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Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Entrada	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Termistor NTC	Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Figura de ruído (dB Typ @ f)
APTC60DSKM35T3G	-	Solicitação de cotação	3658	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP3	APTC60		MOSFET (óxido metálico)	416W		SP3	-		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (duplo)				600V	72A		35mOhm a 72A, 10V	3,9 V a 5,4 mA	518nC @ 10V		14000pF a 25V	-
TAN150A	-	Solicitação de cotação	5032	Microsemi Corporation	*	Volume	Obsoleto										-		1 (ilimitado)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6784U	-	Solicitação de cotação	8949	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/556	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	18-CLCC			MOSFET (óxido metálico)			18-ULCC (9,14x7,49)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			200 V	2,25A (Tc)	10V	1,6 Ohm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,6 nC a 10 V	±20V		-	800mW (Ta), 15W (Tc)
APT28F60S	-	Solicitação de cotação	3468	Microsemi Corporation	POWERMOS 8™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA	APT28F60		MOSFET (óxido metálico)			D3Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			600 V	30A (Tc)	10V	220mOhm @ 14A, 10V	5V @ 1mA	140 nC @ 10 V	±30V	5575 pF a 25 V	-	520W (Tc)
APTM100DA40T1G	-	Solicitação de cotação	9513	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP1			MOSFET (óxido metálico)			SP1	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			1000V	20A (Tc)	10V	480mOhm @ 16A, 10V	5 V a 2,5 mA	260 nC @ 10 V	±30V	6.800 pF a 25 V	-	357W (Tc)
JANTX2N3251AUB	-	Solicitação de cotação	1639	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/323	Volume	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montagem em superfície	3-SMD, sem chumbo	2N3251			360 mW		UB	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.21.0095	1																60 V	200 mA						10µA (ICBO)			PNP	500mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	-
APT40M42JN	-	Solicitação de cotação	4391	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Bandeja	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (óxido metálico)			ISOTOP®	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			400 V	86A (Tc)	10V	42mOhm @ 43A, 10V	4V @ 5mA	760 nC @ 10 V	±30V	14.000 pF a 25 V	-	690W (Tc)
SD1019	-	Solicitação de cotação	2226	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	200ºC	Montagem em pino	M130				117W		M130	-		1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0075	1				4,5dB												35V	9A									NPN		5 @ 500mA, 5V	136MHz	-
MSC750SMA120B	-	Solicitação de cotação	5495	Microsemi Corporation	*	Volume	Ativo				MSC750						-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado			1
MSC80806	-	Solicitação de cotação	1029	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto										-		1 (ilimitado)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM120SK56T1G	-	Solicitação de cotação	5832	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP1			MOSFET (óxido metálico)			SP1	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			1200 V	18A (Tc)	10V	672mOhm @ 14A, 10V	5 V a 2,5 mA	300 nC @ 10 V	±30V	7736 pF a 25 V	-	390W (Tc)
APTGT150SK60TG	-	Solicitação de cotação	7485	Microsemi Corporation	-	Volume	Descontinuado na SIC	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em chassi	SP4				480W	padrão	SP4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	1	Solteiro														Parada de campo de trincheira	600 V	225A		1,9V a 15V, 150A				250 µA	Sim	9,2 nF a 25 V
APT20F50S	-	Solicitação de cotação	1410	Microsemi Corporation	POWERMOS 8™	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA	APT20F50		MOSFET (óxido metálico)			D3Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			500 V	20A (Tc)	10V	300mOhm @ 10A, 10V	5 V a 500 µA	75 nC @ 10 V	±30V	2.950 pF a 25 V	-	290W (Tc)
APT10043JVR	-	Solicitação de cotação	2867	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto		Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (óxido metálico)			ISOTOP®	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			1000V	22A (Tj)		430mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 1mA	480 nC @ 10 V		9.000 pF a 25 V	-
APTGF200DA120D3G	-	Solicitação de cotação	6103	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	Módulo D-3				1400 W	padrão	D3	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1	Solteiro														TNP	1200 V	300A		3,7V a 15V, 200A				5 mA	Não	13 nF a 25 V
