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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TQM070NH04CR RLG | 2.7600 |  | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101, FET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TQM070 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 16a (ta), 54a (tc) | 7V, 10V | 7mohm @ 27a, 10V | 3,6V a 250µA | 28,5 NC a 10 V | ± 20V | 2006 pf @ 25 V | - | 46.8W (TC) | |||||||||||||
 | TQM056NH04LCR RLG | 2.9700 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101, FET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TQM056 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 17a (ta), 54a (tc) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10V | 2.2V A 250µA | 45,6 nc @ 10 V | ± 16V | - | 78.9W (TC) | ||||||||||||||
 | TSM043NH04CR RLG | 3.4600 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfect ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-PowerTdfn | TSM043 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 20a (ta), 54a (tc) | 7V, 10V | 4.3mohm @ 27a, 10V | 3,6V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 20V | 2531 pf @ 25 V | - | 100w (TC) | |||||||||||
 | TSM6866SDCA | 0,7448 | | 7221 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | TSM6866 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W (TC) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM6866SDCATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | 2 n-canal | 20V | 6a (ta) | 30mohm @ 6a, 4.5V | 0,6V A 250µA | 7NC @ 4.5V | 565pf @ 8V | Padrão | |||||||||||||
| TSM1NB60CW | 0,6145 | | 1762 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSM1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM1NB60CWTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500mA, 10V | 4.5V a 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB099CZ | 7.8920 | | 8258 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB099CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 11.3a, 10V | 4V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 2587 pf @ 100 V | - | 298W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB041PW | 18.5407 | | 3510 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB041PW | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 600 v | 78a (TC) | 10V | 41mohm @ 21.7a, 10V | 4V A 250µA | 139 NC @ 10 V | ± 30V | 6120 pf @ 100 V | - | 446W (TC) | |||||||||||
| TSM70N380CP | 3.2175 | | 7610 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N380CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 700 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 18,8 nc @ 10 V | ± 30V | 981 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
| TSM80N950CP | 2.7498 | | 7928 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM80N950CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 800 v | 6a (TC) | 10V | 950mohm @ 3a, 10V | 4V A 250µA | 19,6 nc @ 10 V | ± 30V | 691 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
| TSM5NC50CZ | 1.2558 | | 6263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM5NC50CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 500 v | 5a (TC) | 10V | 1.38ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 30V | 586 pf @ 50 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
| TSM900N06CP | 0,5530 | | 1716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM900N06CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 11a (TC) | 4.5V, 10V | 90mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 9,3 nc @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 15 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM018NB03CR | 1.8542 | | 9217 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM018 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM018NB03CRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 29a (TA), 194a (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 29a, 10V | 2,5V a 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 7252 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 136W (TC) | |||||||||||
| TSM040N03CP | 0,8900 | | 9375 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM040N03CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 24a, 10V | 2,5V a 250µA | 24 NC a 4,5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||||||
| Tsm10nd60ci | 2.2540 | | 7664 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM10ND60CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10V | 3,8V a 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 1928 pf @ 50 V | - | 56,8W (TC) | |||||||||||
| TSM10NC60CF | 1.6128 | | 3171 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM10NC60CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 2.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1652 pf @ 50 V | - | 45W (TC) | |||||||||||
| TSM060NB06CZ | 2.0942 | | 9982 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM060 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM060NB06CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 v | 13a (ta), 111a (tc) | 7V, 10V | 6mohm @ 13a, 10V | 4V A 250µA | 103 NC @ 10 V | ± 20V | 6842 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
| TSM680P06DPQ56 | 1.0636 | | 4462 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM680 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.5W (TC) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM680P06DPQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 Canal P. | 60V | 12a (TC) | 68mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 16.4NC @ 10V | 870pf @ 30V | Padrão | |||||||||||||
| TSM090N03ECP | 0,7000 | | 6718 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM090 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM090N03ECPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 7,7 nc @ 4,5 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
| TSM250N02DCQ | 0,3925 | | 8097 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | TSM250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 620MW (TC) | 6-tdfn (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM250N02DCQTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | 2 n-canal | 20V | 5.8a (TC) | 25mohm @ 4a, 4.5V | 0,8V A 250µA | 11nc @ 4.5V | 775pf @ 10V | Padrão | ||||||||||||
| TSM250NB06CV | 0,6661 | | 1841 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3.15x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM250NB06CVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 60 v | 6a (ta), 28a (tc) | 7V, 10V | 25mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 30 V | - | 1.9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| TSM240N03CX | 0.3118 | | 9491 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM240 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM240N03CXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 30 v | 6.5a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 4,1 nc @ 4,5 V | ± 20V | 345 pf @ 25 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
| TSM150NB04LCV | 0,5871 | | 9527 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3.15x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM150NB04LCVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 40 v | 8a (ta), 36a (tc) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1013 pf @ 20 V | - | 1.9W (TA), 39W (TC) | |||||||||||
| TSM80N950CI | 3.3572 | | 1680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM80N950CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 800 v | 6a (TC) | 10V | 950mohm @ 2a, 10V | 4V A 250µA | 19,6 nc @ 10 V | ± 30V | 691 pf @ 100 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
| TSM70N600CH | 2.5626 | | 9453 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N600CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 700 v | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4V A 250µA | 12,6 nc @ 10 V | ± 30V | 743 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
| TSM038N04LCP | 1.5504 | | 3715 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM038 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM038N04LCPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 19a (ta), 135a (tc) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 19a, 10V | 2,5V a 250µA | 104 NC @ 10 V | ± 20V | 5509 pf @ 20 V | - | 2.6W (TA), 125W (TC) | |||||||||||
| TSM60NB1R4CP | 1.0363 | | 1126 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB1R4CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 600 v | 3a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 900MA, 10V | 4V A 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ± 30V | 257,3 pf @ 100 V | - | 28.4W (TC) | |||||||||||
 | TSC497CX | 0.1607 | | 8692 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSC497 | 500 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSC497CXTR | 12.000 | 300 v | 500 MA | 100na | Npn | 300mv @ 25Ma, 250mA | 100 @ 1MA, 10V | 75MHz | |||||||||||||||||
| TSM8588CS | 0,7120 | | 2787 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM8588 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA), 5.7W (TC) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM8588CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N e P-Canal complementar | 60V | 2.5a (ta), 5a (tc), 2a (ta), 4a (tc) | 103mohm @ 2.5a, 10v, 180mohm @ 2a, 10V | 2,5V a 250µA | 9.4NC @ 10V, 9NC @ 10V | 527pf @ 30V, 436pf @ 30V | - | |||||||||||||
| TSM650N15CS | 2.4192 | | 3026 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM650 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM650N15CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 150 v | 4A (TA), 9A (TC) | 6V, 10V | 65mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 20V | 1783 pf @ 75 V | - | 2.2W (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||
| TSM170N06PQ56 | 0,9676 | | 7242 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM170N06PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 8a (ta), 44a (tc) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1556 pf @ 30 V | - | 2.6W (TA), 73,5W (TC) |
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