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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tsm026na03cr rlg | - |  | 1041 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM026 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 168a (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 24a, 10V | 2,5V a 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 15 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
 | BC338-40-B0 A1 | - | | 4614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC338-40-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | TSM085NB03DCR RLG | 2.2400 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM085 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 12a (ta), 51a (tc) | 8.5mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 20NC @ 10V | 1091pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
| TSM70N380CH | 3.2649 | | 2406 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM70N380CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 700 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 18,8 nc @ 10 V | ± 30V | 981 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
| Tsm045na03cr rlg | 0,8000 | | 102 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM045 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 108a (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1194 PF @ 15 V | - | 89W (TC) | |||||||||||
 | TSM170N06CP ROG | 2.2200 | | 119 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 28,5 NC a 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||||||||||
 | TSM2NB60CH C5G | - | | 4910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1A, 10V | 4.5V a 250µA | 9,4 NC a 10 V | ± 30V | 249 pf @ 25 V | - | 44W (TC) | ||||||||||||
 | TSM320N03CX RFG | 0,9000 | | 198 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM320 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 5.5a (TC) | 2.5V, 4.5V | 32mohm @ 4a, 4.5V | 900MV A 250µA | 8,9 nc a 4,5 V | ± 12V | 792 pf @ 15 V | - | 1.8W (TC) | |||||||||||
 | TSM3N80CI C0G | - | | 8601 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM3N80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 800 v | 3a (TC) | 10V | 4.2OHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 696 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||
| TSM60N750CP ROG | - | | 8667 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 6a (TC) | 10V | 750mohm @ 3a, 10V | 4V A 250µA | 10,8 nc @ 10 V | ± 30V | 554 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||
| TSM60N900CH C5G | 0,5685 | | 3215 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 v | 4.5a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.3a, 10V | 4V A 250µA | 9,7 nc @ 10 V | ± 30V | 480 pf @ 100 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM650N15CR RLG | 5.0100 | | 1475 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM650 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 v | 24a (TC) | 6V, 10V | 65mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 20V | 1829 pf @ 75 V | - | 96W (TC) | |||||||||||
| TSM650P02CX RFG | 0,7000 | | 76 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM650 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4.1a (TC) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5V | 800mV A 250µA | 5,1 nc @ 4,5 V | ± 10V | 515 pf @ 10 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
 | TSM9409CS RLG | 2.0100 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM9409 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 60 v | 3.5a (ta) | 4.5V, 10V | 155mohm @ 3.5a, 10V | 1V a 250µA | 6 nc @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 30 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
 | BC848AW RFG | 0,0361 | | 1226 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
 | TQM025NH04CR RLG | 6.3900 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101, FET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFNU (4.9x5.75) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 5.000 | N-canal | 40 v | 26a (ta), 100a (tc) | 7V, 10V | 2.5mohm @ 50a, 10V | 3,6V a 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 5691 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||
 | TSM250NB06LDCR RLG | 1.0500 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 6a (ta), 29a (tc) | 25mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 23NC @ 10V | 1314pf @ 30V | - | |||||||||||||
 | BC548C B1G | - | | 5507 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC548 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
| BC817-16W | 0,0350 | | 9715 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC817-16WTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM250NB06CV | 0,6661 | | 1841 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3.15x3.1) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM250NB06CVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 60 v | 6a (ta), 28a (tc) | 7V, 10V | 25mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 30 V | - | 1.9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| TSM70N750CH C5G | 2.1535 | | 3741 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 v | 6a (TC) | 10V | 750mohm @ 1.8a, 10V | 4V A 250µA | 10,7 nc @ 10 V | ± 30V | 555 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||
 | TSM4NB60CZ C0G | - | | 5481 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A, 10V | 4.5V a 250µA | 14,5 nc @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
| BC850BW RFG | 0,0368 | | 8258 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM10NB60CI C0G | - | | 9827 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1820 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
| TSM70N380CH C5G | 6.8300 | | 995 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 18,8 nc @ 10 V | ± 30V | 981 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
| TSM80N1R2CL C0G | 3.4316 | | 3905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 leva Curtos, i²pak | TSM80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-262S (I2PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 5.5a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 1.8A, 10V | 4V A 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 685 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
| TSM70NB1R4CP ROG | 1.2804 | | 9411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 v | 3a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 7,4 nc @ 10 V | ± 30V | 317 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | |||||||||||
| Tsm4953dcs rlg | 1.6600 | | 23 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM4953 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 4.9a (ta) | 60mohm @ 4.9a, 10V | 3V A 250µA | 28NC @ 10V | 745pf @ 15V | - | |||||||||||||
| TSM170N06PQ56 RLG | 2.2500 | | 37 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 44a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1556 pf @ 30 V | - | 73.5W (TC) | |||||||||||
| TSM230N06CP | 0,8845 | | 3086 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM230 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM230N06CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 25 V | - | 53W (TC) |
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