SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição
TSM10N60CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N60CI C0 -
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ECAD 3796 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado MOSFET (óxido metálico) ITO-220 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado TSM10N60CIC0 EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 600V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4 V a 250 µA 45,8 nC @ 10 V ±30V 1738 pF a 25 V - 50W (Tc)
TSM4N60ECH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECH C5G -
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ECAD 1356 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA TSM4N60 MOSFET (óxido metálico) TO-251 (IPAK) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.750 Canal N 600V 4A (Tc) 10V 2,5Ohm @ 2A, 10V 5 V a 250 µA 12 nC @ 10 V ±30V 545 pF a 25 V - 86,2W (Tc)
BC807-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 0,0333
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ECAD 3913 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 mW SOT-23 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-BC807-16TR EAR99 8541.21.0075 6.000 45V 500 mA 100nA (ICBO) PNP 700mV a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
TSM5NC50CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CP 0,9828
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ECAD 3969 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TSM5 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM5NC50CPTR EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 500 V 5A (Tc) 10V 1,38 Ohm @ 2,4 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 15 nC @ 10 V ±30V 586 pF a 50 V - 83W (Tc)
BC847AW Taiwan Semiconductor Corporation BC847AW 0,0357
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ECAD 1971 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 BC847 200 mW SOT-323 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-BC847AWTR EAR99 8541.21.0075 18.000 45V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX RFG 0,9000
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ECAD 76 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM240 MOSFET (óxido metálico) SOT-23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 6,5A (Tc) 4,5V, 10V 24mOhm @ 6A, 10V 2,5 V a 250 µA 4,1 nC a 4,5 V ±20V 345 pF a 25 V - 1,56W (Tc)
BC807-40W Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40W 0,0453
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ECAD 9268 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 BC807 200 mW SOT-323 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-BC807-40WTR EAR99 8541.21.0095 6.000 45V 500 mA 100µA (ICBO) PNP 700mV a 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 80MHz
TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM130NB06CR RLG 2.9100
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ECAD 3 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície, flanco molhável 8-PowerTDFN TQM130 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFNU (5x6) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 60 V 10A (Ta), 50A (Tc) 7V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 3,8 V a 250 µA 40 nC @ 10 V ±20V 2234 pF a 30 V - 3,1 W (Ta), 83 W (Tc)
TSM250NB06LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LCV 0,6661
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ECAD 7458 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerWDFN TSM250 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (3,15x3,1) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM250NB06LCVTR EAR99 8541.29.0095 10.000 Canal N 60 V 6A (Ta), 27A (Tc) 4,5V, 10V 25mOhm @ 6A, 10V 2,5 V a 250 µA 23 nC @ 10 V ±20V 1307 pF a 30 V - 1,9W (Ta), 42W (Tc)
TSM60NC1R5CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC1R5CH C5G 2.9400
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ECAD 14 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA TSM60 MOSFET (óxido metálico) TO-251 (IPAK) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 600V 3A (Tc) 10V 1,5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 1mA 7,6 nC a 10 V ±20V 242 pF a 25 V - 39W (Tc)
TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR RLG 1.4800
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ECAD 5 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerLDFN TSM150 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (5,2x5,75) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 40 V 10A (Ta), 41A (Tc) 10V 15mOhm @ 10A, 10V 4 V a 250 µA 19 nC @ 10 V ±20V 1092 pF a 20 V - 3,1 W (Ta), 56 W (Tc)
TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX RFG 0,7900
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ECAD 5 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM850 MOSFET (óxido metálico) SOT-23 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 60 V 3A (Tc) 4,5V, 10V 85mOhm @ 2,3A, 10V 2,5 V a 250 µA 9,5 nC a 10 V ±20V 529 pF a 30 V - 1,7W (Tc)
TSM130NB06LCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR -
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ECAD 9671 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM130 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 60 V 10A (Ta), 51A (Tc) 4,5V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 2,5 V a 250 µA 37 nC @ 10 V ±20V 2175 pF a 30 V - 3,1 W (Ta), 83 W (Tc)
TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LDCRRLG 1.0500
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ECAD 5 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM110 MOSFET (óxido metálico) 2W (Ta), 48W (Tc) 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canais N (duplo) 40V 10A (Ta), 48A (Tc) 11mOhm @ 10A, 10V 2,5 V a 250 µA 23nC @ 10V 1269pF a 20V -
TSM4ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI 2.6800
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ECAD 3 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado TSM4 MOSFET (óxido metálico) ITO-220 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 650 V 4A (Tc) 10V 2,6 Ohm @ 1,2 A, 10 V 3,8 V a 250 µA 16,8 nC a 10 V ±30V 596 pF a 50 V - 41,6W (Tc)
TQM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM043NH04LCRRLG 3.5800
