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Transistores (1315)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SD1143-01 | - |  | 9626 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C. | Montagem do chassi | M113 | 20w | M113 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB | 18V | 2a | Npn | 5 @ 250mA, 5V | 175MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90DAM60CT1G | - | | 8584 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SP1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 900 v | 59a (TC) | 10V | 60mohm @ 52a, 10V | 3.5V @ 6Ma | 540 nc @ 10 V | ± 20V | 13600 pf @ 100 V | - | 462W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| MS1227 | - | | 6046 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M113 | 80W | M113 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 15dB | 18V | 4.5a | Npn | 200 @ 1A, 5V | 30MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Umil3b | - | | 7655 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem do Pino | 55 Pés | 11w | 55 Pés | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 13dB | 30V | 700mA | - | 10 @ 100A, 5V | 225MHz ~ 400MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APT11GF120KRG | - | | 6419 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Apt11g | Padrão | 156 w | To-220 [k] | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 800V, 8A, 10OHM, 15V | NPT | 1200 v | 25 a | 44 a | 3V @ 15V, 8a | 300µJ (ON), 285µJ (Off) | 65 NC | 7ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||
| MS1008 | - | | 7120 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M164 | 233W | M164 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 14dB | 55V | 10a | Npn | 15 @ 1.4A, 6V | 30MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT50A170D1G | - | | 4406 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | - | Montagem do chassi | D1 | 310 w | Padrão | D1 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1700 v | 70 a | 2.4V @ 15V, 50A | 6 MA | Não | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5812 | - | | 7183 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 1.25W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 13dB ~ 15,5dB | 15V | 200Ma | Npn | 50 @ 50MA, 5V | 5GHz | 2db ~ 3db @ 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansr2N7389 | - | | 9075 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/630 | Bandeja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-205AF (TO-39) | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 100 v | 6.5a (TC) | 12V | 350mohm @ 6.5a, 12V | 4V @ 1MA | 45 nc @ 12 V | ± 20V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGT400SK120D3G | - | | 6754 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo D-3 | 2100 w | Padrão | D3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 580 a | 2.1V @ 15V, 400A | 750 µA | Não | 29 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n7236U | - | | 1795 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/595 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-267AB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-267AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 100 v | 18a (TC) | 10V | 220mohm @ 18a, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| MS2244 | - | | 2557 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptm50dum19g | - | | 6767 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1136W | Sp6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 500V | 163a | 22.5mohm @ 81.5a, 10V | 5V @ 10Ma | 492NC @ 10V | 22400pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | APT33N90JCCU2 | - | | 4928 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 900 v | 33a (TC) | 10V | 120mohm @ 26a, 10V | 3.5V @ 3Ma | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 100 V | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Aptm100sk18tg | - | | 5067 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Sp4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 v | 43a (TC) | 10V | 210mohm @ 21.5a, 10V | 5V @ 5MA | 372 nc @ 10 V | ± 30V | 10400 pf @ 25 V | - | 780W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| MPA201 | - | | 3130 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55AU | 6w | 55AU | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 13dB | 22V | 300mA | Npn | 20 @ 100mA, 5V | 2GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| TPR400A | - | | 4777 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55cx | 875W | 55cx | download | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 9.5dB | 55V | 30a | Npn | 10 @ 2.5a, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF150SK120TG | - | | 5229 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | Sp4 | 961 w | Padrão | Sp4 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | NPT | 1200 v | 200 a | 3.7V @ 15V, 150a | 350 µA | Sim | 10.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5015 | - | | 4602 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 w | TO-5 | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N5013 | - | | 4239 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 w | TO-5 | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Apt30gp60ldlg | - | | 3791 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT30GP60 | Padrão | 463 w | To-264 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 30A, 5OHM, 15V | Pt | 600 v | 100 a | 120 a | 2.7V @ 15V, 30A | 260µJ (ON), 250µJ (Off) | 90 NC | 13ns/55ns | |||||||||||||||||||||||
| MRF4427 | - | | 2916 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 1.5W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20dB | 20V | 400mA | Npn | 10 @ 10MA, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS3455 | - | | 6590 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1526-01 | - | | 5633 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M115 | SD1526 | 21.9W | M115 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 9.5dB | 45V | 1a | Npn | - | 960MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| APT12067Jll | - | | 1442 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT12067 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 v | 17a (TC) | 10V | 570mohm @ 10a, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nc @ 10 V | ± 30V | 6200 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| MS2225H | - | | 5332 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5013 | - | | 4009 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 w | TO-5 | - | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2901 | - | | 4194 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2N6788U | - | | 4899 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/555 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 18-CLCC | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 18-Ulcc (9.14x7.49) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 4.5a (TC) | 10V | 350mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800mW (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| TPR700 | - | | 8742 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55kt | 2050W | 55kt | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.7db | 65V | 55a | Npn | 10 @ 1A, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - |
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