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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição
TSM4800N15CX6 RFG	1.1700	Solicitação de cotação	1	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SOT-23-6	TSM4800	MOSFET (óxido metálico)		SOT-26	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	150 V	1,4A (Tc)	6V, 10V	480mOhm @ 1,1A, 10V	3,5 V a 250 µA	8 nC @ 10 V	±20V	332 pF a 10 V	-	2,1 W (Tc)
BC847BW RFG	0,0368	Solicitação de cotação	4018	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	BC847		200 mW	SOT-323	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000													45V	100 mA	100nA (ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz
TSA884CX	0,1560	Solicitação de cotação	1439	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TSA884		300 mW	SOT-23	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-TSA884CXTR	EAR99	8541.21.0095	12.000													500 V	150 mA	100nA (ICBO)	PNP	500mV @ 10mA, 50mA	150 @ 1mA, 10V	50MHz
TSM60NB600CF C0G	3.8500	Solicitação de cotação	31	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	TSM60	MOSFET (óxido metálico)		ITO-220S	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	600V	8A (Tc)	10V	600mOhm @ 1,7A, 10V	4 V a 250 µA	16 nC @ 10 V	±30V	528 pF a 100 V	-	41,7W (Tc)
BC849BW	0,0357	Solicitação de cotação	3344	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	BC849		200 mW	SOT-323	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-BC849BWTR	EAR99	8541.21.0075	18.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz
BC337-16-B0 B1	-	Solicitação de cotação	5258	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 mW	TO-92	-			REACH não afetado	1801-BC337-16-B0B1	OBSOLETO		1													45V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100MHz
BC846CW	0,0357	Solicitação de cotação	6807	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323	BC846		200 mW	SOT-323	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-BC846CWTR	EAR99	8541.21.0075	18.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	100MHz
KTC3198-O-B0 B1G	-	Solicitação de cotação	2976	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500 mW	TO-92	download			REACH não afetado	1801-KTC3198-O-B0B1G	OBSOLETO		1													50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	70 @ 150mA, 6V	80MHz
TSM9435CSRLG	1.2100	Solicitação de cotação	1	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	TSM9435	MOSFET (óxido metálico)		8-POP	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	5,3A (Tc)	4,5V, 10V	60mOhm @ 5,3A, 10V	3 V a 250 µA	27 nC @ 10 V	±20V	551,57 pF a 15 V	-	5,3 W (Tc)
BC338-40	0,0661	Solicitação de cotação	8239	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Caixa (TB)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC338		625 mW	TO-92	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-BC338-40TB	EAR99	8541.21.0075	4.000													25 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100MHz
TSB772CK C0G	0,1589	Solicitação de cotação	3138	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Não para novos designs	150°C (TJ)	Através do furo	TO-225AA, TO-126-3	TSB772		10W	PARA-126	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0075	50													30 V	3A	1µA	PNP	500mV a 200mA, 2A	100 @ 1A, 2V	80MHz
TSM3N80CI C0G	-	Solicitação de cotação	8601	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado	TSM3N80	MOSFET (óxido metálico)		ITO-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.000		Canal N	800V	3A (Tc)	10V	4,2Ohm @ 1,5A, 10V	4 V a 250 µA	19 nC @ 10 V	±30V	696 pF a 25 V	-	94W (Tc)
TSC742CZ C0G	-	Solicitação de cotação	3386	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Ativo	150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	TSC742		70 W	PARA-220	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50													420 V	5A	250µA	NPN	1,5V a 1A, 3,5A	48 @ 100mA, 5V	-
BC857C	0,0334	Solicitação de cotação	3691	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		200 mW	SOT-23	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-BC857CTR	EAR99	8541.21.0075	9.000													45V	100 mA	100nA (ICBO)	PNP	650mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	100MHz
TSM6968DCA	0,7714	Solicitação de cotação	7202	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura)	TSM6968	MOSFET (óxido metálico)	1,04 W (Ta)	8-TSSOP	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-TSM6968DCATR	EAR99	8541.29.0095	12.000	2 canaisN		20V	6,5A (Ta)		22mOhm @ 6A, 4,5V	1V @ 250µA	20nC a 4,5V		950pF a 10V	padrão
TSM076NH04DCRRLG	2.5200	Solicitação de cotação	4	Corporação de Semicondutores de Taiwan	PerFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	TSM076N	MOSFET (óxido metálico)	55,6W (Tc)	8-PDFNU (5x6)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canais N (duplo)		40V	14A (Ta), 34A (Tc)		7,6mOhm a 17A, 10V	3,6 V a 250 µA	19nC @ 10V		1217pF a 25V	-