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ECAD 5 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan Automotivo, AEC-Q101, PerFET™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TQM043 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (5x6) download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 40 V 20A (Ta), 54A (Tc) 4,5V, 10V 4,3mOhm a 27A, 10V 2,2 V a 250 µA 42 nC @ 10 V ±16V 2.480 pF a 25 V - 100W (Tc)
TSM05N03CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW 0,5075
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ECAD 2585 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (óxido metálico) SOT-223 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM05N03CWTR EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 5A (Ta) 4,5V, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 3 V a 250 µA 7 nC @ 5 V ±20V 555 pF a 15 V - 3W (Ta)
BC338-16 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 A1 -
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ECAD 6366 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Caixa (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados 625 mW TO-92 download REACH não afetado 1801-BC338-16A1TB OBSOLETO 1 25 V 800 mA 100nA (ICBO) NPN 700mV a 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CRRLG 2.9400
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ECAD 3 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM033 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 40 V 21A (Ta), 121A (Tc) 10V 3,3mOhm a 21A, 10V 4 V a 250 µA 77 nC @ 10 V ±20V 5022 pF a 20 V - 3,1 W (Ta), 107 W (Tc)
TSM60N380CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CI C0G 1.1018
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ECAD 2621 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Não para novos designs -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado TSM60 MOSFET (óxido metálico) ITO-220AB download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 600V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5,5A, 10V 4 V a 250 µA 20,5 nC a 10 V ±30V 1040 pF a 100 V - 125W (Tc)
BC546B A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546B A1 -
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ECAD 7652 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Caixa (TB) Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados 500 mW TO-92 download REACH não afetado 1801-BC546BA1TB OBSOLETO 4.000 65 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
TSM052NB03CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM052NB03CR 0,7393
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ECAD 6740 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN TSM052 MOSFET (óxido metálico) 8-PDFN (5x6) download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM052NB03CRTR EAR99 8541.29.0095 5.000 Canal N 30 V 17A (Ta), 90A (Tc) 4,5V, 10V 5,2mOhm a 17A, 10V 2,5 V a 250 µA 41 nC @ 10 V ±20V 2294 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 83 W (Tc)
BC546A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A A1 -
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ECAD 7405 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Caixa (TB) Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados 500 mW TO-92 download REACH não afetado 1801-BC546AA1TB OBSOLETO 1 65 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
TSM2N7002AKCU RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCU RFG 0,3700
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ECAD 5 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita Cortada (CT) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (óxido metálico) SOT-323 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal N 60 V 240mA (Ta) 4,5V, 10V 2,5Ohm a 240mA, 10V 2,5 V a 250 µA 0,68 nC a 4,5 V ±20V 30 pF a 30 V - 298 mW (Ta)
TSM900N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH X0G 1.7200
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ECAD 52 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Tubo Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Terminais TO-251-3, IPak TSM900 MOSFET (óxido metálico) TO-251 (IPAK) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 60 V 11A (Tc) 4,5V, 10V 90mOhm @ 6A, 10V 2,5 V a 250 µA 9,3 nC a 10 V ±20V 500 pF a 15 V - 25W (Tc)
TSM4NC50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NC50CP ROG 1.8600
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ECAD 4 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Não para novos designs -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 TSM4 MOSFET (óxido metálico) TO-252, (D-Pak) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal N 500 V 4A (Tc) 10V 2,7Ohm @ 1,7A, 10V 3 V a 250 µA 12 nC @ 10 V ±20V 453 pF a 50 V - 83W (Tc)
TSM240N03CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 0,3425
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ECAD 2360 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 TSM240 MOSFET (óxido metálico) SOT-26 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-TSM240N03CX6TR EAR99 8541.29.0095 12.000 Canal N 30 V 6,5A (Tc) 4,5V, 10V 24mOhm @ 6A, 10V 2,5 V a 250 µA 4,1 nC a 4,5 V ±20V 345 pF a 25 V - 1,56W (Tc)
BC848AW Taiwan Semiconductor Corporation BC848AW 0,0357
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ECAD 4512 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-70, SOT-323 BC848 200 mW SOT-323 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-BC848AWTR EAR99 8541.21.0075 18.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 100MHz
KTC3198-Y A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y A1G -
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ECAD 7037 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Caixa (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados KTC3198 500 mW TO-92 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 150 mA 100nA (ICBO) NPN 250mV a 10mA, 100mA 70 @ 2mA, 6V 80MHz
MMBT3906L Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L 0,0247
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ECAD 5617 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906L 350 mW SOT-23 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 1801-MMBT3906LTR EAR99 8541.21.0075 9.000 40 V 200 mA 100nA (ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque