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Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote / caso | Número do produto base | Tecnologia | Poder - máx | Pacote de dispositivo de fornecedor | Ficha de dados | Status do ROHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Status de alcance | ECCN | Htsus | Pacote padrão | Tipo de FET | Ganho | Escorra para a tensão de origem (VDSS) | Corrente - dreno contínuo (id) a 25 ° C | Tensão de condução (Max RDS ON, Min RDS ON) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga do portão (QG) (Max) @ VGS | VGS (máximo) | Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds | Recurso FET | Dissipação de energia (MAX) | Tensão - colapso do emissor de colecionador (max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de colecionador (MAX) | Tipo de transistor | VCE Saturação (Max) @ ib, IC | Ganho atual de CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequência - Transição | Figura de ruído (db typ @ f) |
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![]() | MS2202 | - | ![]() | 6315 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M115 | 10W | M115 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9dB | 3.5V | 250mA | Npn | 30 @ 100mA, 5V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||
![]() | APT47N65BC3G | - | ![]() | 5767 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT47N65 | MOSFET (óxido de metal) | To-247 [b] | download | ROHS3 compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 v | 47a (TC) | 10V | 70mohm @ 30a, 10V | 3.9V @ 2.7MA | 260 nc @ 10 V | ± 20V | 7015 pf @ 25 V | - | 417W (TC) | |||||||||||
Jan2n3960 | - | ![]() | 2969 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/399 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 2N3960 | 400 MW | TO-18 (TO-206AA) | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 v | 10µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 3Ma, 30MA | 60 @ 10MA, 1V | - | |||||||||||||||||
![]() | Jan2n1016c | - | ![]() | 1659 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/102 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2N1016 | 150 w | TO-82 | - | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 7.5 a | 1Ma | Npn | 2.5V @ 1A, 5A | 10 @ 5A, 4V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2307 | - | ![]() | 7283 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55Bt | 20.5W | 55Bt | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8dB | 42V | 1a | Npn | 10 @ 500mA, 5V | 2,3 GHz | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N5092 | 19.0722 | ![]() | 7348 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Ativo | 2N5092 | - | Rohs não compatível | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
APT20M22B2VRG | - | ![]() | 7423 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | MOSFET (óxido de metal) | T-MAX ™ [B2] | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 100a (TC) | 10V | 22mohm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5MA | 435 nc @ 10 V | ± 30V | 10200 pf @ 25 V | - | 520W (TC) | ||||||||||||||
![]() | MSC1450M | - | ![]() | 2065 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 250 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M216 | 910W | M216 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 65V | 28a | Npn | 15 @ 1A, 5V | 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||
Jan2n3251a | - | ![]() | 7503 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3251 | 360 MW | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | Pnp | 500mv @ 5Ma, 50Ma | 100 @ 10Ma, 1V | - | ||||||||||||||||
![]() | MS2621H | - | ![]() | 1648 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5014 | - | ![]() | 2967 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | - | - | - | - | Rohs não compatível | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1035MP | - | ![]() | 2263 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55FW-1 | 125W | 55FW-1 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB ~ 10,5dB | 65V | 2.5a | Npn | 20 @ 100mA, 5V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||
![]() | SD1332-05H | - | ![]() | 1413 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C. | Montagem na superfície | M150 | 180W | M150 | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 17db | 15V | 30a | Npn | 50 @ 14MA, 10V | 5,5 GHz | 2.5dB @ 1GHz | ||||||||||||||||||
![]() | APT60M75JVFR | - | ![]() | 7592 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MOSFET (óxido de metal) | Isotop® | - | 1 (ilimitado) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 62a (TC) | 10V | 75mohm @ 31a, 10V | 4V @ 5MA | 1050 nc @ 10 V | ± 30V | 19800 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | ||||||||||||||
Jan2n4957 | - | ![]() | 2808 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-72-3 Metal Can | 200mw | TO-72 | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 25dB | 30V | 30Ma | Pnp | 30 @ 5MA, 10V | - | 3,5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||
![]() | JANS2N6250T1 | - | ![]() | 4386 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/510 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (leads retos) | 2N6250 | 6 w | TO-254AA | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 275 v | 10 a | 1Ma | Npn | 1.5V @ 1.25a, 10a | 8 @ 10A, 3V | - | |||||||||||||||
![]() | Jantx2N6249T1 | - | ![]() | 9353 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/510 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (leads retos) | 2N6249 | 6 w | TO-254AA | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 10 a | 1Ma | Npn | 1.5V @ 1A, 10A | 10 @ 10A, 3V | - | |||||||||||||||
![]() | 61032Q | - | ![]() | 3994 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1612 | - | ![]() | 8743 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 58048 | - | ![]() | 2433 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2857ub | - | ![]() | 8543 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na superfície | 3-SMD, sem chumbo | 200mw | Ub | download | Rohs não compatível | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 21dB | 15V | 40mA | Npn | 30 @ 3MA, 1V | - | 4.5dB @ 450MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2224-12LP | - | ![]() | 1541 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
MRF581 | - | ![]() | 5020 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na superfície | Cerâmica Micro-X (84c) | MRF581 | 1.25W | Cerâmica Micro-X (84c) | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 13dB ~ 15,5dB | 18V | 200Ma | Npn | 50 @ 50MA, 5V | 5GHz | 3db ~ 3,5dB @ 500MHz | |||||||||||||||||
APT30M40B2VFRG | - | ![]() | 1941 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-247-3 Variante | MOSFET (óxido de metal) | T-MAX ™ [B2] | - | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 300 v | 76a (TC) | - | 40mohm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5MA | 425 nc @ 10 V | - | 10200 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||||
![]() | MS1261 | - | ![]() | 2663 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Chassi, montagem em pântano | M122 | 34W | M122 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 12dB | 18V | 2.5a | Npn | 20 @ 250mA, 5V | 175MHz | - | |||||||||||||||||
![]() | 0910-60M | - | ![]() | 7789 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55AW | 180W | 55AW | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8dB ~ 8,5dB | 65V | 8a | Npn | - | 890MHz ~ 1GHz | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N5031 | - | ![]() | 4591 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 200mw | TO-72 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 12dB @ 400MHz | 10V | 20mA | Npn | 25 @ 1MA, 6V | 400MHz | - | |||||||||||||||||
![]() | MS1007 | - | ![]() | 7194 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M174 | 233W | M174 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 14dB | 55V | 10a | Npn | 18 @ 1.4A, 6V | 30MHz | - | |||||||||||||||||
MRF545 | - | ![]() | 1076 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 3.5W | TO-39 | download | 1 (ilimitado) | Alcançar não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 14dB | 70V | 400mA | Pnp | 15 @ 50MA, 6V | 1GHz ~ 1,4 GHz | - | ||||||||||||||||||
![]() | 68234Z | - | ![]() | 6762 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 |
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