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Transistores (1315)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Aplicações | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Resistência - rds (on) | Tipo de transistor | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MS2226H | - |  | 4414 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF555GT | - | | 9515 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 3w | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12.5dB | 16V | 500mA | Npn | 50 @ 100mA, 5V | 470MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptm20um09sg | - | | 9799 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo J3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Módlo | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 195a (TC) | 10V | 9mohm @ 74.5a, 10V | 5V @ 4MA | 217 NC @ 10 V | ± 30V | 12300 pf @ 25 V | - | 780W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT100SK120D1G | - | | 3169 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | D1 | 520 w | Padrão | D1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 150 a | 2.1V @ 15V, 100A | 3 MA | Não | 7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT150DA60TG | - | | 1414 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | 480 w | Padrão | Sp4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V, 150A | 250 µA | Sim | 9.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DSK10T3G | - | | 5679 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 312W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 500V | 37a | 120mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 1MA | 96NC @ 10V | 4367pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT20H60T3G | - | | 8285 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | 62 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 32 a | 1.9V @ 15V, 20A | 250 µA | Sim | 1.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT225DA170G | - | | 7480 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTGT225 | 1250 w | Padrão | Sp6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 340 a | 2.4V @ 15V, 225a | 500 µA | Não | 20 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N4092UB | 123.8600 | | 101 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/431 | Volume | Ativo | - | Montagem na Superfície | 4-smd, sem chumbo | 2N4092 | 360 MW | 4-SMD | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 mA a 20 V | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT44GA60BD30C | - | | 8247 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | To-247-3 | APT44GA60 | Padrão | 337 w | To-247 [b] | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 26a, 4.7ohm, 15V | Pt | 600 v | 78 a | 130 a | 1.6V @ 15V, 26a | 409µJ (ON), 450µJ (Desligado) | 128 NC | 16ns/102ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120HR11CT3G | - | | 6426 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 1200V (1,2kV) | Objetivo Geral | Montagem do chassi | SP3 | APTMC120 | SP3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 26a | 2 canal (Perna de Fase + Emissor Comum Duplo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25SM120B | - | | 3461 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 25a (TC) | 20V | 175mohm @ 10a, 20V | 2.5V @ 1MA | 72 NC @ 20 V | +25V, -10V | - | 175W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT70GR65B2DU40 | - | | 5334 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT70GR65 | Padrão | 595 w | T-MAX ™ [B2] | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 433V, 70A, 4.3OHM, 15V | NPT | 650 v | 134 a | 280 a | 2.4V @ 15V, 70A | 305 NC | 18ns/170ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT95GR65JDU60 | - | | 8121 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT95GR65 | Padrão | 446 w | SOT-227 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V, 95A, 4.3OHM, 15V | NPT | 650 v | 135 a | 380 a | 2.4V @ 15V, 95A | 420 NC | 29NS/226NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120U10DAG | - | | 7637 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 160A (TC) | 10V | 120mohm @ 58a, 10V | 5V @ 20MA | 1100 nc @ 10 V | ± 30V | 28900 pf @ 25 V | - | 3290W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60189 | - | | 1269 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD8268-21H | - | | 4953 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100DA18CT1G | - | | 2360 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 40A (TC) | 10V | 216mohm @ 33a, 10V | 5V @ 2.5mA | 570 nc @ 10 V | ± 30V | 14800 pf @ 25 V | - | 657W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7236 | - | | 8269 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 100 v | 18a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Apt40m35jvfr | - | | 8998 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 93A (TC) | 10V | 35mohm @ 46.5a, 10V | 4V @ 5MA | 1065 nc @ 10 V | ± 30V | 20160 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1004mA | - | | 7424 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1015M | - | | 3681 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4427 | - | | 2828 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1w | TO-39 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB @ 175MHz | 40V | 400mA | Npn | 10 @ 100mA, 5V | 500MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2091H | - | | 8389 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6796 | - | | 8477 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-39 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 8a (TC) | 10V | 180mohm @ 5a, 10V | 4V A 250mA | 6,34 nc a 10 V | ± 20V | - | 800mW (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT8024LVRG | - | | 7987 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-264 [L] | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 800 v | 33a (TC) | 10V | 240mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 425 nc @ 10 V | - | 7740 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTJC120AM25VCT1AG | - | | 4810 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | - | - | APTJC120 | - | - | - | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 7 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF473 | - | | 1017 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 500 v | - | 130MHz | MOSFET | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 10a | 150 MA | 300W | 14dB | - | 135 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF330DA60D3G | - | | 9427 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo D-3 | 1400 w | Padrão | D3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | NPT | 600 v | 460 a | 2.5V @ 15V, 400A | 750 µA | Não | 18 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2224-6p | - | | 2340 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 |
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