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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Apt18f60s | - |  | 9706 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT18F60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 19a (TC) | 10V | 370mohm @ 9a, 10V | 5V @ 1MA | 90 nc @ 10 V | ± 30V | 3550 pf @ 25 V | - | 335W (TC) | ||||||||||||||||||
 | APT50GP60LDLG | - | | 1742 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT50GP60 | Padrão | 625 w | To-264 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 50A, 4.3OHM, 15V | Pt | 600 v | 150 a | 190 a | 2.7V @ 15V, 50A | 456µJ (ON), 635µJ (Off) | 165 NC | 19ns/85ns | |||||||||||||||||||||
| Aptc60ddam70ct1g | - | | 8383 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250W | SP1 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a, 10V | 3.9V @ 2.7MA | 259NC @ 10V | 7000pf @ 25V | Super Junction | ||||||||||||||||||||||
 | APT12057Jll | - | | 2549 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT12057 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 19a (TC) | 10V | 570mohm @ 10a, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nc @ 10 V | ± 30V | 6200 pf @ 25 V | - | 520W (TC) | ||||||||||||||||||
| APTML20UM18R010T1AG | - | | 5077 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 109a (TC) | 10V | 19mohm @ 50a, 10V | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9880 PF @ 25 V | - | 480W (TC) | |||||||||||||||||||||
| APTC90TAM60TPG | - | | 3062 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTC90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 462W | Sp6-p | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 900V | 59a | 60mohm @ 52a, 10V | 3.5V @ 6Ma | 540NC @ 10V | 13600pf @ 100V | Super Junction | |||||||||||||||||||||
| APTCV60HM70RT3G | - | | 9408 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | 250 w | Retificador de Ponte Monofásica | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| APTGF25H120T2G | - | | 8075 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP2 | 208 w | Padrão | SP2 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | NPT | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V, 25A | 250 µA | Sim | 1,65 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
 | 2N6802 | - | | 1647 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 2.5a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 4,46 nc @ 10 V | ± 20V | - | 800mW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||
| 2N7225 | - | | 7882 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 27.4a (TC) | 10V | 100mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
| APT45GR65B2DU30 | - | | 1373 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT45GR65 | Padrão | 543 w | T-MAX ™ [B2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 433V, 45A, 4.3OHM, 15V | 80 ns | NPT | 650 v | 118 a | 224 a | 2.4V @ 15V, 45a | 203 NC | 15ns/100ns | |||||||||||||||||||
| APT6040BN | - | | 3651 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 18a (TC) | 10V | 400mohm @ 9a, 10V | 4V @ 1MA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 2950 PF @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||
| 1214-55p | - | | 7748 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 78124 | - | | 3407 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGT75H60T2G | - | | 1814 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP2 | APTGT75 | 250 w | Padrão | SP2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | Sim | 4,62 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | APTGF30TL601G | - | | 6847 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP1 | 140 w | Padrão | SP1 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de três níveis | NPT | 600 v | 42 a | 2.45V @ 15V, 30A | 250 µA | Não | 1,35 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||
 | APTM100TDU35PG | - | | 2316 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp6-p | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 1000V (1KV) | 22a | 420mohm @ 11a, 10v | 5V @ 2.5mA | 186NC @ 10V | 5200pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
| Aptm20dam10tg | - | | 4061 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 175a (TC) | 10V | 12mohm @ 87.5a, 10V | 5V @ 5MA | 224 NC @ 10 V | ± 30V | 13700 pf @ 25 V | - | 694W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Aptm20dum10tg | - | | 3956 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 694W | Sp4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 200V | 175a | 12mohm @ 87.5a, 10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
 | APT75GN120JDQ3G | - | | 4063 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Isotop | 379 w | Padrão | Isotop® | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 124 a | 2.1V @ 15V, 75A | 200 µA | Não | 4.8 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
 | APT10043JVR | - | | 2867 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 22a (TJ) | 430mohm @ 500mA, 10V | 4V @ 1MA | 480 nc @ 10 V | 9000 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||
 | APT15F60B | - | | 4244 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT15F60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 [b] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 16a (TC) | 10V | 430mohm @ 7a, 10V | 5V @ 500µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2882 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||
| APT20M19JVR | - | | 7350 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 200 v | 112a (TC) | 10V | 19MOHM @ 500MA, 10V | 4V @ 1MA | 495 nc @ 10 V | ± 30V | 11640 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Apt5510jfll | - | | 2720 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 550 v | 44a (TC) | 10V | 100mohm @ 22a, 10V | 5V @ 2.5mA | 124 nc @ 10 V | ± 30V | 5823 pf @ 25 V | - | 463W (TC) | ||||||||||||||||||||
| MSC280SMA120S | - | | 6028 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | Sicfet (Carboneto de Silício) | D3PAK | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | 2N6901 | - | | 1597 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 1.69a (TC) | 5V | 2.6OHM @ 1.07A, 5V | 2V @ 1MA | 1 nc @ 5 V | ± 10V | - | 8.33W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 2N6764T1 | - | | 8974 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AE | 2N6764 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 38a (TC) | 10V | 65mohm @ 38a, 10V | 4V A 250µA | 125 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||
| Apt15gp60bdlg | - | | 1687 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT15GP60 | Padrão | 250 w | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 15A, 5OHM, 15V | Pt | 600 v | 56 a | 65 a | 2.7V @ 15V, 15A | 130µJ (ON), 121µJ (Off) | 55 NC | 8ns/29ns | |||||||||||||||||||
 | APT80SM120S | - | | 4284 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Sicfet (Carboneto de Silício) | D3PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 80a (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 2.5V @ 1MA | 235 NC @ 20 V | +25V, -10V | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||||
| APTGT150A170D1G | - | | 8558 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | - | Montagem do chassi | D1 | 780 w | Padrão | D1 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 280 a | 2.4V @ 15V, 150a | 4 MA | Não | 13 NF @ 25 V |
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