SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Figura de ruído (dB Typ @ f)
MRF5812GR1 Microsemi Corporation MRF5812GR1 -
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ECAD 5472 0,00000000 Microsemi Corporation - Fita e Carretel (TR) Obsoleto - Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MRF5812 1,25W 8-SO download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0075 500 13dB ~ 15,5dB 15V 200mA NPN 50 @ 50mA, 5V 5GHz 2dB ~ 3dB a 500 MHz
APT30N60SC6 Microsemi Corporation APT30N60SC6 -
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ECAD 1509 0,00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D3Pak download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14,5A, 10V 3,5 V a 960 µA 88 nC @ 10 V ±20V 2267 pF a 25 V - 219W (Tc)
APT9F100S Microsemi Corporation APT9F100S -
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ECAD 1035 0,00000000 Microsemi Corporation POWERMOS 8™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA MOSFET (óxido metálico) D3Pak download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 1000V 9A (Tc) 10V 1,6Ohm a 5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 2606 pF a 25 V - 337W (Tc)
40036ST Microsemi Corporation 40036ST -
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ECAD 4266 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Não aplicável OBSOLETO 0000.00.0000 1
2N6764T1 Microsemi Corporation 2N6764T1 -
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ECAD 8974 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-204AE 2N6764 MOSFET (óxido metálico) PARA-3 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 100V 38A (Tc) 10V 65mOhm a 38A, 10V 4 V a 250 µA 125 nC @ 10 V ±20V - 4W (Ta), 150W (Tc)
2N6802 Microsemi Corporation 2N6802 -
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ECAD 1647 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal MOSFET (óxido metálico) TO-39 (TO-205AD) - RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 500 V 2,5A (Tc) 10V 1,5 Ohm @ 1,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 4,46 nC a 10 V ±20V - 800mW (Ta), 25W (Tc)
JANTX2N7224 Microsemi Corporation JANTX2N7224 -
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ECAD 6055 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/592 Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) MOSFET (óxido metálico) TO-254AA download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 100V 34A (Tc) 10V 81mOhm @ 34A, 10V 4 V a 250 µA 125 nC @ 10 V ±20V - 4W (Ta), 150W (Tc)
APT11GF120BRDQ1G Microsemi Corporation APT11GF120BRDQ1G -
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ECAD 4997 0,00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 APT11G padrão 156W PARA-247 [B] download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 800V, 8A, 10Ohm, 15V TNP 1200 V 25A 24A 3V a 15V, 8A 300 µJ (ligado), 285 µJ (desligado) 65nC 7ns/100ns
PP9063 Microsemi Corporation PP9063 -
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ECAD 4566 0,00000000 Microsemi Corporation * Volume Obsoleto - RoHS não compatível Não aplicável OBSOLETO 0000.00.0000 1
MRF4427R1 Microsemi Corporation MRF4427R1 -
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ECAD 1510 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) 1,5W 8dBGA (2x1,5) download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 2.500 20dB 20V 400mA NPN 10 @ 10mA, 5V - -
PP8064 Microsemi Corporation PP8064 -
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ECAD 5718 0,00000000 Microsemi Corporation * Volume Obsoleto - RoHS não compatível Não aplicável OBSOLETO 0000.00.0000 1
SD1400-03 Microsemi Corporation SD1400-03 -
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ECAD 6099 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
C25-28A Microsemi Corporation C25-28A -
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ECAD 1909 0,00000000 Microsemi Corporation * Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
APTGF180DH60G Microsemi Corporation APTGF180DH60G -
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ECAD 2982 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Montagem em chassi SP6 833W padrão SP6 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Ponte Assimétrica TNP 600 V 220A 2,5V a 15V, 180A 300 µA Não 8,6 nF a 25 V
MS2176 Microsemi Corporation MS2176 -
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ECAD 6523 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200°C (TJ) Montagem em chassi 2L-FLG 875W 2L-FLG download 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1 9,5dB 28V 21,6A NPN 10 @ 5A, 5V - -
APTML20UM18R010T1AG Microsemi Corporation APTML20UM18R010T1AG -
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ECAD 5077 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP1 MOSFET (óxido metálico) SP1 - 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 200 V 109A (Tc) 10V 19mOhm a 50A, 10V 4 V a 2,5 mA ±30V 9880 pF a 25 V - 480W (TC)
62091 Microsemi Corporation 62091 -
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ECAD 3637 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Não aplicável OBSOLETO 0000.00.0000 1
MSC280SMA120S Microsemi Corporation MSC280SMA120S -
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ECAD 6028 0,00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA SiCFET (carboneto de silício) D3PAK download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 1200 V - - - - - - -
68225H Microsemi Corporation 68225H -
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ECAD 4985 0,00000000 Microsemi Corporation * Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
2N6250 Microsemi Corporation 2N6250 -
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ECAD 7477 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo -65°C ~ 200°C Através do furo TO-204AA, TO-3 6W TO-204AA (TO-3) download RoHS não compatível REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 100 275V 10A 1mA NPN 1,5 V a 1,25 A, 10 A 8 @ 10A, 3V -
APTGF90A60D1G Microsemi Corporation APTGF90A60D1G -
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ECAD 3083 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado na SIC - Montagem em chassi D1 padrão D1 - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Meia Ponte TNP - Não
MS2N4931 Microsemi Corporation MS2N4931 257.6300
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ECAD 3 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado na SIC - - - - - RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
MPA201HS Microsemi Corporation MPA201HS -
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ECAD 9626 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
C1-28Z Microsemi Corporation C1-28Z -
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ECAD 4180 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
DME375A Microsemi Corporation DME375A -
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ECAD 9385 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200°C (TJ) Montagem em chassi 55AW 375W 55AW download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 6,5dB 55V 30A NPN 10 @ 300mA, 5V 1.025 GHz ~ 1,15 GHz -
JAN2N5014 Microsemi Corporation JAN2N5014 -
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ECAD 1166 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/727 Volume Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Através do furo TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal 1W PARA-5 - RoHS não compatível Não aplicável EAR99 8541.29.0095 1 900 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 30 @ 20mA, 10V -
APTGT100DDA60T3G Microsemi Corporation APTGT100DDA60T3G -
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ECAD 5509 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi SP3 340 W padrão SP3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Chopper de reforço duplo Parada de campo de trincheira 600 V 150A 1,9V a 15V, 100A 250 µA Sim 6,1 nF a 25 V
APTGV75H60T3G Microsemi Corporation APTGV75H60T3G -
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ECAD 9183 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Montagem em chassi SP3 250W padrão SP3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de ponte completa NPT, parada do campo de trincheira 600 V 100A 1,9V a 15V, 75A 250 µA Sim 4,62 nF a 25 V
APTGT50DA120D1G Microsemi Corporation APTGT50DA120D1G -
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ECAD 5210 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado na SIC - Montagem em chassi D1 270 W padrão D1 - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de campo de trincheira 1200 V 75A 2,1V a 15V, 50A 5 mA Não 3,6 nF a 25 V
APT6017LFLLG Microsemi Corporation APT6017LFLLG 19.2000
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ECAD 15 0,00000000 Microsemi Corporation POWERMOS 7® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-264-3, TO-264AA MOSFET (óxido metálico) TO-264 [L] download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 600 V 35A (Tc) 10V 170mOhm @ 17,5A, 10V 5 V a 2,5 mA 100 nC @ 10 V ±30V 4500 pF a 25 V - 500W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque