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Transistores (1315)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGF25DDA120T3G | - |  | 4581 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP3 | 208 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper de Impulso Duplo | NPT | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V, 25A | 250 µA | Sim | 1,65 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2N6249T1 | - | | 2317 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/510 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 2N6249 | 6 w | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 10 a | 1Ma | Npn | 1.5V @ 1A, 10A | 10 @ 10A, 3V | - | |||||||||||||||||||||
 | 2N3866 | - | | 4175 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 30 v | 400 mA | 20µA | Npn | 1V @ 10Ma, 100mA | 15 @ 50MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| MDS140L | - | | 6833 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55AW | 500W | 55AW | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.5dB | 70V | 12a | Npn | 20 @ 1A, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 76016s | - | | 8979 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1087T | - | | 4002 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC1331 | - | | 1918 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTML50UM90R020T1AG | - | | 2205 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 52a (TC) | 10V | 108mohm @ 26a, 10V | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 7600 pf @ 25 V | - | 568W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 2N2857 | - | | 9284 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 200mw | TO-72 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 12.5db ~ 21db @ 450MHz | 15V | 40mA | Npn | 30 @ 3MA, 1V | 500MHz | 4.5dB @ 450MHz | ||||||||||||||||||||||
 | 2N5097 | - | | 7947 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 4 w | TO-5 | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 v | 1 a | - | Npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| APTM50DHM65T3G | - | | 9594 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | SP3 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 500V | 51a | 78mohm @ 42a, 10V | 5V @ 2.5mA | 340NC @ 10V | 10800pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
| SD1224-02 | - | | 6463 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M113 | SD122 | 60W | M113 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.6db | 35V | 5a | Npn | 20 @ 500mA, 5V | 175MHz | - | ||||||||||||||||||||||
| UTV200 | - | | 1517 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55JV | 80W | 55JV | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 8,5dB ~ 9,5dB | 28V | 4.5a | Npn | 10 @ 1A, 5V | 470MHz ~ 860MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MSC86580 | - | | 2127 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2608H | - | | 5562 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1013-20H | - | | 4733 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N5015 | - | | 5948 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 w | TO-5 | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF553T | - | | 3388 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | Macro de Potência | 3w | Macro de Potência | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 11.5dB | 16V | 500mA | Npn | 30 @ 250mA, 5V | 175MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
| 64017H | - | | 8864 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2N5012S | - | | 3506 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 25MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| MS3456 | - | | 3357 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 76020H | - | | 2640 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2553C | - | | 9328 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M220 | 175W | M220 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 10.5db | 25V | 4a | Npn | 20 @ 500mA, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 54006H | - | | 6794 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2225-4L | - | | 5353 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55LV | 10W | 55LV | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 8.5dB | 40V | 600mA | Npn | 20 @ 200Ma, 5V | 2,2 GHz ~ 2,5 GHz | - |
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