- Solicitação de cotação
- BOM
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- amárico
- Armênio
- Azerbaijano
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- filipino
- finlandês
- Frísio
- Galego
- Georgiano
- Guzerate
- haitiano
- Hauçá
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Ibo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Quirguistão
- Latim
- letão
- lituano
- Luxemburgo..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- nepalês
- norueguês
- pashto
- persa
- punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Cingalês
- Eslovaco
- esloveno
- somali
- samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindi
- Sudanês
- suaíli
- tadjique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Usbeque
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- iídiche
- Iorubá
- zulu
- Kinyarwanda
- tártaro
- Oriá
- turcomano
- Uigur
Transistores(54)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PHE13003C,126 | 0,4400 |  | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | PHE13 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 400 V | 1,5A | 100µA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 1,5 A | 5 @ 1A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||
 | BUJ403A,127 | 0,3432 | | 8838 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ403 | 100W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 550 V | 6A | 100µA | NPN | 1V a 400mA, 2A | 20 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | TB100ML | 0,0878 | | 5963 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | 150ºC | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | TB100 | 2W | PARA-92-3 | download | 1 (ilimitado) | 934068209126 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 700 V | 1A | 100µA | NPN | 1V a 150mA, 750mA | 14 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| WNSCM160120WQ | 5.2221 | | 1676 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | WNSCM160120 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-247-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal N | 1200 V | 24A (Ta) | 20V | 196mOhm @ 10A, 20V | 4,5V a 3mA | 35 nC @ 20 V | +25V, -10V | 736 pF a 1000 V | - | 155W (Ta) | |||||||||||||||||||||
| PHE13009.127 | 0,2991 | | 1454 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | PHE13 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 12A | 100µA | NPN | 2V @ 1,6A, 8A | 8 @ 5A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| TB100EP | 0,0878 | | 7534 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | 150ºC | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TB100 | 2W | PARA-92-3 | download | 1 (ilimitado) | 934068209412 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 700 V | 1A | 100µA | NPN | 1V a 150mA, 750mA | 14 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | BUJ303AD,118 | 0,3212 | | 8959 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJ303 | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ303B,127 | 0,3365 | | 5879 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ303 | 100W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 5A | 100µA | NPN | 1,5V a 1A, 3A | 23 @ 800mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJD103AD,118 | 0,3059 | | 6293 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJD1 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4A | 100µA | NPN | 1V @ 1A, 4A | 11 @ 2A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | BUJ302AX,127 | 0,8600 | | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | BUJ302 | 26W | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4A | 250µA | NPN | 1,5V a 1A, 3,5A | 25 @ 800mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJ302A,127 | 0,3059 | | 8205 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ302 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 4A | 250mA | NPN | 1,5V a 1A, 3,5A | 25 @ 800mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJD203A,127 | 0,3182 | | 5950 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJD2 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 425V | 4A | 100µA | NPN | 1V a 600mA, 3A | 11 @ 2A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| WG50N65DHJQ | 1.8746 | | 5681 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | WG50N65D | padrão | 278 W | PARA-247-3 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | 400V, 50A, 10Ohm, 15V | 105 ns | Parada de campo de trincheira | 650 V | 91A | 200A | 2V a 15V, 50A | 1,7 mJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 160nC | 66ns/163ns | |||||||||||||||||||||
| BUJD203AX,127 | 0,3059 | | 2215 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | BUJD2 | 26W | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 425V | 4A | 2mA | NPN | 1V a 600mA, 3A | 10 @ 1mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| PHE13003A,412 | 0,0720 | | 6599 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PHE13 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934063927412 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 400 V | 1A | 1mA | NPN | 1,5 V a 250 mA, 750 mA | 10 @ 400mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| BUJD203AD,118 | 0,3059 | | 5033 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJD2 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 425V | 4A | 100µA | NPN | 1V a 600mA, 3A | 11 @ 2A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJ103A,127 | 0,3105 | | 4405 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ103 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 4A | 1mA (ICBO) | NPN | 1V a 600mA, 3A | 13 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| PHE13003A,126 | 0,0720 | | 3700 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | PHE13 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934063927126 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 400 V | 1A | 1mA | NPN | 1,5 V a 250 mA, 750 mA | 10 @ 400mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| PHE13009/DG,127 | 0,3166 | | 2624 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | PHE13 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 12A | 100µA | NPN | 2V @ 1,6A, 8A | 8 @ 5A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| PHE13005X/01.127 | 0,2200 | | 1640 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | PHE13 | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934066084127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ100LR,412 | 0,0626 | | 9203 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BUJ100 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 400 V | 1A | 1mA | NPN | 1,5 V a 250 mA, 750 mA | 10 @ 400mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| PHD13003C,412 | 0,4500 | | 7 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Doutorado13 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 400 V | 1,5A | 100µA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 1,5 A | 5 @ 1A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJ103AD,118 | 0,3218 | | 4034 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJ103 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4A | 100µA | NPN | 1V a 600mA, 3A | 13 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| PMDPB760ENX | - | | 4133 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | - | PMDPB760 | - | - | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | - |
Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)