SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
TQM076NH04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM076NH04LDCR RLG 3.9300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TQM076 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 55.6W (TC) 8-pdfn (5x6) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-canal 40V 15a (ta), 40a (tc) 7.6mohm @ 20a, 10V 2.2V A 250µA 34NC @ 10V 2006pf @ 25V Padrão
TQM070NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM070NH04CR RLG 2.7600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TQM070 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 16a (ta), 54a (tc) 7V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 3,6V a 250µA 28,5 NC a 10 V ± 20V 2006 pf @ 25 V - 46.8W (TC)
TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM056NH04LCR RLG 2.9700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, FET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TQM056 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 17a (ta), 54a (tc) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 27a, 10V 2.2V A 250µA 45,6 nc @ 10 V ± 16V - 78.9W (TC)
TSM180N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33 0,4140
RFQ
ECAD 6335 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM180 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM180N03PQ33TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-canal 30 v 25a (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 12a, 10V 2,5V a 250µA 4,1 nc @ 4,5 V ± 20V 345 pf @ 25 V - 21W (TC)
TSM085P03CV Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV 0,8650
RFQ
ECAD 3740 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM085 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3,1x3.1) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM085P03CVTR Ear99 8541.29.0095 10.000 Canal P. 30 v 14a (ta), 64a (tc) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2,5V a 250µA 55 nc @ 10 V ± 20V 3234 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 50W (TC)
TSM60NB900CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CP 1.2771
RFQ
ECAD 7751 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM60NB900CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 600 v 4a (TC) 10V 900mohm @ 1.2a, 10V 4V A 250µA 9,6 nc @ 10 V ± 30V 315 pf @ 100 V - 36.8W (TC)
TSM950N10CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10CW 0.6307
RFQ
ECAD 1292 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA TSM950 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM950N10CWTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 6.5a (TC) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10V 2,5V a 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 9W (TC)
TSM180N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03CS 0,4273
RFQ
ECAD 1155 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM180 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM180N03CSTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 9a (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2V A 250µA 4,1 nc @ 4,5 V ± 20V 345 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
TSM085NB03CV Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03CV 0,5871
RFQ
ECAD 1476 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN TSM085 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (3.15x3.1) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM085NB03CVTR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-canal 30 v 11a (ta), 58a (tc) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 11a, 10V 2,5V a 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1101 pf @ 15 V - 1.92W (TA), 52W (TC)
TSM4NB65CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CP 0,9828
RFQ
ECAD 6816 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM4 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM4NB65CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 650 v 4a (TC) 10V 3.37ohm @ 2a, 10V 4.5V a 250µA 13,46 nc @ 10 V ± 30V 549 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM4800N15CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM4800N15CX6 0,4537
RFQ
ECAD 4450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 TSM4800 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-26 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM4800N15CX6TR Ear99 8541.29.0095 12.000 N-canal 150 v 1.4a (TC) 6V, 10V 480mohm @ 1.1a, 10V 3,5V a 250µA 8 nc @ 10 V ± 20V 332 pf @ 10 V - 2.1W (TC)
TSM4NB60CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CP 0,9828
RFQ
ECAD 3962 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM4 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM4NB60CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 600 v 4a (TC) 10V 2.5OHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 14,5 nc @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
BC847C Taiwan Semiconductor Corporation BC847C 0,0337
RFQ
ECAD 5870 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC847CTR Ear99 8541.21.0075 9.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BW Taiwan Semiconductor Corporation BC847BW 0,0357
RFQ
ECAD 8663 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC847BWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BC846CW Taiwan Semiconductor Corporation BC846CW 0,0357
RFQ
ECAD 6807 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC846CWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC858B Taiwan Semiconductor Corporation BC858B 0,0334
RFQ
ECAD 3662 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC858BTR Ear99 8541.21.0075 9.000 30 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BC857A Taiwan Semiconductor Corporation BC857A 0,0334
RFQ
ECAD 7729 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC857ATR Ear99 8541.21.0075 9.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBT2222A Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A 0.0305
RFQ
ECAD 8271 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMBT2222ATR Ear99 8541.21.0075 6.000 40 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
BC548B Taiwan Semiconductor Corporation BC548B 0,0447
RFQ
ECAD 1251 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC548BTB Ear99 8541.21.0095 5.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 200 @ 2MA, 5V -
TSM650N15CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CS 2.4192
RFQ
ECAD 3026 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM650 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM650N15CSTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 150 v 4A (TA), 9A (TC) 6V, 10V 65mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 1783 pf @ 75 V - 2.2W (TA), 12,5W (TC)
TSM170N06PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56 0,9676
RFQ
ECAD 7242 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM170 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM170N06PQ56TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 8a (ta), 44a (tc) 4.5V, 10V 17mohm @ 8a, 10V 2,5V a 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1556 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 73,5W (TC)
TSA884CX Taiwan Semiconductor Corporation TSA884CX 0,1560
RFQ
ECAD 1439 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSA884 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSA884CXTR Ear99 8541.21.0095 12.000 500 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 10ma, 50mA 150 @ 1MA, 10V 50MHz
TSM650N15CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CR 2.4192
RFQ
ECAD 5903 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM650 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM650N15CRTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 150 v 4a (ta), 24a (tc) 6V, 10V 65mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1829 pf @ 75 V - 2.6W (TA), 96W (TC)
TSM190N08CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ 5.2624
RFQ
ECAD 6909 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM190 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM190N08CZ Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 75 v 17a (TA), 190a (TC) 10V 4.2mohm @ 90a, 10V 4V A 250µA 160 nc @ 10 V ± 20V 8600 pf @ 30 V - 2W (TA), 250W (TC)
TSM055N03EPQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03EPQ56 0,6967
RFQ
ECAD 3273 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM055 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x5.8) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM055N03EPQ56TR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 80a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 11,1 nc @ 4,5 V ± 20V 1210 pf @ 25 V - 74W (TC)
TSM500P02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02CX 0,3167
RFQ
ECAD 1455 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM500 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM500P02CXTR Ear99 8541.29.0095 12.000 Canal P. 20 v 4.7a (TC) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 3a, 4.5V 0,8V A 250µA 9,6 nc a 4,5 V ± 10V 850 pf @ 10 V - 1.56W (TC)
BC546A Taiwan Semiconductor Corporation BC546A 0,0447
RFQ
ECAD 7433 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC546 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC546ATB Ear99 8541.21.0095 5.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
BC338-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40 0,0661
RFQ
ECAD 8239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC338-40TB Ear99 8541.21.0075 4.000 25 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
BC849BW Taiwan Semiconductor Corporation BC849BW 0,0357
RFQ
ECAD 3344 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BC849 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BC849BWTR Ear99 8541.21.0075 18.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
TSM051N04LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM051N04LCP 1.0258
RFQ
ECAD 8075 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM051 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM051N04LCPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 16a (ta), 96a (tc) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 16a, 10V 2,5V a 250µA 44,5 nc @ 10 V ± 20V 2456 pf @ 20 V - 2.6W (TA), 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque