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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM60NC165CI C0G | 9.1600 |  | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NC165CIC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 5V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1857 PF @ 300 V | - | 89W (TC) | ||||||||||
 | MMBT3904T RSG | 0,2400 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-523 | MMBT3904 | 150 MW | SOT-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 MA | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5Ma, 50Ma | 100 @ 10Ma, 1V | 300MHz | |||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 | 0,7033 | | 5653 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x5.8) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM055N03PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 11,1 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1160 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
| TSM043NB04LCZ | 1.7791 | | 7779 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM043 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM043NB04LCZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 16a (ta), 124a (tc) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 76 nc @ 10 V | ± 20V | 4387 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 125W (TC) | |||||||||||
| TSM085N03PQ33 | 0,5699 | | 2961 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM085 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3,1x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM085N03PQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 13a (ta), 52a (tc) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 13a, 10V | 2,5V a 250µA | 14,3 nc @ 10 V | ± 20V | 817 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 37W (TC) | |||||||||||
| TSM085NB03DCR | 0,9944 | | 8310 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM085 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM085NB03DCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 12a (ta), 51a (tc) | 8.5mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 20NC @ 10V | 1091pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
| TSM60NB380CF | 2.5238 | | 7234 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB380CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 2.7a, 10V | 4V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 30V | 810 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||
| TSM70N900CI | 2.3232 | | 4666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N900CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 700 v | 4.5a (TC) | 10V | 900MOHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 9,7 nc @ 10 V | ± 30V | 482 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | |||||||||||
| TSM70N750CP | 2.1762 | | 9537 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N750CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 700 v | 6a (TC) | 10V | 750mohm @ 1.8a, 10V | 4V A 250µA | 10,7 nc @ 10 V | ± 30V | 555 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB260CI | 4.2905 | | 8831 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB260CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 13a (TC) | 10V | 260mohm @ 3.9a, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 30V | 1273 pf @ 100 V | - | 32.1W (TC) | |||||||||||
| TSM089N08LCR | 2.1142 | | 5536 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM089 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM089N08LCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 80 v | 12a (ta), 67a (tc) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 90 nc @ 10 V | ± 20V | 6119 pf @ 40 V | - | 2.6W (TA), 83W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB1R4CH | 1.0097 | | 2300 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB1R4CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 600 v | 3a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 900MA, 10V | 4V A 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ± 30V | 257,3 pf @ 100 V | - | 28.4W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB380CH | 2.1663 | | 8075 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB380CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 600 v | 9.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 2.85a, 10V | 4V A 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 795 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
| TSC873CW | 0,3712 | | 4782 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSC873 | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSC873CWTR | 5.000 | 400 v | 1 a | 1Ma | Npn | 1v a 250mA, 1a | 80 @ 250mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
| TSM1NB60CH | 0,7448 | | 1962 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM1NB60CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500mA, 10V | 4.5V a 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||
| TSM60NC196CI | 4.2719 | | 1888 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NC196CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 20a (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1535 pf @ 300 V | - | 70W (TC) | |||||||||||
| TSM80N1R2CI | 3.3572 | | 9129 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM80N1R2CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 800 v | 5.5a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 1.8A, 10V | 4V A 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 685 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM060N03PQ33 | 0.6306 | | 5227 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM060 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3,1x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM060N03PQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 15a (ta), 62a (tc) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 25,4 nc @ 10 V | ± 20V | 1342 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 40W (TC) | |||||||||||
| TSM038N03PQ33 | 0,7613 | | 4780 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM038 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3,1x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM038N03PQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 19a (ta), 78a (tc) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 19a, 10V | 2,5V a 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 2557 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 39W (TC) | |||||||||||
| TSA874CW | 0.2013 | | 6190 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSA874 | 1 w | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSA874CWTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 500 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 10ma, 50mA | 150 @ 1MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||
| TSM60NC165CI | 5.0046 | | 7786 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NC165CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 5V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1857 PF @ 300 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
| TSM2328CX | 0,4171 | | 7755 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2328 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM2328CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 100 v | 1.5a (ta) | 10V | 250mohm @ 1.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 11,1 nc @ 5 V | ± 20V | 975 pf @ 25 V | - | 1.38W (TA) | |||||||||||
| TSM600P03CS | 0,3994 | | 2567 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM600 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM600P03CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 4.7a (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3a, 10V | 2,5V a 250µA | 5,1 nc @ 4,5 V | ± 20V | 560 pf @ 15 V | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
| TSM042N03CS | 0,8059 | | 8384 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM042 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM042N03CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 24 NC a 4,5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 7W (TC) | |||||||||||
| TSM80N400CF | 5.4062 | | 6681 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM80N400CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 800 v | 12a (TC) | 10V | 400mohm @ 2.7a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 1848 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||||||||
| TSM7P06CP | 0,4877 | | 9946 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM7P06CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 60 v | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 180mohm @ 3a, 10V | 2,5V a 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 425 pf @ 30 V | - | 15.6W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB600CF | 1.9333 | | 6500 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB600CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.7a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 30V | 528 pf @ 100 V | - | 41.7W (TC) | |||||||||||
| TSM035NB04LCZ | 1.6825 | | 7136 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM035NB04LCZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 18a (ta), 157a (tc) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 250µA | 111 nc @ 10 V | ± 20V | 6350 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
| TSM110NB04LCV | 0,6661 | | 6248 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3.15x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM110NB04LCVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 40 v | 9a (ta), 44a (tc) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 9a, 10V | 2,5V a 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 20V | 1329 pf @ 20 V | - | 1.9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| TSM70N380CH | 3.2649 | | 2406 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N380CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 700 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 18,8 nc @ 10 V | ± 30V | 981 pf @ 100 V | - | 125W (TC) |
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