SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
TSM3457CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3457CX6 RFG 0,9900
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 TSM3457 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-26 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 5a (ta) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 551,57 pf @ 15 V - 2W (TA)
TS13005CK C0G Taiwan Semiconductor Corporation TS13005CK C0G 0,5700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 TS13005 TO-126 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400 v 3 a 10µA Npn 1V @ 200Ma, 1A 24 @ 425mA, 2V -
BC850AW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850AW RFG 0,0368
RFQ
ECAD 2689 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100MHz
TSA1765CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSA1765CW RPG -
RFQ
ECAD 1290 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSA1765 2 w SOT-223 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 2.500 560 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 10ma, 50mA 150 @ 1MA, 10V 50MHz
BC807-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40W RFG 0,0466
RFQ
ECAD 5267 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 80MHz
BC546C A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546C A1G -
RFQ
ECAD 5925 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC546 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 420 @ 2MA, 5V -
BC848A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848A RFG 0,0343
RFQ
ECAD 8465 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847BW RFG 0,0368
RFQ
ECAD 4018 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BC548C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548C B1G -
RFQ
ECAD 5507 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 5.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 420 @ 2MA, 5V -
TSC5802DCHC5G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5802DCHC5G -
RFQ
ECAD 1117 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSC5802 30 w TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 450 v 2.5 a 250µA Npn 3V @ 600MA, 2A 50 @ 100mA, 5V -
TQM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04CR RLG 6.3900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (4.9x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 5.000 N-canal 40 v 26a (ta), 100a (tc) 7V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 3,6V a 250µA 89 NC @ 10 V ± 20V 5691 pf @ 25 V - 136W (TC)
TSA894CT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT A3 -
RFQ
ECAD 9523 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSA894CTA3 Ear99 8541.29.0075 2.000 500 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 10ma, 50mA 150 @ 1MA, 10V 50MHz
BC547B A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547B A1G -
RFQ
ECAD 3049 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC547 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 200 @ 2MA, 5V -
BC847CW Taiwan Semiconductor Corporation BC847CW 0,0357
RFQ
ECAD 7744 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC847CWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
TSM6968SDCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968SDCA 0,6916
RFQ
ECAD 8072 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) TSM6968 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.04W (TA) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM6968SDCATR Ear99 8541.29.0095 12.000 2 n-canal 20V 6.5a (ta) 22mohm @ 6.5a, 4.5V 1V a 250µA 20NC @ 4.5V 950pf @ 10V Padrão
BC550A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550A A1G -
RFQ
ECAD 1001 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC550 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
BC849BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC849BW RFG 0,0368
RFQ
ECAD 3390 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC849 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI C0G 4.2501
RFQ
ECAD 9034 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 13a (TC) 10V 260mohm @ 3.9a, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 30V 1273 pf @ 100 V - 32.1W (TC)
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR RLG 2.9400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM033 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 21a (ta), 121a (tc) 10V 3.3mohm @ 21a, 10V 4V A 250µA 77 nc @ 10 V ± 20V 5022 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 107W (TC)
TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG 2.0200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM130 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5.2x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 10a (ta), 51a (tc) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 2175 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04CR RLG 1.4800
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM150 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5.2x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 10a (ta), 41a (tc) 10V 15mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1092 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm280nb06lcr rlg 1.4800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM280 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5.2x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 7a (ta), 28a (tc) 4.5V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2,5V a 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
TSM4ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation Tsm4nd65ci 2.6800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM4 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 4a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.2a, 10V 3,8V a 250µA 16,8 nc @ 10 V ± 30V 596 pf @ 50 V - 41.6W (TC)
TSM130NB06LCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR -
RFQ
ECAD 9671 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM130 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 10a (ta), 51a (tc) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 2175 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSC5988CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5988CT A3G -
RFQ
ECAD 9354 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSC5988CTA3G Ear99 8541.29.0075 2.000 60 v 5 a 50na (ICBO) Npn 350mv @ 200Ma, 5a 120 @ 2A, 1V 130MHz
TSC873CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CT A3G -
RFQ
ECAD 2910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSC873CTA3G Ear99 8541.29.0095 2.000 400 v 1 a 1Ma Npn 1v a 250mA, 1a 80 @ 250mA, 10V -
TSM1NB60SCT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3 -
RFQ
ECAD 5578 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSM1NB60SCTA3 Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 600 v 500mA (TC) 10V 10ohm a 250mA, 10V 4.5V a 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
TSM10N60CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N60CI C0 -
RFQ
ECAD 3796 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSM10N60CIC0 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 10a (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4V A 250µA 45,8 nc @ 10 V ± 30V 1738 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM22P10CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM22P10CI C0G -
RFQ
ECAD 8891 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSM22P10CIC0G Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 22a (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 25V 2250 pf @ 30 V - 48W (TC)
TSM340N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CZ C0G -
RFQ
ECAD 1736 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSM340N06CZC0G Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 30a (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 15a, 10V 2,5V a 250µA 16,6 nc @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 30 V - 66W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque