- Solicitação de cotação
- BOM
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- amárico
- Armênio
- Azerbaijano
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- filipino
- finlandês
- Frísio
- Galego
- Georgiano
- Guzerate
- haitiano
- Hauçá
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Ibo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Quirguistão
- Latim
- letão
- lituano
- Luxemburgo..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- nepalês
- norueguês
- pashto
- persa
- punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Cingalês
- Eslovaco
- esloveno
- somali
- samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindi
- Sudanês
- suaíli
- tadjique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Usbeque
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- iídiche
- Iorubá
- zulu
- Kinyarwanda
- tártaro
- Oriá
- turcomano
- Uigur
Transistores(54)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PHE13007.127 | 0,7100 |  | 4 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | PHE13 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 8A | 200µA | NPN | 350mV @ 1A, 5A | 8 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | WNSCM80120WQ | 8.2460 | | 4369 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | WNSCM80120 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-247-3 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | Canal N | 1200 V | 42A (Ta) | 20V | 98mOhm a 20A, 20V | 4,5 V a 6 mA | 59 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1350 pF a 1000 V | - | 230W (Ta) | ||||||||||||||||||||||
| OP533.005 | 0,3375 | | 5733 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Bandeja | Ativo | OP533 | - | - | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WG50N65DHWQ | 3.5500 | | 754 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | WG50N65D | padrão | 278 W | PARA-247-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1740-WG50N65DHWQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 50A, 10Ohm, 15V | 105 ns | Parada de campo de trincheira | 650 V | 91A | 200A | 2V a 15V, 50A | 1,7 mJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 160nC | 66ns/163ns | |||||||||||||||||||
 | BUJ103AX,127 | 0,3617 | | 7669 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | BUJ103 | 26W | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 4A | 100µA | NPN | 1V a 600mA, 3A | 12 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| PHE13005X,127 | - | | 8017 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | PHE13 | 26W | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4A | 100µA | NPN | 1V @ 1A, 4A | 10 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170WQ | 3.7616 | | 5309 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | WNSC2 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-247-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | Canal N | 1700V | 7A (Ta) | 15V, 18V | 1Ohm @ 1A, 18V | 4,2 V a 800 µA | 12 nC @ 18 V | +22V, -10V | 225 pF a 1000 V | - | 79W (Ta) | ||||||||||||||||||||||
 | BUJ303CD,118 | 0,2830 | | 2255 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJ303 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 5A | 100µA | NPN | 1,5V a 1A, 3A | 28 @ 10mA, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | BUJ100LR,126 | 0,0626 | | 8685 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | BUJ100 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934063371126 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 400 V | 1A | 1mA | NPN | 1,5 V a 250 mA, 750 mA | 10 @ 400mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJ100.412 | 0,1183 | | 3046 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BUJ100 | 2W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 400 V | 1A | 100µA | NPN | 1V a 150mA, 750mA | 9 @ 750mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| OP528.005 | 0,1922 | | 7196 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Bandeja | Ativo | OP528 | - | - | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ100.126 | 0,1183 | | 4770 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | BUJ100 | 2W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934055572126 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 400 V | 1A | 100µA | NPN | 1V a 150mA, 750mA | 9 @ 750mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJ403A/DG,127 | 0,3617 | | 6447 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ403 | 100W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 550 V | 6A | 100µA | NPN | 1V a 400mA, 2A | 20 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| PHD13003C,126 | 0,0861 | | 1206 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | Doutorado13 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934063921126 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 400 V | 1,5A | 100µA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 1,5 A | 5 @ 1A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||
| WNSCM80120RQ | 9.2597 | | 3688 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | WNSCM80120 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247-4L | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | Canal N | 1200 V | 45A (Ta) | 20V | 98mOhm a 20A, 20V | 4,5 V a 6 mA | 59 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1350 pF a 1000 V | - | 270W (Ta) | ||||||||||||||||||||||
| BUJ303AX,127 | 0,3182 | | 9205 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | BUJ303 | 32W | TO-220F | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 500 V | 5A | 100µA | NPN | 1,5V a 600mA, 3A | 10 @ 5mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| BUJ302AD,118 | 0,8500 | | 4 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJ302 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4A | 250mA | NPN | 1,5V a 1A, 3,5A | 25 @ 800mA, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||
| BUJD105AD,118 | 0,3365 | | 3854 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJD1 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 8A | 100µA | NPN | 1V a 800mA, 4A | 13 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| PHE13005.127 | 0,6000 | | 9 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | PHE13 | 75W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4A | 100µA | NPN | 1V @ 1A, 4A | 10 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | BUJ105AB,118 | 0,4219 | | 7929 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | BUJ105 | 125W | D2PAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400 V | 8A | 100µA | NPN | 1V a 800mA, 4A | 13 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| OP241.005 | 0,1895 | | 1357 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Bandeja | Ativo | OP241 | - | - | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ303A,127 | 0,9000 | | 5 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ303 | 100W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 539 | 500 V | 5A | 100µA | NPN | 1,5V a 600mA, 3A | 14 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| OP529.005 | 0,4250 | | 8904 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Bandeja | Ativo | OP529 | - | - | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP526.005 | 0,4325 | | 8381 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Bandeja | Ativo | OP526 | - | - | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ106A,127 | 0,4219 | | 3878 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ106 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 10A | 100µA | NPN | 1V @ 1,2A, 6A | 14 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| BUJ105A,127 | 0,3617 | | 8091 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | BUJ105 | 80W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 8A | 100µA | NPN | 1V a 800mA, 4A | 13 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| PHE13003C,412 | 0,4500 | | 19 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Volume | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PHE13 | 2,1W | PARA-92-3 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 934063922412 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 400 V | 1,5A | 100µA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 1,5 A | 5 @ 1A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||
| BUJ105AD,118 | 0,3365 | | 8213 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | BUJ105 | 80W | DPAK | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 8A | 100µA | NPN | 1V a 800mA, 4A | 13 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| PHD13005.127 | 0,6200 | | 6 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | - | Tubo | Ativo | 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | Doutorado13 | 75W | PARA-220AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4A | 100µA | NPN | 1V @ 1A, 4A | 10 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| OP524.005 | 0,1922 | | 7595 | 0,00000000 | WeEn Semicondutores | * | Bandeja | Ativo | OP524 | - | - | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 1 | - |
Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)