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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC848BW RFG | 0,0368 |  | 4368 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSM70N380CP ROG | 6.6600 | | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 18,8 nc @ 10 V | ± 30V | 981 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
| BC817-25W | 0,0350 | | 2047 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC817-25WTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSM8588CS RLG | 1.6200 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM8588 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA), 5.7W (TC) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N e P-Canal complementar | 60V | 2.5a (ta), 5a (tc), 2a (ta), 4a (tc) | 103mohm @ 2.5a, 10v, 180mohm @ 2a, 10V | 2,5V a 250µA | 9.4NC @ 10V, 9NC @ 10V | 527pf @ 30V, 436pf @ 30V | - | |||||||||||||
 | TSM2328CX | 0,4171 | | 7755 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2328 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM2328CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 100 v | 1.5a (ta) | 10V | 250mohm @ 1.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 11,1 nc @ 5 V | ± 20V | 975 pf @ 25 V | - | 1.38W (TA) | |||||||||||
| TSM60NC390CP ROG | 6.1500 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 5V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 804 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
| BC337-40-B0 A1 | - | | 8251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC337-40-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| TSM1NB60CP ROG | 1.7300 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM1NB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500mA, 10V | 4.5V a 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||
 | TSM150NB04LDCR RLG | 2.2400 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 8a (ta), 37a (tc) | 15mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 18NC @ 10V | 966pf @ 20V | - | |||||||||||||
| TSM60NC196CM2 RNG | 9.1600 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 v | 28a (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1566 pf @ 300 V | - | 152W (TC) | |||||||||||
| BC338-25-B0 A1 | - | | 6810 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC338-25-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| TSM9434CS RLG | 1.6200 | | 5919 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM9434 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 20 v | 6.4a (TC) | 2.5V, 4.5V | 40mohm @ 6.4a, 4.5V | 1V a 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
| TSM060NB06LCZ C0G | 4.1700 | | 1146 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM060 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM060NB06LCZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 13a (ta), 111a (tc) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 13a, 10V | 2,5V a 250µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 6273 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||
 | TQM150NB04DCR RLG | 3.1900 | | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-PowerTdfn | TQM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.4W (TA), 48W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 9a (ta), 39a (tc) | 15mohm @ 9a, 10V | 4V A 250µA | 18NC @ 10V | 1135pf @ 20V | - | |||||||||||||
 | TSM150P03PQ33 RGG | 1.6100 | | 9 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3,1x3.1) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 29,3 nc @ 10 V | ± 20V | 1829 pf @ 15 V | - | 27.8W (TC) | |||||||||||
| TSM3N100CP ROG | - | | 2852 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 1000 v | 2.5a (TC) | 10V | 6ohm @ 1.25a, 10V | 5,5V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 664 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||
 | BC858A | 0,0334 | | 8548 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC858ATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSC873CW RPG | 0,9200 | | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSC873 | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 v | 1 a | 1Ma | Npn | 1v a 250mA, 1a | 80 @ 250mA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | Tsm4nd60ci c0g | - | | 5832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM4nd60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.2OHM @ 1.4A, 10V | 3,8V a 250µA | 17,2 nc @ 10 V | ± 30V | 582 pf @ 50 V | - | 41.6W (TC) | |||||||||||
 | BC858B RFG | 0,0343 | | 7245 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSM055N03PQ56 RLG | 1.5100 | | 110 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 11,1 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1160 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
 | TSM4NB60CI C0G | 1.1907 | | 7682 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM4NB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A, 10V | 4.5V a 250µA | 14,5 nc @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM9435CS | 0,4873 | | 2663 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM9435 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM9435CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 5.3a, 10V | 3V A 250µA | 9,52 nc @ 10 V | ± 20V | 551,57 pf @ 15 V | - | 2.5W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB600CF | 1.9333 | | 6500 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB600CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.7a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 30V | 528 pf @ 100 V | - | 41.7W (TC) | |||||||||||
| TSM052N06PQ56 RLG | - | | 6174 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 100a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 25V | 3686 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||
| TSM10N60CI C0G | - | | 8807 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSM10N60CIC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4V A 250µA | 45,8 nc @ 10 V | ± 30V | 1738 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM085P03CV RGG | 2.0100 | | 82 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM085 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3,1x3.1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10v | 2,5V a 250µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 3234 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
 | BC338-40 B1G | - | | 8302 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC338 | 625 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| Tsm1n45dcs rl | - | | 9728 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM1N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSM1N45DCSRL | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 500mA (TA) | 4.25OHM @ 250MA, 10V | 4.9V A 250mA | - | ||||||||||||||||
| TSM110NB04LDCR | 1.1455 | | 5240 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM110NB04LDCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 10a (ta), 48a (tc) | 11mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 23NC @ 10V | 1269pf @ 20V | - |
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