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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TQM050NB06CR RLG | 5.8500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície, flanco molhável | 8-PowerTDFN | TQM050 | MOSFET (óxido metálico) | 8-PDFNU (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 16A (Ta), 104A (Tc) | 7V, 10V | 5mOhm @ 16A, 10V | 3,8 V a 250 µA | 114 nC @ 10 V | ±20V | 6904 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta), 136 W (Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM60NC980CH C5G | 3.0700 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251 (IPAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1801-TSM60NC980CHC5G | EAR99 | 8541.29.0095 | 15.000 | Canal N | 600V | 4A (Tc) | 10V | 980mOhm a 1,5A, 10V | 5V @ 1mA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF a 300 V | - | 57W (Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4NB60CH C5G | 2.2300 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | TSM4NB60 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251 (IPAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 600V | 4A (Tc) | 10V | 2,5Ohm @ 2A, 10V | 4,5 V a 250 µA | 14,5 nC @ 10 V | ±30V | 500 pF a 25 V | - | 50W (Tc) | |||||||||||
| TSM020N04LCRRLG | 1.3900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | TSM020 | MOSFET (óxido metálico) | 8-PDFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 40 V | 170A (Tc) | 4,5V, 10V | 2mOhm @ 27A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 7942 pF a 20 V | - | 104W (Tc) | ||||||||||||
![]() | TQM025NH04CR RLG | 6.3900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101, PerFET™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície, flanco molhável | 8-PowerTDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-PDFNU (4,9x5,75) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 5.000 | Canal N | 40 V | 26A (Ta), 100A (Tc) | 7V, 10V | 2,5mOhm a 50A, 10V | 3,6 V a 250 µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 5691 pF a 25 V | - | 136W (Tc) | |||||||||||||||
| BC548C B1G | - | ![]() | 5507 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | AC548 | 500 mW | TO-92 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 30 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | TSM9409CSRLG | 2.0100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TSM9409 | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 3,5A (Ta) | 4,5V, 10V | 155mOhm @ 3,5A, 10V | 1V @ 250µA | 6 nC @ 10 V | ±20V | 540 pF a 30 V | - | 3W (Ta) | |||||||||||
![]() | TSM8588CS | 0,7120 | ![]() | 2787 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TSM8588 | MOSFET (óxido metálico) | 1,4 W (Ta), 5,7 W (Tc) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM8588CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canais N e P Complementares | 60V | 2,5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) | 103mOhm a 2,5A, 10V, 180mOhm a 2A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 9,4nC a 10V, 9nC a 10V | 527pF a 30V, 436pF a 30V | - | |||||||||||||
![]() | BC337-16 A1 | - | ![]() | 3473 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Caixa (TB) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Condutores formados | 625 mW | TO-92 | download | REACH não afetado | 1801-BC337-16A1TB | OBSOLETO | 1 | 45V | 800 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM60NC620CH C5G | 3.6900 | ![]() | 1910 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251 (IPAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1801-TSM60NC620CHC5G | 15.000 | Canal N | 600V | 7A (Tc) | 10V | 620mOhm @ 2,4A, 10V | 5V @ 1mA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 501 pF a 300 V | - | 78W (Tc) | |||||||||||||
![]() | TSM10N60CZ C0 | - | ![]() | 8922 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | TSM10N60CZC0 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600V | 10A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 5A, 10V | 4 V a 250 µA | 45,8 nC @ 10 V | ±30V | 1738 pF a 25 V | - | 166W (Tc) | |||||||||||
![]() | TSM060N03ECP ROG | 1.7200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | TSM060 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252, (D-Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 30 V | 70A (Tc) | 4,5V, 10V | 6mOhm a 20A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 11,1 nC a 4,5 V | ±20V | 1210 pF a 25 V | - | 54W (Tc) | |||||||||||
![]() | BC817-16W RFG | 0,0360 | ![]() | 2711 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 mW | SOT-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM500N15CSRLG | 2.9700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal N | 150 V | 4A (Ta), 11A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 4A, 10V | 4 V a 250 µA | 20,5 nC a 10 V | ±20V | 1123 pF a 80 V | - | 12,7W (Ta) | ||||||||||||
![]() | TSM060NB06CZ | 2.0942 | ![]() | 9982 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TSM060 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM060NB06CZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 60 V | 13A (Ta), 111A (Tc) | 7V, 10V | 6mOhm @ 13A, 10V | 4 V a 250 µA | 103 nC @ 10 V | ±20V | 6842 pF a 30 V | - | 2W (Ta), 156W (Tc) | |||||||||||
