-F2-B | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pré-tendencioso | 250mV @ 500µA, 10mA | 160 @ 5mA, 10V | 47 kOhms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBHV9560Z115 | 1.0000 | ![]() | 4271 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUT5088E TR PBFREE | 0,6000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-89, SOT-490 | CMUT5088 | 350 mW | SOT-523 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 110mV @ 10mA, 100mA | 430 @ 100µA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOSS62934 | 0,4500 | ![]() | 596 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AlfaSGT™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AOSS629 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100 V | 2A (Ta) | 4,5V, 10V | 140mOhm @ 2A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 3,8 nC a 10 V | ±20V | 250 pF a 50 V | - | 1,4 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSC0502NSIATMA1 | 1.5600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | BSC0502 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TDSON-8-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 30 V | 26A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,3mOhm a 30A, 10V | 2V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta), 43W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 64-0055PBF | - | ![]() | 5296 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | MOSFET (óxido metálico) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001553580 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 160A (Tc) | 10V | 4,2mOhm a 75A, 10V | 4 V a 150 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 4520 pF a 50 V | - | 230W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0310S | - | ![]() | 8145 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench®, SyncFET™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | FDMS0310 | MOSFET (óxido metálico) | 8-PQFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 19A (Ta), 42A (Tc) | 4,5V, 10V | 4mOhm @ 18A, 10V | 3V @ 1mA | 46 nC @ 10 V | ±20V | 2820 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta), 46W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5172 PBFREE | 0,6500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 mW | PARA-92-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 25 V | 100 mA | 100nA | NPN | 250mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 10mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD243BTU | 0,3700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BD243 | 65W | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 6A | 700µA | NPN | 1,5V a 1A, 6A | 15 @ 3A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7460TR | - | ![]() | 8381 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 20 V | 12A (Ta) | 4,5V, 10V | 10mOhm @ 12A, 10V | 3 V a 250 µA | 19 nC @ 4,5 V | ±20V | 2050 pF a 10 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMCXB900UEZ | 0,4000 | ![]() | 165 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-XFDFN | PMCXB900 | MOSFET (óxido metálico) | 265mW | DFN1010B-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5.000 | Canais N e P Complementares | 20V | 600ma, 500ma | 620mOhm @ 600mA, 4,5V | 950mV @ 250µA | 0,7nC a 4,5V | 21,3pF a 10V | Portão de nível lógico | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS6021D,115 | 0,1512 | ![]() | 7879 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-74, SOT-457 | PBLS6021 | 760mW | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V, 60V | 100mA, 1,5A | 1µA, 100nA | 1 NPN pré-tendencioso, 1 PNP | 150mV a 500µA, 10mA/260mV a 100mA, 1,5A | 30 @ 20 mA, 5 V / 140 @ 1 A, 2 V | 150MHz | 2,2 kOhms | 2,2 kOhms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM6502CRRLG | 2.3700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | TSM6502 | MOSFET (óxido metálico) | 40W | 8-PDFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N e P | 60V | 24A (Tc), 18A (Tc) | 34mOhm a 5,4A, 10V, 68mOhm a 4A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 10,3nC a 4,5V, 9,5nC a 4,5V | 1159pF a 30V, 930pF a 30V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTUD3170NZT5G | 0,6400 | ![]() | 38 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-963 | NTUD3170 | MOSFET (óxido metálico) | 125mW | SOT-963 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 220mA | 1,5 Ohm a 100 mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | - | 12,5pF a 15V | Portão de nível lógico | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STD10NF10T4 | 1.3600 | ![]() | 13 | 0,00000000 | STMicroeletrônica | STripFET™II | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | Horário de verão10 | MOSFET (óxido metálico) | DPAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 100 V | 13A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 5A, 10V | 4 V a 250 µA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 460 pF a 25 V | - | 50W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S9102NR3 | - | ![]() | 2105 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 70 V | Montagem em superfície | OM-780-2 | MRF8 | 920MHz | LDMOS | OM-780-2 | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 750 mA | 28W | 23,1dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2G26H280-04SR3 | - | ![]() | 7593 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | A2G26 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 935318614128 | 0000.00.0000 | 250 |

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