SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
APTM120A80FT1G Microsemi Corporation APTM120A80FT1G -
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ECAD 5549 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SP1 APTM120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 357W SP1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Meia Ponte) 1200V (1,2kV) 14a 960mohm @ 12a, 10V 5V @ 2.5mA 260NC @ 10V 6696pf @ 25V -
MRF5812R1 Microsemi Corporation MRF5812R1 -
RFQ
ECAD 2805 0,00000000 Microsemi Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 1.25W 8-so download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 2.500 13dB ~ 15,5dB 15V 200Ma Npn 50 @ 50MA, 5V 5GHz 2db ~ 3db @ 500MHz
2N4957UB Microsemi Corporation 2N4957UB -
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ECAD 4013 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo 2N4957 200mw Ub download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 25dB 30V 30Ma Pnp 30 @ 5MA, 10V - 3,5dB @ 450MHz
MS2206A Microsemi Corporation MS2206A -
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ECAD 1225 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimito) Obsoleto 0000.00.0000 1
JAN2N1016C Microsemi Corporation Jan2n1016c -
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ECAD 1659 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/102 Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2N1016 150 w TO-82 - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 150 v 7.5 a 1Ma Npn 2.5V @ 1A, 5A 10 @ 5A, 4V -
SD1244-09H Microsemi Corporation SD1244-09H -
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ECAD 8554 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto SD1244 - 1 (ilimito) Obsoleto 0000.00.0000 1
JANTXV2N7224U Microsemi Corporation Jantxv2N7224U -
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ECAD 9402 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/592 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-267AB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-267AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 34a (TC) 10V 81mohm @ 34a, 10V 4V A 250µA 125 nc @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
SD8002-01H Microsemi Corporation SD8002-01H -
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ECAD 7072 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimito) Obsoleto 0000.00.0000 1
APT20M22B2VFRG Microsemi Corporation APT20M22B2VFRG -
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ECAD 6919 0,00000000 Microsemi Corporation Power Mos V® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante MOSFET (ÓXIDO DE METAL) T-MAX ™ [B2] download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 100a (TC) 10V 22mohm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5MA 435 nc @ 10 V ± 30V 10200 pf @ 25 V - 520W (TC)
JANTXN3251AUB Microsemi Corporation Jantxn3251aub -
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ECAD 2008 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - - - - - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Obsoleto 0000.00.0000 1 - - - - -
MS1649 Microsemi Corporation MS1649 -
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ECAD 1134 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 7.8W TO-39 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1 9.5dB 16V 1a Npn 20 @ 100mA, 5V 470MHz -
JANTXV2N7227 Microsemi Corporation Jantxv2N7227 -
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ECAD 5528 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/592 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-254AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 14a (TC) 10V 415mohm @ 14a, 10v 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JAN2N3811 Microsemi Corporation Jan2n3811 -
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ECAD 9829 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/336 Volume Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-78-6 METAL CAN 2N3811 350mw TO-78-6 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 250mv @ 100µA, 1MA 300 @ 1MA, 5V -
APTGT30A170D1G Microsemi Corporation APTGT30A170D1G -
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ECAD 4509 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado no sic - Montagem do chassi D1 210 w Padrão D1 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 1 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 1700 v 45 a 2.4V @ 15V, 30A 3 MA Não 2.5 NF @ 25 V
2N5099 Microsemi Corporation 2N5099 -
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ECAD 9688 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Através do buraco TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 4 w TO-5 - Rohs Não Compatível Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 1 800 v 1 a - Npn - - -
APT30GP60JDQ1 Microsemi Corporation APT30GP60JDQ1 -
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ECAD 6073 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc APT30GP60 245 w Padrão Isotop® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro Pt 600 v 67 a 2.7V @ 15V, 30A 500 µA Não 3.2 NF @ 25 V
MSC1090M Microsemi Corporation MSC1090M -
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ECAD 8102 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200 ° C. Montagem do chassi M220 220W M220 - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1 8.4db 65V 5.52a - 15 @ 500mA, 5V 1.025 GHz ~ 1,15 GHz -
JANTXV2N6249 Microsemi Corporation Jantxv2N6249 -
RFQ
ECAD 4883 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/510 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-3 2N6249 6 w TO-3 (TO-204AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 200 v 10 a 1Ma Npn 1.5V @ 1A, 10A 10 @ 10A, 3V -
APT6030BN Microsemi Corporation APT6030BN -
RFQ
ECAD 8188 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS IV® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AD download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 23a (TC) 10V 300mohm @ 11.5a, 10V 4V @ 1MA 210 nc @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 360W (TC)
APT45GR65SSCD10 Microsemi Corporation APT45GR65SSCD10 -
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ECAD 6599 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab APT45GR65 Padrão 543 w D3PAK - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 433V, 45A, 4.3OHM, 15V 80 ns NPT 650 v 118 a 224 a 2.4V @ 15V, 45a 203 NC 15ns/100ns
JAN2N3960 Microsemi Corporation Jan2n3960 -
RFQ
ECAD 2969 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/399 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 2N3960 400 MW TO-18 (TO-206AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 100 12 v 10µA (ICBO) Npn 300mv @ 3Ma, 30MA 60 @ 10MA, 1V -
JANTXV2N6250T1 Microsemi Corporation Jantxv2N6250T1 -
RFQ
ECAD 7701 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/510 Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) 2N6250 6 w TO-254AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 275 v 10 a 1Ma Npn 1.5V @ 1.25a, ​​10a 8 @ 10A, 3V -
JANSR2N7389 Microsemi Corporation Jansr2N7389 -
RFQ
ECAD 9075 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/630 Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C. Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 6.5a (TC) 12V 350mohm @ 6.5a, 12V 4V @ 1MA 45 nc @ 12 V ± 20V - 25W (TC)
JAN2N4957 Microsemi Corporation Jan2n4957 -
RFQ
ECAD 2808 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado no sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-72-3 Metal Can 200mw TO-72 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 25dB 30V 30Ma Pnp 30 @ 5MA, 10V - 3,5dB @ 450MHz
JANTX2N7227 Microsemi Corporation Jantx2N7227 -
RFQ
ECAD 2480 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/592 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-254AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 14a (TC) 10V 415mohm @ 14a, 10v 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
APTM100DA18T1G Microsemi Corporation APTM100DA18T1G -
RFQ
ECAD 1568 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SP1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SP1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 v 40A (TC) 10V 216mohm @ 33a, 10V 5V @ 2.5mA 570 nc @ 10 V ± 30V 14800 pf @ 25 V - 657W (TC)
1035MP Microsemi Corporation 1035MP -
RFQ
ECAD 2263 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200 ° C (TJ) Montagem do chassi 55FW-1 125W 55FW-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1 10dB ~ 10,5dB 65V 2.5a Npn 20 @ 100mA, 5V 1.025 GHz ~ 1,15 GHz -
APTGT200A602G Microsemi Corporation APTGT200A602G -
RFQ
ECAD 6292 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi SP2 APTGT200 625 w Padrão SP2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 600 v 290 a 1.9V @ 15V, 200a 50 µA Não 12.3 NF @ 25 V
JANTXV2N7228 Microsemi Corporation Jantxv2N7228 -
RFQ
ECAD 2126 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/592 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-254AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 12a (TC) 10V 515mohm @ 12a, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
2N2221AL Microsemi Corporation 2N2221AL 9.0573
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ECAD 8443 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN 2N2221 500 MW TO-18 (TO-206AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1V @ 50MA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque