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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Resistência - rds (on) | Tipo de transistor | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 68225H | - |  | 4985 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1000 | - | | 7020 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2N7262U | - | | 4017 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/601 | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | 18-CLCC | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 18-Ulcc (9.14x7.49) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 5.5a (TC) | 12V | 364mohm @ 5.5a, 12V | 4V @ 1MA | 50 nc @ 12 V | ± 20V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT6M100K | - | | 8814 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 [k] | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 v | 6a (TC) | 10V | 2.5OHM @ 3A, 10V | 5V @ 1MA | 43 nc @ 10 V | ± 30V | 1410 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SRF4427 | - | | 3283 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 1.5W | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 17db ~ 18db | 18V | 400mA | Npn | 20 @ 150mA, 5V | 1,3 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT30A60T1G | - | | 5070 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | 90 w | Padrão | SP1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 30A | 250 µA | Sim | 1.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF15H120T3G | - | | 5679 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP3 | 140 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | NPT | 1200 v | 25 a | 3.7V @ 15V, 15A | 250 µA | Sim | 1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF90DA60D1G | - | | 2309 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | - | Montagem do chassi | D1 | 445 w | Padrão | D1 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | NPT | 600 v | 130 a | 2.45V @ 15V, 100A | 500 µA | Não | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF581G | - | | 1701 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Cerâmica Micro-X (84c) | MRF581 | 1.25W | Cerâmica Micro-X (84c) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 13dB ~ 15,5dB | 18V | 200Ma | Npn | 50 @ 50MA, 5V | 5GHz | 3db ~ 3,5dB @ 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APT45GR65BSCD10 | - | | 5467 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT45GR65 | Padrão | 543 w | To-247 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V, 45A, 4.3OHM, 15V | 80 ns | NPT | 650 v | 118 a | 224 a | 2.4V @ 15V, 45a | 203 NC | 15ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| 64030 | - | | 7861 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTC60HM83FT2G | - | | 4019 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | APTC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250W | Módlo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 600V | 36a | 83mohm @ 18a, 10V | 5V @ 3Ma | 255NC @ 10V | 7290pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT20DDA60T3G | - | | 2771 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | 62 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper de Impulso Duplo | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 32 a | 1.9V @ 15V, 20A | 250 µA | Sim | 1.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT17N80SC3G | - | | 6620 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 3.9V @ 1MA | 90 nc @ 10 V | ± 20V | 2250 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DAM24T1G | - | | 4965 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 95a (TC) | 10V | 24mohm @ 47.5a, 10V | 3.9V @ 5MA | 300 nc @ 10 V | ± 20V | 14400 pf @ 25 V | - | 462W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| APT9F100S | - | | 1035 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 9a (TC) | 10V | 1.6OHM @ 5A, 10V | 5V @ 1MA | 80 nc @ 10 V | ± 30V | 2606 pf @ 25 V | - | 337W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90HM60T3G | - | | 5331 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTC90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 462W | SP3 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 900V | 59a | 60mohm @ 52a, 10V | 3.5V @ 6Ma | 540NC @ 10V | 13600pf @ 100V | Super Junction | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2N5015S | - | | 5252 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pp8064 | - | | 5718 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt8024b2llg | 25.7000 | | 5 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | T-MAX ™ [B2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 31a (TC) | 10V | 240mohm @ 15.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 160 nc @ 10 V | ± 30V | 4670 pf @ 25 V | - | 565W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| JANSF2N7383 | - | | 9337 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 6.5a (TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MDS400 | - | | 3160 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55kt | 1450W | 55kt | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.5dB | 55V | 40A | Npn | 10 @ 1A, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SRF4427G | - | | 7655 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 1.5W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 18dB | 18V | 400mA | Npn | 20 @ 150mA, 5V | 1,3 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2279 | - | | 5748 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1536-01 | - | | 9546 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | SD1536 | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N6804 | - | | 5129 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/562 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 100 v | 11a (TC) | 10V | 360mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTGV50H60T3G | - | | 6755 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP3 | 176 w | Padrão | SP3 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | NPT, Parada de Campo da Trincheira | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3.15 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N4857 | - | | 1811 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 360 MW | To-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 18pf @ 10V (VGS) | 40 v | 100 mA a 15 V | 6 V @ 500 PA | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGL90SK120T1G | - | | 6207 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | 385 w | Padrão | SP1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 110 a | 2.25V @ 15V, 75A | 250 µA | Sim | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Apt12067b2llg | - | | 6783 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | APT12067 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | T-MAX ™ [B2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 18a (TC) | 10V | 670mohm @ 9a, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nc @ 10 V | ± 30V | 4420 pf @ 25 V | - | 565W (TC) |
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