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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC337-40 A1G | - |  | 7827 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC337 | 625 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TQM076NH04LDCR RLG | 3.9300 | | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101, FET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TQM076 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 55.6W (TC) | 8-pdfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-canal | 40V | 15a (ta), 40a (tc) | 7.6mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 34NC @ 10V | 2006pf @ 25V | Padrão | |||||||||||||||
 | TSM055N03EPQ56 | 0,6967 | | 3273 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x5.8) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM055N03EPQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 11,1 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1210 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
| BC338-16 B1 | - | | 3511 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC338-16B1 | Obsoleto | 1 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| BC338-40-B0 B1 | - | | 6406 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC338-40-B0B1 | Obsoleto | 1 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | TSM9N90ECI C0G | - | | 5411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 v | 9a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 4.5A, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2470 pf @ 25 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
| TSA894CT B0 | - | | 5503 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 1 w | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSA894CTB0 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 500 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 10ma, 50mA | 150 @ 1MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||
| TSM150NB04LCV | 0,5871 | | 9527 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3.15x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM150NB04LCVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 40 v | 8a (ta), 36a (tc) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1013 pf @ 20 V | - | 1.9W (TA), 39W (TC) | |||||||||||
 | TSM180P03CS RLG | 1.4400 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1730 PF @ 15 V | - | 2.5W (TC) | |||||||||||
 | TSM10N80CZ C0G | - | | 5364 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 800 v | 9.5a (TC) | 10V | 1.05Ohm @ 4.75a, 10V | 4V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 30V | 2336 PF @ 25 V | - | 290W (TC) | |||||||||||
 | BC547C B1 | - | | 6204 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC547CB1 | Obsoleto | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||
 | BC858C | 0,0334 | | 5804 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC858CTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 30 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM9N90ECZ C0G | - | | 7210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 900 v | 9a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 4.5A, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2470 pf @ 25 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
| BC547C A1G | - | | 1886 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC547 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
| TSM051N04LCP | 1.0258 | | 8075 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM051 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM051N04LCPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 16a (ta), 96a (tc) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 44,5 nc @ 10 V | ± 20V | 2456 pf @ 20 V | - | 2.6W (TA), 89W (TC) | |||||||||||
 | TSM056NH04CR RLG | 3.0100 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfect ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 18a (ta), 54a (tc) | 7V, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10V | 3,6V a 250µA | 27,3 nc @ 10 V | ± 20V | 1942 pf @ 25 V | - | 78.9W (TC) | ||||||||||||
 | BC846CW | 0,0357 | | 6807 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC846CWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSM4N70CH C5G | - | | 4904 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 v | 3.5a (TC) | 10V | 3.3OHM @ 2A, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 595 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||
| BC337-40 A1 | - | | 3711 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC337-40A1TB | Obsoleto | 1 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| TS13005CK C0G | 0,5700 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-225AA, TO-126-3 | TS13005 | TO-126 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 3 a | 10µA | Npn | 1V @ 200Ma, 1A | 24 @ 425mA, 2V | - | ||||||||||||||||
| TSM6866SDCA | 0,7448 | | 7221 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | TSM6866 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W (TC) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM6866SDCATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | 2 n-canal | 20V | 6a (ta) | 30mohm @ 6a, 4.5V | 0,6V A 250µA | 7NC @ 4.5V | 565pf @ 8V | Padrão | |||||||||||||
| TSM500P02CX | 0,3167 | | 1455 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM500 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM500P02CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | Canal P. | 20 v | 4.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 3a, 4.5V | 0,8V A 250µA | 9,6 nc a 4,5 V | ± 10V | 850 pf @ 10 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
 | TSM033NB04LCR RLG | 2.9500 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | TSM033 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5.2x5.75) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 21a (ta), 121a (tc) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 21a, 10V | 2,5V a 250µA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 4456 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 107W (TC) | |||||||||||
 | TSC5302DCP ROG | - | | 8820 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSC5302 | 25 w | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 v | 2 a | 1µA (ICBO) | Npn | 1,5V a 250mA, 1a | 10 @ 400mA, 5V | - | |||||||||||||||
| BC546C A1G | - | | 5925 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC546 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
| TSM025NB04CR RLG | 3.5500 | | 752 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | TSM025 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5.2x5.75) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 24a (ta), 161a (tc) | 10V | 2.5mohm @ 24a, 10v | 4V A 250µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | 7150 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 136W (TC) | |||||||||||
| BC546A A1G | - | | 7834 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC546 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
 | BC847B RFG | 0,2200 | | 21 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5Ma, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TSA1765CW RPG | - | | 1290 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSA1765 | 2 w | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 560 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 10ma, 50mA | 150 @ 1MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||
| TSM650N15CR | 2.4192 | | 5903 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM650 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM650N15CRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 150 v | 4a (ta), 24a (tc) | 6V, 10V | 65mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 20V | 1829 pf @ 75 V | - | 2.6W (TA), 96W (TC) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
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