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Transistores (888)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KTC3198-BL A1G | - |  | 7523 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | KTC3198 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Npn | 250mv @ 10ma, 100mA | 70 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||
 | TSM60NB600CP | 1.6363 | | 2157 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB600CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 4V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 516 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||
 | TSM110NB04CR RLG | 1.6800 | | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | TSM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 12a (ta), 54a (tc) | 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1443 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 68W (TC) | ||||||||||
| Tsm015na03cr rlg | - | | 5912 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | TSM015 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 205a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 32a, 10V | 2,5V a 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 4243 pf @ 15 V | - | 104W (TC) | ||||||||||
 | BC807-25W RFG | 0,0466 | | 4986 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 160 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||
| BC550C A1 | - | | 9975 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC550CA1TB | Obsoleto | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||
| BC848CW RFG | 0,0368 | | 6348 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
 | TSM090N03CP ROG | 1.5900 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM090 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 45 nc @ 4,5 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||
 | BC847A RFG | 0,0343 | | 6411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5Ma, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
| TSM60NB099PW | 9.1589 | | 3826 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB099PW | Ear99 | 8541.29.0095 | 12.000 | N-canal | 600 v | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 11.7a, 10V | 4V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 2587 pf @ 100 V | - | 329W (TC) | ||||||||||
 | TSM60NB150CF C0G | 10.4800 | | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 150mohm @ 4.3a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 30V | 1765 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||
| TSM300NB06LCV RGG | 1.5100 | | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | TSM300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (3.15x3.1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 5a (ta), 24a (tc) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 962 pf @ 30 V | - | 1.9W (TA), 39W (TC) | ||||||||||
| BC848CW | 0,0357 | | 8489 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC848CWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.000 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | 0,1576 | | 5123 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2307 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 3a (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 3a, 10V | 3V A 250µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 565 pf @ 30 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||
 | TSM085P03CS RLG | 2.0300 | | 17 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM085 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 34a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 13a, 10V | 2,5V a 250µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 3216 pf @ 15 V | - | 14W (TC) | ||||||||||
| TSM7N65ACI C0G | - | | 5093 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 7a (TC) | 10V | 1.45OHM @ 3A, 10V | 4V A 250µA | 27,8 nc @ 10 V | ± 30V | 1406 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
| TSM180N03CS RLG | 0,4314 | | 1516 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 9a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2V A 250µA | 14 NC a 4,5 V | ± 20V | 345 pf @ 25 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||||
| TSM80N400CF C0G | 5.3552 | | 4195 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 12a (TC) | 10V | 400mohm @ 2.7a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 1848 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||||||||
| BC857C RFG | 0,0343 | | 4570 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
 | BC549A B1 | - | | 3106 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC549AB1 | Obsoleto | 1 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||
| BC846CW RFG | 0,0368 | | 4536 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
 | BC550B B1G | - | | 6676 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 200 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||
| TSM10NC60CF C0G | 1.6128 | | 9015 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 2.5a, 10V | 4.5V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1652 pf @ 50 V | - | 45W (TC) | ||||||||||
| BC547A A1G | - | | 3073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC547 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||
| BC550A B1G | - | | 6891 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||
| MMBT3906 RFG | 0,2100 | | 110 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350 MW | SOT-23 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 400mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 10Ma, 1V | 250MHz | ||||||||||||||
| TSM10NC65CF C0G | 3.3400 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 10a (TC) | 10V | 900MOHM @ 2A, 10V | 4.5V a 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1650 PF @ 50 V | - | 45W (TC) | ||||||||||
| BC857A RFG | 0,0343 | | 9208 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
| Tsm110nb04lcr rlg | 1.6800 | | 26 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | TSM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 12a (ta), 54a (tc) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1269 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 68W (TC) | ||||||||||
| TSM60NB1R4CH | 1.0097 | | 2300 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB1R4CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 600 v | 3a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 900MA, 10V | 4V A 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ± 30V | 257,3 pf @ 100 V | - | 28.4W (TC) |
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