SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
TSM500N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500N03CP ROG -
RFQ
ECAD 9860 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 12.5a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 8a, 10V 3V A 250µA 7 nc @ 4,5 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 12.5W (TC)
TSM60N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CP ROG 0,4523
RFQ
ECAD 4261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 3.3a (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 7,7 nc @ 10 V ± 30V 370 pf @ 100 V - 38W (TC)
TSM60NB190CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CZ C0G 7.4900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 18a (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 pf @ 100 V - 33.8W (TC)
TSM680P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CP ROG 1.6100
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM680 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 60 v 18a (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.2V A 250µA 16,4 nc @ 10 V ± 20V 870 pf @ 30 V - 20W (TC)
TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM130NB06CR RLG 2.9100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn TQM130 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (5x6) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 10a (ta), 50a (tc) 7V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3,8V a 250µA 40 nc @ 10 V ± 20V 2234 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM300NB06DCR RLG 3.1000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn TQM300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W (TA), 48W (TC) 8-PDFNU (5x6) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 60V 6a (ta), 25a (tc) 30mohm @ 6a, 10V 3,8V a 250µA 20NC @ 10V 1020pf @ 30V -
BSS84W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS84W RFG 0,4700
RFQ
ECAD 23 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 60 v 140mA (TA) 4.5V, 10V 8ohm a 140mA, 10V 2V A 250µA 1,9 nc @ 10 V ± 20V 37 pf @ 30 V - 298MW (TA)
TSM2538CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2538CQ RFG 1.4300
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VDFN PAD EXPOSTO TSM2538 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.89W (TA), 5W (TC) 6-DFN (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N E P-Canal 20V 5.5a (ta), 10a (tc), 4.4a (ta), 8a (tc) 40mohm @ 5.5a, 4.5V, 70mohm @ 4.4a, 4.5V 800mV A 250µA 7.5NC @ 4.5V, 9.4nc @ 4.5V 534pf @ 10V, 909pf @ 10V -
TSM4NC50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NC50CP ROG 1.8600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM4 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 4a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.7a, 10V 3V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 453 pf @ 50 V - 83W (TC)
TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP ROG 2.0400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM040 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10V 2,5V a 250µA 53 NC a 4,5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 88W (TC)
TSM70N600CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CP 2.5896
RFQ
ECAD 4568 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM70N600CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 700 v 8a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 4V A 250µA 12,6 nc @ 10 V ± 30V 743 pf @ 100 V - 83W (TC)
TSM80N950CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CH 2.7212
RFQ
ECAD 7328 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM80 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM80N950CH Ear99 8541.29.0095 15.000 N-canal 800 v 6a (TC) 10V 950mohm @ 3a, 10V 4V A 250µA 19,6 nc @ 10 V ± 30V 691 pf @ 100 V - 110W (TC)
TSM060N03ECP Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP 0,7524
RFQ
ECAD 6182 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM060 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM060N03ECPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 11,1 nc @ 4,5 V ± 20V 1210 pf @ 25 V - 54W (TC)
TSM060NB06LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06LCZ 2.0942
RFQ
ECAD 6654 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM060 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM060NB06LCZ Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 13a (ta), 111a (tc) 4.5V, 10V 6mohm @ 13a, 10V 2,5V a 250µA 107 NC @ 10 V ± 20V 6273 pf @ 30 V - 2W (TA), 156W (TC)
TSM170N06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CP 0,9529
RFQ
ECAD 6628 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM170 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM170N06CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 38a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 15 NC a 4,5 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 46W (TC)
TSM6502CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR 1.0450
RFQ
ECAD 8870 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM6502 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 40W 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM6502CRTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N E P-Canal 60V 24a (TC), 18a (TC) 34mohm @ 5.4a, 10v, 68mohm @ 4a, 10v 2,5V a 250µA 10.3nc @ 4.5V, 9.5nc @ 4.5V 1159pf @ 30V, 930pf @ 30V -
TSM70N900CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CH 1.9051
RFQ
ECAD 2924 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM70N900CH Ear99 8541.29.0095 15.000 N-canal 700 v 4.5a (TC) 10V 900MOHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 9,7 nc @ 10 V ± 30V 482 pf @ 100 V - 50W (TC)
TSM5ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM5nd50CI 1.2259
RFQ
ECAD 6096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM5nd50CI Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 500 v 5a (TC) 1.5OHM @ 1.6a, 10V 3,8V a 250µA 16 nc @ 10 V ± 30V 603 pf @ 50 V - 42W (TC)
TSM080N03EPQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03EPQ56 0,6619
RFQ
ECAD 2304 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM080 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x5.8) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM080N03EPQ56TR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 55a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 7,5 nc @ 4,5 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 54W (TC)
TSM60NB600CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CH 1.6040
RFQ
ECAD 4135 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM60NB600CH Ear99 8541.29.0095 15.000 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 4V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 516 PF @ 100 V - 63W (TC)
TSM05N03CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW 0,5075
RFQ
ECAD 2585 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM05N03CWTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 5a (ta) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 7 nc @ 5 V ± 20V 555 pf @ 15 V - 3W (TA)
TSM340N06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CP 0,6681
RFQ
ECAD 3332 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM340 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM340N06CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 30a (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 15a, 10V 2,5V a 250µA 16,6 nc @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 30 V - 40W (TC)
BC847AW Taiwan Semiconductor Corporation BC847AW 0,0357
RFQ
ECAD 1971 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC847AWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC848BW Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW 0,0361
RFQ
ECAD 5870 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC848BWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
TQM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM032NH04LCR RLG 4.0200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TQM032 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 23A (TA), 81A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 40a, 10V 2.2V A 250µA 75 NC @ 10 V ± 16V - 115W (TC)
TSM250NB06LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LCV 0,6661
RFQ
ECAD 7458 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM250 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3.15x3.1) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM250NB06LCVTR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-canal 60 v 6a (ta), 27a (tc) 4.5V, 10V 25mohm @ 6a, 10V 2,5V a 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1307 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 42W (TC)
TSM10NC65CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF 1.6128
RFQ
ECAD 2880 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM10NC65CF Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 650 v 10a (TC) 10V 900MOHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1650 PF @ 50 V - 45W (TC)
TSM160N10LCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10LCR 1.8515
RFQ
ECAD 7173 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM160 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM160N10LCRTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 8a (ta), 46a (tc) 4.5V, 10V 16mohm @ 8a, 10V 2,5V a 250µA 73 NC @ 10 V ± 20V 4431 pf @ 50 V - 2.6W (TA), 83W (TC)
TSM10ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation Tsm10nd65ci 2.2540
RFQ
ECAD 2350 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM10nd65Ci Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 650 v 10a (TC) 10V 800MOHM @ 3A, 10V 3,8V a 250µA 39,6 nc @ 10 V ± 30V 1863 pf @ 50 V - 56,8W (TC)
TSM60NB190CM2 Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 4.3298
RFQ
ECAD 4719 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263 (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM60NB190CM2TR Ear99 8541.29.0095 2.400 N-canal 600 v 18a (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 pf @ 100 V - 150.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque