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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Tensão - Teste | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emissor Base (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXFN34N80 | 31.3590 | ![]() | 3804 | 0,00000000 | IXYS | HiPerFET® | Tubo | Não para novos designs | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | IXFN34 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-227B | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Canal N | 800V | 34A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 8mA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 7.500 pF a 25 V | - | 600W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BUK98150-55.135 | - | ![]() | 2989 | 0,00000000 | NXP EUA Inc. | TrincheiraMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | BUK98 | MOSFET (óxido metálico) | SC-73 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 55V | 5,5A (Tc) | 5V | 150mOhm @ 5A, 5V | 2V @ 1mA | ±10V | 330 pF a 25 V | - | 8,3W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | AO9926BL_101 | - | ![]() | 6790 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | AO9926 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 7,6A | 23mOhm @ 7,6A, 10V | 1,1 V a 250 µA | 12,5nC a 10V | 630pF a 15V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN4R3-30BL,118 | 1.5400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | PSMN4R3 | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 30 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,1mOhm a 15A, 10V | 2,15V a 1mA | 41,5 nC @ 10 V | ±20V | 2.400 pF a 15 V | - | 103W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | NSVMUN2112T1G | 0,0363 | ![]() | 8214 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSVMUN2112 | 230 mW | SC-59 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pré-tendencioso | 250mV @ 300µA, 10mA | 60 @ 5mA, 10V | 22 kOhms | 22 kOhms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK44N50Q | - | ![]() | 2619 | 0,00000000 | IXYS | HiPerFET™, Classe Q | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-264-3, TO-264AA | IXFK44 | MOSFET (óxido metálico) | TO-264AA (IXFK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 500 V | 44A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 7.000 pF a 25 V | - | 500W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | C2M0040120D | 46.2600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-FET® | Tubo | Não para novos designs | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | C2M0040120 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 52mOhm @ 40A, 20V | 2,8V a 10mA | 115 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1893 pF a 1000 V | - | 330W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SPD04N60C3 | - | ![]() | 6263 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SPD04N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600 V | 4,5A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 2,8A, 10V | 3,9 V a 200 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 490 pF a 25 V | - | 50W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1205T-E | 0,8500 | ![]() | 945 | 0,00000000 | onsemi | - | Volume | Obsoleto | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | 2SB1205 | 1W | PT | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 20 V | 5A | 500nA (ICBO) | PNP | 500mV a 60mA, 3A | 200 @ 500mA, 2V | 320MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUF420AW | 11.2000 | ![]() | 1124 | 0,00000000 | STMicroeletrônica | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | BUF420 | 200W | PARA-247-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 450 V | 30 A | - | NPN | 500mV @ 4A, 20A | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| BC848B,215 | 0,1400 | ![]() | 105 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 250 mW | TO-236AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BC847AW | 0,0170 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | download | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-BC847AWTR | EAR99 | 3.000 | 45V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SISS64DN-T1-GE3 | 1.3800 | ![]() | 2142 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SISS64 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 40A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,1mOhm a 10A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 68 nC @ 10 V | +20V, -16V | 3420 pF a 15 V | - | 57W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SBC808-25LT1G | 0,0583 | ![]() | 4514 | 0,00000000 | onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SBC808 | 300 mW | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 700mV a 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
| IPI037N08N3GXKSA1 | - | ![]() | 8042 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IPI037N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 80 V | 100A (Tc) | 6V, 10V | 3,75mOhm a 100A, 10V | 3,5 V a 155 µA | 117 nC @ 10 V | ±20V | 8110 pF a 40 V | - | 214W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC848A | 0,0150 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 mW | SOT-23 | - | Compatível com RoHS | REACH não afetado | 4617-BC848ATR | EAR99 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 100nA | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOI518_001 | - | ![]() | 9563 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | AOI51 | MOSFET (óxido metálico) | - | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 30 V | 18A (Ta), 46A (Tc) | 4,5V, 10V | 8mOhm a 20A, 10V | 2,6 V a 250 µA | 22,5 nC a 10 V | ±20V | 951 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta), 50W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRLL1905TR | - | ![]() | 7411 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRLL1905 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 55V | 1,6A (Ta) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7526-100B,127 | - | ![]() | 5721 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | TrincheiraMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100 V | 49A (Tc) | 10V | 26mOhm a 25A, 10V | 4V @ 1mA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 2891 pF a 25 V | - | 157W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP247-CEN1104-CT | - | ![]() | 6785 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | CP247 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1514-CP247-CEN1104-TR | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA041501F-V4-R0 | 118.9330 | ![]() | 4937 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tira | Não para novos designs | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads | PTFA041501 | 420 MHz ~ 500 MHz | LDMOS | H-37248-2 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 1µA | 900 mA | 150W | 21dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTY2N80P | - | ![]() | 6180 | 0,00000000 | IXYS | PolarHV™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IXTY2 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal N | 800V | 2A (Tc) | 10V | 6Ohm @ 1A, 10V | 5,5 V a 50 µA | 10,6 nC a 10 V | ±30V | 440 pF a 25 V | - | 70W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PJMF120N60EC_T0_00001 | 6.9000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit Internacional Inc. | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | PJMF120 | MOSFET (óxido metálico) | ITO-220AB-F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3757-PJMF120N60EC_T0_00001 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 51 nC @ 10 V | ±30V | 1960 pF a 400 V | - | 33W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | UPA1770G-E1-A | 1.6800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150ºC | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) | UPA1770 | MOSFET (óxido metálico) | 750 mW (Ta) | 8-POP | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-UPA1770G-E1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 20V | 6A (Ta) | 37mOhm @ 3A, 4,5V | 1,5V a 1mA | 11nC a 4,5V | 1300pF a 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C456NLWFT1G | - | ![]() | 6161 | 0,00000000 | onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN, 5 derivações | NVMFS5 | MOSFET (óxido metálico) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal N | 40 V | 87A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,7mOhm a 20A, 10V | 2V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF a 25 V | - | 3,6 W (Ta), 55 W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | UF3C065030K4S | 19.4000 | ![]() | 5066 | 0,00000000 | Qorvo | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | UF3C065030 | PARA-247-4 | download | Compatível com ROHS3 | Não aplicável | REACH não afetado | 2312-UF3C065030K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 650 V | 85A (Tc) | 12V | 35mOhm a 50A, 12V | 6V @ 10mA | 43 nC @ 12 V | ±25V | 1500 pF a 100 V | - | 441W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | SIHK185N60EF-T1GE3 | 4.6000 | ![]() | 9129 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | FE | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerBSFN | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®10x12 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600 V | 16A (Tc) | 10V | 193mOhm @ 9,5A, 10V | 5 V a 250 µA | 32 nC @ 10 V | ±30V | 1081 pF a 100 V | - | 114W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IXFL30N120P | - | ![]() | 4330 | 0,00000000 | IXYS | HiPerFET™, Polar | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | ISOPLUSi5-Pak™ | IXFL30 | MOSFET (óxido metálico) | ISOPLUSi5-Pak™ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 1200 V | 18A (Tc) | 10V | 380mOhm a 15A, 10V | 6,5V a 1mA | 310 nC @ 10 V | ±30V | 19.000 pF a 25 V | - | 357W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PMPB95ENEA/FX | 0,1709 | ![]() | 2561 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | Almofada exposta 6-UDFN | PMPB95 | MOSFET (óxido metálico) | DFN2020MD-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 4.1A (Ta) | 4,5V, 10V | 105mOhm @ 2,8A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 14,9 nC a 10 V | ±20V | 504 pF a 40 V | - | 1,6 W (Ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R6-40YLC,115 | - | ![]() | 4522 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-1023, 4-LFPAK | MOSFET (óxido metálico) | LFPAK56; Potência-SO8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal N | 40 V | 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,55mOhm a 25A, 10V | 1,95V a 1mA | 126 nC @ 10 V | ±20V | 7790 pF a 20 V | - | 288W (Tc) |

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