TSM170N06PQ56	0,9676	Solicitação de cotação	7242	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	TSM170	MOSFET (óxido metálico)		8-PDFN (5x6)	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-TSM170N06PQ56TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal N	60 V	8A (Ta), 44A (Tc)	4,5V, 10V	17mOhm @ 8A, 10V	2,5 V a 250 µA	29 nC @ 10 V	±20V	1556 pF a 30 V	-	2,6 W (Ta), 73,5 W (Tc)
TSM10ND60CI	2.2540	Solicitação de cotação	7664	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado	TSM10	MOSFET (óxido metálico)		ITO-220	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	1801-TSM10ND60CI	EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal N	600V	10A (Tc)	10V	600mOhm @ 3A, 10V	3,8 V a 250 µA	38 nC @ 10 V	±30V	1928 pF a 50 V	-	56,8W (Tc)
MMBT3904L RFG	0,1800	Solicitação de cotação	222	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3904		300 mW	SOT-23	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	200 mA	50nA	NPN	300mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
TSM170N06PQ56RLG	2.2500	Solicitação de cotação	37	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	TSM170	MOSFET (óxido metálico)		8-PDFN (5x6)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal N	60 V	44A (Tc)	4,5V, 10V	17mOhm @ 8A, 10V	2,5 V a 250 µA	29 nC @ 10 V	±20V	1556 pF a 30 V	-	73,5W (Tc)
BC550A A1	-	Solicitação de cotação	6984	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Caixa (TB)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados			500 mW	TO-92	download			REACH não afetado	1801-BC550AA1TB	OBSOLETO		1													45V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	-	110 @ 2mA, 5V	-
RFG TSM2302CX	0,8700	Solicitação de cotação	26	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TSM2302	MOSFET (óxido metálico)		SOT-23	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	20 V	3,9A(Tc)	2,5 V, 4,5 V	65 mOhm @ 3,2 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V	±8V	587 pF a 10 V	-	1,5W (Tc)
BC337-40 A1	-	Solicitação de cotação	3711	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Caixa (TB)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados			625 mW	TO-92	download			REACH não afetado	1801-BC337-40A1TB	OBSOLETO		1													45V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100MHz
TSM2N60ECH C5G	-	Solicitação de cotação	4618	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA	TSM2	MOSFET (óxido metálico)		TO-251 (IPAK)	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.750		Canal N	600V	2A (Tc)	10V	4Ohm @ 1A, 10V	5 V a 250 µA	9,5 nC a 10 V	±30V	362 pF a 25 V	-	52,1W (Tc)
TSC741CZ C0G	-	Solicitação de cotação	7062	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Tubo	Ativo	150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	TSC741		60 W	PARA-220	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	50													450 V	2,5A	250µA	NPN	2V a 600mA, 2A	50 @ 100mA, 5V	-
TS13005CK B0G	-	Solicitação de cotação	1228	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)	Através do furo	TO-225AA, TO-126-3	TS13005		20W	PARA-126	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	2.500													400V	3A	10µA	NPN	1,5 V a 500 mA, 2,5 A	24 @ 425mA, 2V	-
KTC3198-O-M0 A2G	-	Solicitação de cotação	2333	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Caixa (TB)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados			500 mW	TO-92	download			REACH não afetado	1801-KTC3198-O-M0A2GTB	OBSOLETO		1													50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	70 @ 150mA, 6V	80MHz
KTC3198-O-B0 A1G	-	Solicitação de cotação	6443	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Caixa (TB)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados			500 mW	TO-92	download			REACH não afetado	1801-KTC3198-O-B0A1GTB	OBSOLETO		1													50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	70 @ 150mA, 6V	80MHz
BC546B B1G	-	Solicitação de cotação	9933	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Volume	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC546		500 mW	TO-92	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.21.0095	10.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	-	200 @ 2mA, 5V	-
BC547A A1	-	Solicitação de cotação	5168	Corporação de Semicondutores de Taiwan	-	Fita e Caixa (TB)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados			500 mW	TO-92	download			REACH não afetado	1801-BC547AA1TB	OBSOLETO		1													45V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	-	110 @ 2mA, 5V	-

2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
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Transistores (888)

2.000+

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2.800+

15.000 m2

15.000 m²