SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
BC550C B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550C B1 -
RFQ
ECAD 1335 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC550CB1 Obsoleto 1 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 420 @ 2MA, 5V -
TSM2NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CH C5G -
RFQ
ECAD 4910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 2a (TC) 10V 4.4OHM @ 1A, 10V 4.5V a 250µA 9,4 NC a 10 V ± 30V 249 pf @ 25 V - 44W (TC)
TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4435BCS RLG -
RFQ
ECAD 7715 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 9.1a (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 9.1a, 10V 3V A 250µA 3,2 nc @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
TSM4NB65CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CI C0G 1.1907
RFQ
ECAD 6549 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM4NB65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 4a (TC) 10V 3.37ohm @ 2a, 10V 4.5V a 250µA 13,46 nc @ 10 V ± 30V 549 pf @ 25 V - 70W (TC)
TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06PQ56 RLG 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM230 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 44a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 20 V - 83W (TC)
BC848A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848A RFG 0,0343
RFQ
ECAD 8465 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100MHz
TSA1036CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSA1036CX RFG -
RFQ
ECAD 8685 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSA1036 225 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10na (ICBO) Pnp 400mv @ 15Ma, 150mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
TSC5802DCHC5G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5802DCHC5G -
RFQ
ECAD 1117 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSC5802 30 w TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 450 v 2.5 a 250µA Npn 3V @ 600MA, 2A 50 @ 100mA, 5V -
TSA894CT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT A3 -
RFQ
ECAD 9523 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado TSA894CTA3 Ear99 8541.29.0075 2.000 500 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 10ma, 50mA 150 @ 1MA, 10V 50MHz
MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L RFG 0,1700
RFQ
ECAD 83 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 MA 100na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
KTC3198-O-M0 B2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O-M0 B2G -
RFQ
ECAD 8074 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-KTC3198-O-M0B2G Obsoleto 1 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 70 @ 150mA, 6V 80MHz
BC850AW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850AW RFG 0,0368
RFQ
ECAD 2689 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100MHz
TSM5NC50CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CF 1.1466
RFQ
ECAD 3086 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM5NC50CF Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 500 v 5a (TC) 10V 1.38OHM @ 1.7A, 10V 4.5V a 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 40W (TC)
TSM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm130nb06cr rlg 2.0200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM130 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5.2x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 10a (ta), 51a (tc) 10V 13mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 2380 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
BC549B A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC549B A1 -
RFQ
ECAD 7605 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC549BA1TB Obsoleto 1 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 200 @ 2MA, 5V -
TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM056NH04LCR RLG 2.9700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TQM056 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 17a (ta), 54a (tc) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 27a, 10V 2.2V A 250µA 45,6 nc @ 10 V ± 16V - 78.9W (TC)
TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM150NB04CR RLG 2.2900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn TQM150 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 10a (ta), 41a (tc) 7V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 3,8V a 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1044 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
TSM070NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm070nb04lcr rlg 2.0200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM070 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 15a (ta), 75a (tc) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2,5V a 250µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2151 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM60NB900CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CH 1.2444
RFQ
ECAD 9004 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM60NB900CH Ear99 8541.29.0095 15.000 N-canal 600 v 4a (TC) 10V 900mohm @ 1.2a, 10V 4V A 250µA 9,6 nc @ 10 V ± 30V 315 pf @ 100 V - 36.8W (TC)
TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP ROG 2.0400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM040 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10V 2,5V a 250µA 53 NC a 4,5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 88W (TC)
TSM2538CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2538CQ RFG 1.4300
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VDFN PAD EXPOSTO TSM2538 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.89W (TA), 5W (TC) 6-DFN (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N E P-Canal 20V 5.5a (ta), 10a (tc), 4.4a (ta), 8a (tc) 40mohm @ 5.5a, 4.5V, 70mohm @ 4.4a, 4.5V 800mV A 250µA 7.5NC @ 4.5V, 9.4nc @ 4.5V 534pf @ 10V, 909pf @ 10V -
TSM4NC50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NC50CP ROG 1.8600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM4 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 4a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.7a, 10V 3V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 453 pf @ 50 V - 83W (TC)
TSM60N380CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CI C0G 1.1018
RFQ
ECAD 2621 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 20,5 nc @ 10 V ± 30V 1040 pf @ 100 V - 125W (TC)
TSM2301CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301CX RFG -
RFQ
ECAD 6462 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 2.8a (TC) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 2.8a, 4.5V 950MV A 250µA 4,5 nc @ 4,5 V ± 8V 447 PF @ 6 V - 900MW (TA)
BC546A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A A1 -
RFQ
ECAD 7405 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC546AA1TB Obsoleto 1 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
BC847B Taiwan Semiconductor Corporation BC847B 0,0334
RFQ
ECAD 1440 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC847BTR Ear99 8541.21.0075 9.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BC337-25 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 0,0441
RFQ
ECAD 3215 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC337-25TB Ear99 8541.21.0075 8.000 45 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100MHz
BC338-40-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 A1G -
RFQ
ECAD 2708 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW Parágrafo 92 download Alcançar Não Afetado 1801-BC338-40-B0A1GTB Obsoleto 1 25 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM060NB06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06CZ C0G 4.1700
RFQ
ECAD 5072 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM060 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TSM060NB06CZC0G Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 60 v 13a (ta), 111a (tc) 7V, 10V 6mohm @ 13a, 10V 4V A 250µA 103 NC @ 10 V ± 20V 6842 pf @ 30 V - 2W (TA), 156W (TC)
TSM070NH04CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CV RGG 2.2500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfect ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TSM070NH04CVRGGCT Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 14a (ta), 54a (tc) 7V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 3,6V a 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1233 pf @ 25 V - 36W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

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    Armazém em estoque