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Transistores (888)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
MMBT2222A RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A RFG 0,2400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
KTC3198-BL A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL A1G -
RFQ
 ECAD 7523 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads KTC3198 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
KTC3198-GR A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR A1G -
RFQ
 ECAD 9205 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads KTC3198 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
TS13002ACT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TS13002ACT A3G -
RFQ
 ECAD 4091 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads TS13002 600 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 2.000 400 v 300 mA 1µA Npn 1,5V A 20MA, 200MA 25 @ 100mA, 10V 4MHz
MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906 RFG 0,2100
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW SOT-23 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 MA 100na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
TSC4505CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSC4505CX RFG 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSC4505 225 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 400 v 300 mA 10µA (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 10ma, 10V 20MHz
BC338-40 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40 A1G -
RFQ
 ECAD 7817 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC338 625 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 4.000 25 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100MHz
BC547A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547A A1G -
RFQ
 ECAD 3073 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC547 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
BC549C A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549C A1G -
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC549 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 420 @ 2MA, 5V -
TSC873CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CW RPG 0,9200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSC873 SOT-223 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 400 v 1 a 1Ma Npn 1v a 250mA, 1a 80 @ 250mA, 10V -
TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm015na03cr rlg -
RFQ
 ECAD 5912 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM015 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 205a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 32a, 10V 2,5V a 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 4243 pf @ 15 V - 104W (TC)
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm018na03cr rlg 1.4100
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM018 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 185a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 29a, 10V 2,5V a 250µA 56 nc @ 10 V ± 20V 3479 pf @ 15 V - 104W (TC)
TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm026na03cr rlg -
RFQ
 ECAD 1041 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM026 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 168a (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 24a, 10V 2,5V a 250µA 41 nc @ 10 V ± 20V 2540 pf @ 15 V - 125W (TC)
TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56 RLG 1.7400
RFQ
 ECAD 438 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM036 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 124a (TC) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 22a, 10V 2,5V a 250µA 50 nc @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 15 V - 83W (TC)
TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG -
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 100a (TC) 10V 5.2mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 50 nc @ 10 V ± 25V 3686 pf @ 30 V - 83W (TC)
TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03PQ56 RLG 1.5100
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM055 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 80a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 11,1 nc @ 4,5 V ± 20V 1160 pf @ 25 V - 74W (TC)
TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG 1.3200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 5a (ta) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 7 nc @ 5 V ± 20V 555 pf @ 15 V - 3W (TA)
TSM061NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm061na03cr rlg -
RFQ
 ECAD 7201 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM061 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 88a (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1133 pf @ 15 V - 78W (TC)
TSM061NA03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG -
RFQ
 ECAD 7974 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM061 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 66a (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 1136 pf @ 15 V - 44.6W (TC)
TSM070NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm070na04lcr rlg -
RFQ
 ECAD 8379 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM070 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 91a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 14a, 10v 2,5V a 250µA 23,5 NC a 10 V ± 20V 1469 pf @ 20 V - 113W (TC)
TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CS RLG 2.0300
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM085 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 34a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13a, 10V 2,5V a 250µA 56 nc @ 10 V ± 20V 3216 pf @ 15 V - 14W (TC)
TSM085P03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV RGG 2.0100
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM085 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 64a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2,5V a 250µA 55 nc @ 10 V ± 20V 3234 pf @ 15 V - 50W (TC)
TSM088NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm088na03cr rlg -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM088 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 61a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 13a, 10V 2,5V a 250µA 12,6 nc @ 10 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 56W (TC)
TSM090N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM090N03CP ROG 1.5900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM090 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 45 nc @ 4,5 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 40W (TC)
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
RFQ
 ECAD 9015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 10a (TC) 10V 750mohm @ 2.5a, 10V 4.5V a 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1652 pf @ 50 V - 45W (TC)
TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF C0G 3.3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 10a (TC) 10V 900MOHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1650 PF @ 50 V - 45W (TC)
TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm120n06lcr rlg 1.5122
RFQ
 ECAD 4314 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 54a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 36,5 nc @ 10 V ± 20V 2116 pf @ 30 V - 69W (TC)
TSM120N10PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG -
RFQ
 ECAD 6381 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 58a (TC) 10V 12mohm @ 30a, 10V 4V A 250µA 145 NC @ 10 V ± 20V 3902 pf @ 30 V - 36W (TC)
TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM126CX RFG 0,2730
RFQ
 ECAD 6058 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM126 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 v 30MA (TC) 0V, 10V 800OHM @ 16MA, 10V 1V @ 8µA 1,18 nc @ 4,5 V ± 20V 51,42 pf @ 25 V Modo de Esgotamento 500mW (TA)
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 RGG 1.6100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM150 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 36a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 29,3 nc @ 10 V ± 20V 1829 pf @ 15 V - 27.8W (TC)
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