SIC
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Transistores (888)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
TSM4459CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4459CS RLG -
RFQ
 ECAD 9718 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 17a (TA) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 9a, 10V 3V A 250µA 78,4 NC a 4,5 V ± 20V 6205 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
TSM13ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM13ND50CI 4.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM13 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 13a (TC) 10V 480mohm @ 3.3a, 10V 3,8V a 250µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1877 PF @ 50 V - 57W (TC)
TSM061NA03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG -
RFQ
 ECAD 7974 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM061 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 66a (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 1136 pf @ 15 V - 44.6W (TC)
TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6963SDCA RVG 1.9300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) TSM6963 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.14W 8-TSSOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 4.5a (TC) 30mohm @ 4.5a, 4.5V 1V a 250µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 10V -
TSC873CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CT B0G -
RFQ
 ECAD 5899 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSC873CTB0G Ear99 8541.29.0095 2.000 400 v 1 a 1Ma Npn 1v a 250mA, 1a 80 @ 250mA, 10V -
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 RFG 0,8800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 TSM240 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-26 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 6.5a (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 4,1 nc @ 4,5 V ± 20V 345 pf @ 25 V - 1.56W (TC)
TSM3N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CZ C0G -
RFQ
 ECAD 8691 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM3N90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 900 v 2.5a (TC) 10V 5.1ohm @ 1.25a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 pf @ 25 V - 94W (TC)
TSM8588CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8588CS RLG 1.6200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM8588 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.4W (TA), 5.7W (TC) 8-SOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N e P-Canal complementar 60V 2.5a (ta), 5a (tc), 2a (ta), 4a (tc) 103mohm @ 2.5a, 10v, 180mohm @ 2a, 10V 2,5V a 250µA 9.4NC @ 10V, 9NC @ 10V 527pf @ 30V, 436pf @ 30V -
TSM045NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm045nb06cr rlg 3.8400
RFQ
 ECAD 2686 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5.2x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSM045NB06CRRLGTR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 16a (ta), 104a (tc) 10V 5mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 104 NC @ 10 V ± 20V 6870 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 136W (TC)
TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2323CX RFG 0,5200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.7a (ta) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5V 1V a 250µA 12,5 nc a 4,5 V ± 8V 1020 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
BC337-25 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1 -
RFQ
 ECAD 9978 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW Parágrafo 92 - Alcançar Não Afetado 1801-BC337-25B1 Obsoleto 1 45 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM260P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX RFG 1.1500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 6.5a (TC) 1.8V, 2,5V, 4,5V 26mohm @ 5a, 4.5V 1V a 250µA 19,5 NC @ 4,5 V ± 10V 1670 pf @ 15 V Padrão 1.56W (TC)
BC817-25W Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25W 0,0350
RFQ
 ECAD 2047 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC817-25WTR Ear99 8541.21.0075 6.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM250 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 60V 7a (ta), 30a (tc) 25mohm @ 7a, 10V 4V A 250µA 22NC @ 10V 1461pf @ 30V -
TSM2N7002KCU Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCU 0,3700
RFQ
 ECAD 2256 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TSM2N7002KCUTR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 240mA (TA) 4.5V, 10V 2.5OHM @ 240MA, 10V 2,5V a 250µA 0,91 nc @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 30 V - 298MW (TA)
BC546A B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1 -
RFQ
 ECAD 2238 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC546AB1 Obsoleto 1 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
TSM056NH04CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CV RGG 2.9000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfect ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TSM056NH04CVRGGTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 16a (ta), 54a (tc) 7V, 10V 5.6mohm @ 27a, 10V 3,6V a 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1828 pf @ 25 V - 34W (TC)
TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm300nb06ldcr rlg 2.2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFNU (5x6) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 60V 5a (ta), 24a (tc) 30mohm @ 5a, 10V 2,5V a 250µA 17NC @ 10V 966pf @ 30V Portão de Nível Lógico
TSM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04LCR RLG 5.0500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfect ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TSM025NH04LCRRLGTR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 26a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 2.2V A 250µA 63,3 nc @ 10 V ± 16V 4179 pf @ 25 V - 136W (TC)
TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8568CS RLG 2.5000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM8568 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6w 8-SOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N E P-Canal 30V 15a (TC), 13A (TC) 16mohm @ 8a, 10V, 24mohm @ 7a, 10V 2,5V a 250µA 7NC @ 4.5V, 11NC @ 4.5V 646pf @ 15V, 1089pf @ 15V -
BC548A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548A A1 -
RFQ
 ECAD 3861 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC548AA1TB Obsoleto 1 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
KTC3198-GR-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-G-M0 A2G -
RFQ
 ECAD 1916 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-KTC3198-G-M0A2GTB Obsoleto 1 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 200 @ 150mA, 6V 80MHz
TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG 1.3200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 5a (ta) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 7 nc @ 5 V ± 20V 555 pf @ 15 V - 3W (TA)
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 240mW (TA) SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 60V 220mA (TA) 2.5OHM @ 220MA, 10V 2,5V a 250µA 0,91NC @ 4.5V 30pf @ 30V Portão de Nível Lógico
BC848BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 4368 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
TSM60N380CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CZ C0G 2.2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 20,5 nc @ 10 V ± 30V 1040 pf @ 100 V - 125W (TC)
TSM70N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CH C5G 1.9051
RFQ
 ECAD 4344 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 700 v 4.5a (TC) 10V 900MOHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 9,7 nc @ 10 V ± 30V 482 pf @ 100 V - 50W (TC)
TSM8N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N80CI C0G 2.6700
RFQ
 ECAD 995 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM8N80 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 800 v 8a (TC) 10V 1.05OHM @ 4A, 10V 4V A 250µA 41 nc @ 10 V ± 30V 1921 pf @ 25 V - 40.3W (TC)
TSM7NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC60CF C0G 1.5053
RFQ
 ECAD 4283 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM7 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 1.2OHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1169 pf @ 50 V - 44.6W (TC)
TSM4N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N90CI C0G -
RFQ
 ECAD 6687 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM4N90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 900 v 4a (TC) 10V 4ohm @ 2a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 30V 955 pf @ 25 V - 38.7W (TC)
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