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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC817-25 RFG | 0,0346 |  | 8588 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSM4946DCS | 0,7284 | | 4904 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM4946 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.4W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM4946DCSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-canal | 60V | 4.5a (ta) | 55mohm @ 4.5a, 10V | 3V A 250µA | 30NC @ 10V | 910pf @ 24V | Padrão | |||||||||||||
 | TSC5303DCP ROG | - | | 9095 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSC5303 | 30 w | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 v | 3 a | 10µA | Npn | 700mv @ 100mA, 400mA | 15 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||
 | TSM60N380CH C5G | 0,9084 | | 5178 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 20,5 nc @ 10 V | ± 30V | 1040 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
| TSM2NB60CP | 0,8736 | | 8869 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM2NB60CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1A, 10V | 4.5V a 250µA | 9,4 NC a 10 V | ± 30V | 249 pf @ 25 V | - | 44W (TC) | |||||||||||
| BC856B RFG | 0,0343 | | 3590 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM043NB04LCZ C0G | 3.5400 | | 4237 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM043 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM043NB04LCZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 40 v | 16a (ta), 124a (tc) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 76 nc @ 10 V | ± 20V | 4387 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 125W (TC) | ||||||||||
| TSM1NB60CH C5G | 0,7448 | | 1518 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM1NB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500mA, 10V | 4.5V a 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||
 | TSM340N06CZ C0G | - | | 1736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSM340N06CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 16,6 nc @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 66W (TC) | |||||||||||
| TSM70N1R4CH C5G | 0,4482 | | 8249 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 v | 3.3a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 7,7 nc @ 10 V | ± 30V | 370 pf @ 100 V | - | 38W (TC) | |||||||||||
 | TSM150P04LCS RLG | 2.6700 | | 25 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 9a, 10V | 2,5V a 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 2783 pf @ 20 V | - | 12.5W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB190CF | 3.9416 | | 7009 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB190CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 18a (TC) | 10V | 190mohm @ 3.7a, 10V | 4V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1311 pf @ 100 V | - | 59.5W (TC) | |||||||||||
| TSM210N02CX | 0,2725 | | 9842 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM210N02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 20 v | 6.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 4a, 4.5V | 0,8V A 250µA | 5,8 nc @ 4,5 V | ± 10V | 600 pf @ 10 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
| Tsm4936dcs rlg | 1.7100 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM4936 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3w | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5.9a (ta) | 36mohm @ 5.9a, 10V | 3V A 250µA | 13NC @ 10V | 610pf @ 15V | - | |||||||||||||
 | Tsm120na03cr rlg | - | | 7835 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 39a (TC) | 4.5V, 10V | 11.7mohm @ 11a, 10v | 2,5V a 250µA | 9,2 nc @ 10 V | ± 20V | 562 pf @ 15 V | - | 33W (TC) | |||||||||||
 | TSA894CT A3G | - | | 2204 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 1 w | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 500 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 10ma, 50mA | 150 @ 1MA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||
| Tsm280nb06lcr rlg | 1.4800 | | 7 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | TSM280 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5.2x5.75) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 7a (ta), 28a (tc) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 7a, 10V | 2,5V a 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 969 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 56W (TC) | |||||||||||
| BC857B RFG | 0,0343 | | 8797 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM60NB900CP ROG | 2.9000 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 900mohm @ 1.2a, 10V | 4V A 250µA | 9,6 nc @ 10 V | ± 30V | 315 pf @ 100 V | - | 36.8W (TC) | |||||||||||
 | BC547B B1 | - | | 9224 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC547BB1 | Obsoleto | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 200 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| Tsm160n10lcr rlg | 3.8300 | | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM160 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 4431 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
| BC846A RFG | 0,0343 | | 5008 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5Ma, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| BC337-16-B0 B1G | - | | 9953 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC337-16-B0B1G | Obsoleto | 1 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | TSM110NB04DCR RLG | 2.6000 | | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 10a (ta), 48a (tc) | 11mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 25NC @ 10V | 1506pf @ 20V | - | |||||||||||||
| BC548C A1G | - | | 9171 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC548 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
| TSM480P06CZ C0G | - | | 4064 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSM480P06CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 60 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10V | 2.2V A 250µA | 22,4 NC a 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 30 V | - | 66W (TC) | |||||||||||
| TSM2NB65CP ROG | - | | 7824 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 v | 2a (TC) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 4V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||
 | TSC966CT B0G | - | | 9524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 1 w | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 v | 300 mA | 1µA | Npn | 1V @ 5MA, 50MA | 100 @ 1MA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||
 | BC807-16W RFG | 0,0466 | | 5484 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||
| KTC3198-BL-M0 B2G | - | | 7384 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-KTC3198-BL-M0B2G | Obsoleto | 1 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Npn | 250mv @ 10ma, 100mA | 3000 @ 150mA, 6V | 80MHz |
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