SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição
TSM2N100CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N100CP ROG -
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ECAD 1954 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TSM2N100 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 1000V 1,85A (Tc) 10V 8,5Ohm a 900mA, 10V 5,5 V a 250 µA 17 nC @ 10 V ±30V 625 pF a 25 V - 77W (Tc)
TSM1NB60CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP 0,7717
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ECAD 1758 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TSM1 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM1NB60CPTR EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 600 V 1A (Tc) 10V 10Ohm a 500mA, 10V 4,5 V a 250 µA 6,1 nC a 10 V ±30V 138 pF a 25 V - 39W (Tc)
TSM2NB65CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB65CH X0G -
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ECAD 5652 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak MOSFET (óxido metálico) TO-251 (IPAK) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 650 V 2A (Tc) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4 V a 250 µA 13 nC @ 10 V ±20V 390 pF a 25 V - 65W (Tc)
TSM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV RGG 1.5500
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ECAD 10 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN TSM250 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (3,15x3,1) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 60 V 6A (Ta), 28A (Tc) 7V, 10V 25mOhm @ 6A, 10V 4 V a 250 µA 23 nC @ 10 V ±20V 1440 pF a 30 V - 1,9W (Ta), 42W (Tc)
TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CRRLG 2.3700
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ECAD 9 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM6502 MOSFET (óxido metálico) 40W 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N e P 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 34mOhm a 5,4A, 10V, 68mOhm a 4A, 10V 2,5 V a 250 µA 10,3nC a 4,5V, 9,5nC a 4,5V 1159pF a 30V, 930pF a 30V -
TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G 15.1800
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ECAD 2 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TSM60 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 25 Canal N 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 11,7A, 10V 4 V a 250 µA 62 nC @ 10 V ±30V 2587 pF a 100 V - 329W (Tc)
TSM60NC390CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC390CP ROG 6.1500
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ECAD 4 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita Cortada (CT) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TSM60 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3,8A, 10V 5V @ 1mA 21 nC @ 10 V ±20V 804 pF a 25 V - 125W (Tc)
TSM200N03DPQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 0,6553
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ECAD 5162 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN TSM200 MOSFET (óxido metálico) 20W (Tc) 8-PDFN (3x3) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM200N03DPQ33TR EAR99 8541.29.0095 15.000 2 canaisN 30V 20A (Tc) 20mOhm @ 10A, 10V 2,5 V a 250 µA 4,1nC a 4,5V 345pF a 25V padrão
TSM070NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NA04LCRRLG -
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ECAD 8379 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM070 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 40 V 91A (Tc) 4,5V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 2,5 V a 250 µA 23,5 nC a 10 V ±20V 1469 pF a 20 V - 113W (Tc)
TSD2150ACY RMG Taiwan Semiconductor Corporation TSD2150ACY RMG -
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ECAD 6148 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-243AA 600 mW SOT-89 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 1801-TSD2150ACYRMGTR EAR99 8541.21.0095 1.000 50 V 3A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 200mA, 2A 200 @ 500mA, 2V 90MHz
TSM110NB04LDCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LDCR 1.1455
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ECAD 5240 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM110 MOSFET (óxido metálico) 2W (Ta), 48W (Tc) 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM110NB04LDCRTR EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canais N (duplo) 40V 10A (Ta), 48A (Tc) 11mOhm @ 10A, 10V 2,5 V a 250 µA 23nC @ 10V 1269pF a 20V -
TSM3457CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3457CX6 0,3881
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ECAD 6115 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 TSM3457 MOSFET (óxido metálico) SOT-26 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM3457CX6TR EAR99 8541.29.0095 12.000 Canal P 30 V 5A (Ta) 4,5V, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 3 V a 250 µA 9,52 nC a 10 V ±20V 551,57 pF a 15 V - 2W (Ta)
MMBT3906L-UA RF Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L-UA RF -
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ECAD 7625 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 mW SOT-23 - 1801-MMBT3906L-UARF OBSOLETO 1 40 V 200 mA 100nA (ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
TSM150P03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 0,6916
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ECAD 2112 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN TSM150 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (3,1x3,1) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM150P03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10.000 Canal P 30 V 10A (Ta), 36A (Tc) 4,5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2,5 V a 250 µA 29,3 nC @ 10 V ±20V 1829 pF a 15 V - 2,3 W (Ta), 27,8 W (Tc)
TSM13ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM13ND50CI 4.4900
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ECAD 3 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado TSM13 MOSFET (óxido metálico) ITO-220 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 500 V 13A (Tc) 10V 480mOhm @ 3,3A, 10V 3,8 V a 250 µA 39 nC @ 10 V ±30V 1877 pF a 50 V - 57W (Tc)