JANTXV2N6800	-	Solicitação de cotação	8784	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/557	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Lata de metal TO-205AF			MOSFET (óxido metálico)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			400 V	3A (Tc)	10V	1,1Ohm @ 3A, 10V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20V		-	800mW (Ta), 25W (Tc)
APTM50DHM35G	-	Solicitação de cotação	4534	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP6	APTM50		MOSFET (óxido metálico)	781W		SP6	download		1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (duplo) assimétricos				500V	99A		39mOhm @ 49,5A, 10V	5V @ 5mA	280nC @ 10V		14000pF a 25V	-
APT50GS60BRDLG	-	Solicitação de cotação	1328	Microsemi Corporation	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	APT50GS60	padrão		415W		PARA-247	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 50 A, 4,7 Ohm, 15 V												TNP	600 V	93A	195A	3,15V a 15V, 50A	755 µJ (desligado)	235nC	16ns/225ns
1214-220M	-	Solicitação de cotação	6618	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	200°C (TJ)	Montagem em chassi	55ST				700W		55ST	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0075	1				7,4dB												70V	20A									NPN		10 @ 1A, 5V	1,2 GHz ~ 1,4 GHz	-
JANTXV2N5013S	-	Solicitação de cotação	4075	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/727	Volume	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal				1W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS não compatível	Não aplicável		EAR99	8541.29.0095	1																800V	200 mA						10nA (ICBO)			NPN		30 @ 20mA, 10V	-
JAN2N6782	-	Solicitação de cotação	7371	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/556	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Lata de metal TO-205AF			MOSFET (óxido metálico)			PARA-39	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			100V	3,5A (Tc)	10V	610mOhm a 3,5A, 10V	4 V a 250 µA	8,1 nC a 10 V	±20V		-	800mW (Ta), 15W (Tc)
APTGF90SK60TG	-	Solicitação de cotação	9341	Microsemi Corporation	-	Volume	Descontinuado na SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP4				416 W	padrão	SP4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	1	Solteiro														TNP	600 V	110A		2,5V a 15V, 90A				250 µA	Sim	4,3 nF a 25 V
JAN2N6790U	-	Solicitação de cotação	4404	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/555	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	18-CLCC			MOSFET (óxido metálico)			18-ULCC (9,14x7,49)	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.21.0095	1		Canal N			200 V	2,8A(Tc)	10V	850mOhm a 3,5A, 10V	4 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V	±20V		-	800 mW (Tc)
JANTXV2N7224	-	Solicitação de cotação	2605	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/592	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-254-3, TO-254AA (condutores retos)			MOSFET (óxido metálico)			TO-254AA	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			100V	34A (Tc)	10V	81mOhm @ 34A, 10V	4 V a 250 µA	125 nC @ 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
MRF581G	-	Solicitação de cotação	1701	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	Cerâmica Micro-X (84C)	MRF581			1,25W		Cerâmica Micro-X (84C)	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0075	500				13dB ~ 15,5dB												18V	200mA									NPN		50 @ 50mA, 5V	5GHz	3dB ~ 3,5dB @ 500MHz
APT5510JFLL	-	Solicitação de cotação	2720	Microsemi Corporation	POWERMOS 7®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (óxido metálico)			ISOTOP®	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	10		Canal N			550 V	44A (Tc)	10V	100mOhm a 22A, 10V	5 V a 2,5 mA	124 nC @ 10 V	±30V	5823 pF a 25 V	-	463W (TC)
MS2575A	-	Solicitação de cotação	9629	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto										-		1 (ilimitado)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N5013S	-	Solicitação de cotação	6480	Microsemi Corporation	Militar, MIL-PRF-19500/727	Volume	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Através do furo	TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal				1W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS não compatível	Não aplicável		EAR99	8541.29.0095	1																800V	200 mA						10nA (ICBO)			NPN		30 @ 20mA, 10V	-
APTGT75H60T2G	-	Solicitação de cotação	1814	Microsemi Corporation	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em chassi	SP2	APTGT75			250W	padrão	SP2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1	Inversor de ponte completa														Parada de campo de trincheira	600 V	100A		1,9V a 15V, 75A				250 µA	Sim	4,62 nF a 25 V
APTM120DA29TG	-	Solicitação de cotação	6353	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em chassi	SP4			MOSFET (óxido metálico)			SP4	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			1200 V	34A (Tc)	10V	348mOhm @ 17A, 10V	5V @ 5mA	374 nC @ 10 V	±30V	10300 pF a 25 V	-	780W (Tc)