![]() | TSM900N10CH | 0,9822 | ![]() | 7460 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Terminais TO-251-3, IPak | TSM900 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251S (I-PAK SL) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM900N10CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15.000 | Canal N | 100V | 15A (Tc) | 4,5V, 10V | 90mOhm @ 5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 9,3 nC a 10 V | ±20V | 1480 pF a 50 V | - | 50W (Tc) | |||||||||||
![]() | TSM150P04LCS | 1.1755 | ![]() | 7311 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TSM150 | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM150P04LCSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P | 40 V | 9A (Ta), 22A (Tc) | 4,5V, 10V | 15mOhm @ 9A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 48 nC @ 10 V | ±20V | 2783 pF a 20 V | - | 2,2 W (Ta), 12,5 W (Tc) | |||||||||||
![]() | TSM018NB03CR | 1.8542 | ![]() | 9217 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | TSM018 | MOSFET (óxido metálico) | 8-PDFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM018NB03CRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 30 V | 29A (Ta), 194A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,8mOhm a 29A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 7252 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 136 W (Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4806CS | 0,3866 | ![]() | 9557 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TSM4806 | MOSFET (óxido metálico) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM4806CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 20 V | 28A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 20mOhm a 20A, 4,5V | 1V @ 250µA | 12,3 nC a 4,5 V | ±8V | 961 pF a 15 V | - | 2W (Ta) | |||||||||||
![]() | TSM2N60ECH C5G | - | ![]() | 4618 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | TSM2 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251 (IPAK) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.750 | Canal N | 600V | 2A (Tc) | 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 5 V a 250 µA | 9,5 nC a 10 V | ±30V | 362 pF a 25 V | - | 52,1W (Tc) | |||||||||||
![]() | MMBT3904L-UA RFG | - | ![]() | 4856 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3904L-UARFG | OBSOLETO | 1 | 40 V | 200 mA | 50nA | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906T RSG | 0,2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-523 | 150 mW | SOT-523 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 mA | 50nA (ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||
![]() | TSM4936DCS | 0,6485 | ![]() | 7799 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | TSM4936 | MOSFET (óxido metálico) | 3W (Ta) | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM4936DCSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canaisN | 30V | 5,9A (Ta) | 36mOhm @ 5,9A, 10V | 3 V a 250 µA | 13nC @ 10V | 610pF a 15V | padrão | |||||||||||||
![]() | TSM60NB099CZ | 7.8920 | ![]() | 8258 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | TSM60 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM60NB099CZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 600V | 38A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 11,3A, 10V | 4 V a 250 µA | 62 nC @ 10 V | ±30V | 2587 pF a 100 V | - | 298W (Tc) | |||||||||||
![]() | BC846AW | 0,0357 | ![]() | 8712 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 mW | SOT-323 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BC846AWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 65 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM900N06CW | 0,3581 | ![]() | 5045 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSM900 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM900N06CWTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 60 V | 11A (Tc) | 4,5V, 10V | 90mOhm @ 6A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 9,3 nC a 10 V | ±20V | 500 pF a 15 V | - | 4,17W (Tc) | |||||||||||
| TSM070NB04LCRRLG | 2.0200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerLDFN | TSM070 | MOSFET (óxido metálico) | 8-PDFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 40 V | 15A (Ta), 75A (Tc) | 4,5V, 10V | 7mOhm @ 15A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 2151 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta), 83 W (Tc) | ||||||||||||
![]() | RPG TSM1N45CW | - | ![]() | 9504 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 450 V | 500mA (Tc) | 10V | 4,25 Ohm @ 250 mA, 10 V | 4,25 V a 250 µA | 6,5 nC a 10 V | ±30V | 235 pF a 25 V | - | 2W (Tc) | ||||||||||||
![]() | BC846BW | 0,0361 | ![]() | 5103 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 mW | SOT-323 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BC846BWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 65 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC546B B1 | - | ![]() | 5949 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 mW | TO-92 | download | REACH não afetado | 1801-BC546BB1 | OBSOLETO | 1 | 65 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - |

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