SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
TSC966CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC966CT B0G -
RFQ
ECAD 9524 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 400 v 300 mA 1µA Npn 1V @ 5MA, 50MA 100 @ 1MA, 5V 50MHz
TSM650P03CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX 0,2806
RFQ
ECAD 2315 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM650 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM650P03CXTR Ear99 8541.29.0095 12.000 Canal P. 30 v 4.1a (TC) 2.5V, 10V 65mohm @ 4a, 10V 900MV A 250µA 8 nc @ 4,5 V ± 12V 810 pf @ 15 V - 1.56W (TC)
BC807-16W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16W RFG 0,0466
RFQ
ECAD 5484 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 80MHz
KTC3198-BL-M0 B2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-M0 B2G -
RFQ
ECAD 7384 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-KTC3198-BL-M0B2G Obsoleto 1 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 3000 @ 150mA, 6V 80MHz
TSM7N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N90CI C0G 2.7200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM7N90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 900 v 7a (TC) 10V 1.9OHM @ 3.5A, 10V 4V A 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1969 pf @ 25 V - 40.3W (TC)
BC548B B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548B B1 -
RFQ
ECAD 9470 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC548BB1 Obsoleto 1 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 200 @ 2MA, 5V -
BC548A Taiwan Semiconductor Corporation BC548A 0,0604
RFQ
ECAD 4560 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC548ATB Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
TQM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM043NH04LCR RLG 3.5800
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TQM043 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 20a (ta), 54a (tc) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 27a, 10V 2.2V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 16V 2480 pf @ 25 V - 100w (TC)
TSM2N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECP ROG -
RFQ
ECAD 8884 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 2a (TC) 10V 4ohm @ 1a, 10V 5V A 250µA 9,5 nc @ 10 V ± 30V 362 pf @ 25 V - 52.1W (TC)
TSM7NC60CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC60CF 1.5053
RFQ
ECAD 5551 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM7 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM7NC60CF Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 1.2OHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1169 pf @ 50 V - 44.6W (TC)
TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N110CE RVG 15.8300
RFQ
ECAD 9450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Tape & Reel (TR) Ativo TSG65 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 3.000
BC849CW Taiwan Semiconductor Corporation BC849CW 0,0357
RFQ
ECAD 3155 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC849 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC849CWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS RLG 2.5200
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 23a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 2193 pf @ 30 V - 12.5W (TC)
TQM025NH04CR-V RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04CR-V RLG 3.3144
RFQ
ECAD 5106 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (4.9x5.75) - 1 (ilimito) 2.500 N-canal 40 v 26a (ta), 100a (tc) 7V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 3,6V a 250µA 89 NC @ 10 V ± 20V 5691 pf @ 25 V - 136W (TC)
TSB772CK B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSB772CK B0G 0,1375
RFQ
ECAD 5616 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 TSB772 10 w TO-126 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 500 30 v 3 a 1µA Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 100 @ 1A, 2V 80MHz
TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG 1.8300
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM042 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 30a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 12a, 10V 2,5V a 250µA 24 NC a 4,5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 7W (TC)
TSM4925DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4925DCS 1.1704
RFQ
ECAD 5194 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM4925 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA) 8-SOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM4925DCSTR Ear99 8541.29.0095 5.000 2 Canal P. 30V 7.1a (ta) 25mohm @ 7.1a, 10V 3V A 250µA 70NC @ 10V 1900pf @ 15V Padrão
TSM60NC1R5CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC1R5CP ROG 2.9400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 3a (TC) 10V 1.5OHM @ 1A, 10V 5.5V @ 1Ma 8.1 NC @ 10 V ± 20V 242 pf @ 25 V - 55W (TC)
TSM6N60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N60CP ROG -
RFQ
ECAD 1065 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 6a (TC) 10V 1.25OHM @ 3A, 10V 4V A 250µA 20,7 nc @ 10 V ± 30V 1248 pf @ 25 V - 89W (TC)
TSC873CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CT A3G -
RFQ
ECAD 2910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSC873CTA3G Ear99 8541.29.0095 2.000 400 v 1 a 1Ma Npn 1v a 250mA, 1a 80 @ 250mA, 10V -
TSM80N1R2CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CH 2.5940
RFQ
ECAD 5779 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM80 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM80N1R2CH Ear99 8541.29.0095 15.000 N-canal 800 v 5.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.75A, 10V 4V A 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 685 pf @ 100 V - 110W (TC)
KTC3198-O A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O A1G -
RFQ
ECAD 7951 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads KTC3198 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
TSC966CW Taiwan Semiconductor Corporation TSC966CW 0,2336
RFQ
ECAD 6690 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSC966 1 w SOT-223 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSC966CWTR Ear99 8541.29.0075 5.000 400 v 300 mA 1µA Npn 500mv @ 5Ma, 50Ma 100 @ 1MA, 5V 50MHz
TSM1N80CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N80CW RPG -
RFQ
ECAD 8672 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSM1N80 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 v 300mA (TA) 10V 21.6ohm @ 150mA, 10V 5V A 250µA 6 nc @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 2.1W (TC)
TSM3446CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3446CX6 RFG 0,8700
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 TSM3446 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-26 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 5.3a (TC) 2.5V, 4.5V 33mohm @ 5.3a, 4.5V 1V a 250µA 8,8 nc @ 4,5 V ± 12V 700 pf @ 10 V - 2W (TA)
TSM2N7002AKCU RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCU RFG 0,3700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita de Corte (CT) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 240mA (TA) 4.5V, 10V 2.5OHM @ 240MA, 10V 2,5V a 250µA 0,68 nc @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 30 V - 298MW (TA)
TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX RFG 0,7900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM850 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 3a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 2.3a, 10V 2,5V a 250µA 9,5 nc @ 10 V ± 20V 529 pf @ 30 V - 1.7W (TC)
TSM070NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CR RLG 2.4300
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfect ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 15a (ta), 54a (tc) 7V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 3,6V a 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1337 pf @ 25 V - 46.8W (TC)
TSM850N06CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX 0,2725
RFQ
ECAD 4709 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM850 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM850N06CXTR Ear99 8541.29.0095 12.000 N-canal 60 v 2.3a (ta), 3a (tc) 4.5V, 10V 85mohm @ 2.3a, 10V 2,5V a 250µA 9,5 nc @ 10 V ± 20V 529 pf @ 30 V - 1W (TA), 1,7W (TC)
TSM900N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH X0G 1.7200
RFQ
ECAD 52 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak TSM900 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 60 v 11a (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque