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Transistores (1315)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Aplicações | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1002MP | - |  | 5604 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55FW-1 | 7w | 55FW-1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.24db ~ 11db | 50V | 250mA | - | 20 @ 100mA, 5V | 960MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptc60ddam70t3g | - | | 4479 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a, 10V | 3.9V @ 2.7MA | 259NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n7369 | 1.0000 | | 7520 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | MIL-PRF-19500/621 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA | 2N7369 | 115 w | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 5mA | Pnp | 1V @ 500MA, 5A | 50 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2321 | - | | 9490 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M105 | 87,5W | M105 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 10dB | 65V | 1.5a | Npn | - | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT23F60S | - | | 2307 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT23F60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 5V @ 1MA | 110 nc @ 10 V | ± 30V | 4415 pf @ 25 V | - | 415W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| A4815H | - | | 4336 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2N6249 | - | | 4926 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/510 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3 | 2N6249 | 6 w | TO-3 (TO-204AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 200 v | 10 a | 1Ma | Npn | 1.5V @ 1A, 10A | 10 @ 10A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6782U | - | | 3623 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 18-CLCC | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 18-Ulcc (9.14x7.49) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 3.5a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.25a, 10V | 4V A 250µA | 8.1 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800mW (TA), 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3811 | - | | 4600 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-78-6 METAL CAN | 2N380 | 350mw | TO-78-6 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (DUPLO) | 250mv @ 100µA, 1MA | 300 @ 1MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VRF3933MP | - | | 6960 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Ativo | 250 v | M177 | VRF3933 | 30MHz | MOSFET | M177 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 20a | 250 Ma | 350W | 28dB | - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT100DA170TG | - | | 5690 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | 560 w | Padrão | Sp4 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 150 a | 2.4V @ 15V, 100A | 250 µA | Sim | 9 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2092H | - | | 3698 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5109 | - | | 7077 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2.5W | TO-39 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 12dB | 20V | 400mA | Npn | 40 @ 50MA, 15V | 1,2 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT100DSK60T3G | - | | 7545 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | 340 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper Duplo | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | Sim | 6.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-370M | - | | 8618 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55st | 600W | 55st | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.7db ~ 9dB | 75V | 25a | Npn | 10 @ 5A, 5V | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Sta8142 | - | | 2263 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8372R2 | - | | 6919 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 2.2w | 8-so | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 8dB ~ 9,5dB | 16V | 200Ma | Npn | 30 @ 50MA, 5V | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYI-1F | - | | 8668 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 55V | Viés de Amplificador linear | Montagem do Pino | 55 Pés | BYI-1 | 55 Pés | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 700mA | Bysistor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT300SK170D3G | - | | 6108 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo D-3 | 1470 w | Padrão | D3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 530 a | 2.4V @ 15V, 300A | 8 ma | Não | 26 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0912-25 | - | | 8027 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55ct | 125W | 55ct | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 8.5dB ~ 10dB | 55V | 2.5a | Npn | 10 @ 300mA, 5V | 960MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n6790 | - | | 6124 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/555 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 3.5a (TC) | 10V | 850mohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 14,3 nc @ 10 V | ± 20V | - | 800mW (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120DA56T1G | - | | 3223 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 18a (TC) | 10V | 672MOHM @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nc @ 10 V | ± 30V | 7736 pf @ 25 V | - | 390W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT50A1202G | - | | 7263 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP2 | 277 w | Padrão | SP2 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V, 50A | 50 µA | Não | 3.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1015 | - | | 4694 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62091B | - | | 6122 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANS2N2857UB-LC | - | | 5385 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/343 | Bandeja | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N2857 | 200mw | Ub | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 21dB | 15V | 40mA | Npn | 30 @ 3MA, 1V | - | 4.5dB @ 450MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N7228U | - | | 6190 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-267AB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-267AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 12a (TC) | 10V | 515mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT30GS60KRG | - | | 6244 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | APT30GS60 | Padrão | 250 w | To-220 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 30A, 9.1OHM, 15V | NPT | 600 v | 54 a | 113 a | 3.15V @ 15V, 30A | 570µJ (Off) | 145 NC | 16ns/360ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2204 | - | | 6641 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M115 | 600mW | M115 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 10.8db | 20V | 300mA | Npn | 15 @ 100mA, 5V | 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0910-150M | - | | 3257 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55kt | 400W | 55kt | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 8.1dB ~ 8.5dB | 65V | 12a | Npn | - | 890MHz ~ 1GHz | - |
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