TSM7NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC60CF C0G 1.5053
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ECAD 4283 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 TSM7 MOSFET (óxido metálico) ITO-220S download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 600 V 7A (Tc) 10V 1,2Ohm @ 2A, 10V 4,5 V a 250 µA 24 nC @ 10 V ±30V 1169 pF a 50 V - 44,6W (Tc)
TSM8N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N80CI C0G 2.6700
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ECAD 995 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado TSM8N80 MOSFET (óxido metálico) ITO-220AB download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 800V 8A (Tc) 10V 1,05Ohm a 4A, 10V 4 V a 250 µA 41 nC @ 10 V ±30V 1921 pF a 25 V - 40,3W (Tc)
MMBT3906L-UA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L-UA RFG -
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ECAD 9915 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 mW SOT-23 - 1801-MMBT3906L-UARFG OBSOLETO 1 40 V 200 mA 100nA (ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
TSM8N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N70CI C0G -
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ECAD 3987 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado MOSFET (óxido metálico) ITO-220AB - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 700 V 8A (Tc) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4 V a 250 µA 32 nC @ 10 V ±30V 2006 pF @ 25 V - 40W (Tc)
BC549B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549B B1G -
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ECAD 7186 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Volume Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC549 500 mW TO-92 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 5.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
TSM60NB190CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI 4.4264
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ECAD 7507 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado TSM60 MOSFET (óxido metálico) ITO-220 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM60NB190CI EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 600 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 6A, 10V 4 V a 250 µA 31 nC @ 10 V ±30V 1273 pF a 100 V - 33,8W (Tc)
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
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ECAD 20 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 MOSFET (óxido metálico) 240 mW (Ta) SOT-363 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais N (duplo) 60V 220mA (Ta) 2,5 Ohm a 220 mA, 10 V 2,5 V a 250 µA 0,91nC a 4,5V 30pF a 30V Portão de nível lógico
TSM8N50CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N50CH C5G -
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ECAD 1461 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) TO-251 (IPAK) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 500 V 7,2A (Tc) 10V 850 mOhm @ 3,6 A, 10 V 4 V a 250 µA 26,6 nC a 10 V ±30V 1595 pF a 25 V - 89W (Tc)
TSM300NB06LDCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LDCR 0,9850
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ECAD 9547 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM300 MOSFET (óxido metálico) 2W (Ta), 40W (Tc) 8-PDFNU (5x6) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM300NB06LDCRTR EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canais N (duplo) 60V 5A (Ta), 24A (Tc) 30mOhm @ 5A, 10V 2,5 V a 250 µA 17nC @ 10V 966pF a 30V Portão de nível lógico
TSM60NB099PW Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW 9.1589
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ECAD 3826 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 TSM60 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM60NB099PW EAR99 8541.29.0095 12.000 Canal N 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 11,7A, 10V 4 V a 250 µA 62 nC @ 10 V ±30V 2587 pF a 100 V - 329W (Tc)
TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CSRLG 1.7200
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ECAD 3 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TSM160 MOSFET (óxido metálico) 8-POP download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 11A (Tc) 1,8 V, 4,5 V 16mOhm @ 6A, 4,5V 1V @ 250µA 27 nC @ 4,5 V ±10V 2320 pF a 15 V - 2,5W (Tc)
TSM9434CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9434CSRLG 1.6200
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ECAD 5919 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) TSM9434 MOSFET (óxido metálico) 8-POP - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal P 20 V 6,4A (Tc) 2,5 V, 4,5 V 40mOhm @ 6,4A, 4,5V 1V @ 250µA 19 nC @ 4,5 V ±8V 1020 pF a 10 V - 2,5W (Ta)
TSM80N1R2CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI 3.3572
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ECAD 9129 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado TSM80 MOSFET (óxido metálico) ITO-220 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM80N1R2CI EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 800V 5,5A (Tc) 10V 1,2 Ohm a 1,8 A, 10 V 4 V a 250 µA 19,4 nC a 10 V ±30V 685 pF a 100 V - 25W (Tc)
TSM2N100CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N100CH C5G -
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ECAD 1005 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA TSM2N100 MOSFET (óxido metálico) TO-251 (IPAK) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 1000V 1,85A (Tc) 10V 8,5Ohm a 900mA, 10V 5,5 V a 250 µA 17 nC @ 10 V ±30V 625 pF a 25 V - 77W (Tc)
TSM4N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CZ C0G -
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ECAD 3483 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 TSM4N80 MOSFET (óxido metálico) PARA-220 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 800V 4A (Tc) 10V 3 Ohm @ 1,2 A, 10 V 4 V a 250 µA 20 nC @ 10 V ±30V 955 pF a 25 V - 38,7 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque