SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Capacitância de entrada (Cies) @ Vce Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Figura de ruído (dB Typ @ f)
MS2563 Microsemi Corporation MS2563 -
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ECAD 8409 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
2N7227 Microsemi Corporation 2N7227 -
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ECAD 1365 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) MOSFET (óxido metálico) TO-254AA download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 400V 14A (Tc) 10V 315mOhm @ 9A, 10V 4 V a 250 µA 110 nC @ 10 V ±20V - 4W (Ta), 150W (Tc)
JAN2N3811 Microsemi Corporation JAN2N3811 -
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ECAD 9829 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/336 Volume Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Através do furo Lata metálica TO-78-6 2N3811 350mW PARA-78-6 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA (ICBO) 2 PNP (duplo) 250mV @ 100µA, 1mA 300 @ 1mA, 5V -
APT11GP60BDQBG Microsemi Corporation APT11GP60BDQBG -
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ECAD 2652 0,00000000 Microsemi Corporation POWERMOS 7® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 APT11G padrão 187W PARA-247-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 11A, 5Ohm, 15V PT 600V 41A 45A 2,7V a 15V, 11A 46 µJ (ligado), 90 µJ (desligado) 40nC 7ns/29ns
APTC90AM60SCTG Microsemi Corporation APTC90AM60SCTG -
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ECAD 5132 0,00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP4 APTC90 MOSFET (óxido metálico) 462W SP4 - 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 100 2 canais N (meia ponte) 900V 59A 60mOhm a 52A, 10V 3,5 V a 6 mA 540nC @ 10V 13600pF a 100V Super Junção
MS2588 Microsemi Corporation MS2588 -
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ECAD 4337 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
APTM50DUM19G Microsemi Corporation APTM50DUM19G -
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ECAD 6767 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP6 APTM50 MOSFET (óxido metálico) 1136W SP6 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 2 canais N (duplo) 500V 163A 22,5mOhm a 81,5A, 10V 5V a 10mA 492nC @ 10V 22400pF a 25V -
APTGT400SK60D3G Microsemi Corporation APTGT400SK60D3G -
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ECAD 2549 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi Módulo D-3 1250W padrão D3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de campo de trincheira 600V 500A 1,9V a 15V, 400A 500 µA Não 24 nF a 25 V
APTGT200A602G Microsemi Corporation APTGT200A602G -
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ECAD 6292 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Ativo -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi SP2 APTGT200 625 W padrão SP2 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Meia Ponte Parada de campo de trincheira 600V 290A 1,9V a 15V, 200A 50 µA Não 12,3 nF a 25 V
APTGT50A120D1G Microsemi Corporation APTGT50A120D1G -
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ECAD 4848 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado na SIC - Montagem em chassi D1 270W padrão D1 - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Meia Ponte Parada de campo de trincheira 1200 V 75A 2,1V a 15V, 50A 5 mA Não 3,6 nF a 25 V
APTGL325SK120D3G Microsemi Corporation APTGL325SK120D3G -
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ECAD 9835 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi Módulo D-3 1500W padrão D3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de campo de trincheira 1200 V 420A 2,2V a 15V, 300A 5 mA Não 18,6 nF a 25 V
APT11GF120KRG Microsemi Corporation APT11GF120KRG -
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ECAD 6419 0,00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 APT11G padrão 156W TO-220 [K] download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 800V, 8A, 10Ohm, 15V TNP 1200 V 25A 44A 3V a 15V, 8A 300 µJ (ligado), 285 µJ (desligado) 65nC 7ns/100ns
APTM50SKM35TG Microsemi Corporation APTM50SKM35TG -
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ECAD 1645 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP4 MOSFET (óxido metálico) SP4 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 500 V 99A (Tc) 10V 39mOhm @ 49,5A, 10V 5V @ 5mA 280 nC @ 10 V ±30V 14.000 pF a 25 V - 781W (Tc)
APTGF100DU120TG Microsemi Corporation APTGF100DU120TG -
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ECAD 5907 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto - Montagem em chassi SP4 568W padrão SP4 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Fonte Dupla e Comum TNP 1200 V 135A 3,7 V a 15 V, 100 A 350 µA Sim 6,9 nF a 25 V
APTGF90TDU60PG Microsemi Corporation APTGF90TDU60PG -
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ECAD 5664 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP6 416 W padrão SP6-P download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Triplo, Duplo - Fonte Comum TNP 600V 110A 2,5V a 15V, 90A 250 µA Não 4,3 nF a 25 V
APT40SM120J Microsemi Corporation APT40SM120J -
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ECAD 1130 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi SOT-227-4, miniBLOC MOSFET (óxido metálico) SOT-227 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 1200 V 32A (Tc) 20V 100mOhm a 20A, 20V 3V @ 1mA (típico) 130 nC @ 20 V +25V, -10V 2.560 pF a 1.000 V - 165W (Tc)
JAN2N6849 Microsemi Corporation JAN2N6849 -
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ECAD 8880 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/564 Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Lata de metal TO-205AF MOSFET (óxido metálico) PARA-39 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100V 6,5A (Tc) 10V 320mOhm a 6,5A, 10V 4 V a 250 µA 34,8 nC a 10 V ±20V - 800mW (Ta), 25W (Tc)
MSC1090M Microsemi Corporation MSC1090M -
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ECAD 8102 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200ºC Montagem em chassi M220 220W M220 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 8,4dB 65V 5,52A - 15 @ 500mA, 5V 1.025 GHz ~ 1,15 GHz -
JANTX2N7227 Microsemi Corporation JANTX2N7227 -
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ECAD 2480 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/592 Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) MOSFET (óxido metálico) TO-254AA download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 400V 14A (Tc) 10V 415mOhm @ 14A, 10V 4 V a 250 µA 110 nC @ 10 V ±20V - 4W (Ta), 150W (Tc)
APT6030BN Microsemi Corporation APT6030BN -
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ECAD 8188 0,00000000 Microsemi Corporation POWER MOS IV® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) TO-247AD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 600V 23A (Tc) 10V 300mOhm a 11,5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF a 25 V - 360W (Tc)
APT5025BN Microsemi Corporation APT5025BN -
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ECAD 2142 0,00000000 Microsemi Corporation POWER MOS IV® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) TO-247AD download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 Canal N 500 V 23A (Tc) 10V 250mOhm a 11,5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2.950 pF a 25 V - 310W (Tc)
2N6782 Microsemi Corporation 2N6782 -
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ECAD 8010 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo Lata de metal TO-205AF MOSFET (óxido metálico) PARA-39 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 100V 3,5A (Tc) 10V 600mOhm a 2,25A, 10V 4 V a 250 µA 8,1 nC a 10 V ±20V - 800mW (Ta), 15W (Tc)
UMIL10 Microsemi Corporation UMIL10 -
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ECAD 3742 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto 200°C (TJ) Chassi, montagem em pino 55 pés 28W 55 pés download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0075 1 10dB 30V 1,5A NPN 10 @ 200mA, 5V 100MHz ~ 400MHz -
APT5014SLLG/TR Microsemi Corporation APT5014SLLG/TR -
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ECAD 5653 0,00000000 Microsemi Corporation POWERMOS 7® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-247 download 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 500 V 35A (Tc) 10V 140mOhm a 17,5A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±30V 3261 pF a 25 V - 403W (Tc)
APT14050JVFR Microsemi Corporation APT14050JVFR -
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ECAD 3606 0,00000000 Microsemi Corporation POWER MOS V® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SOT-227-4, miniBLOC MOSFET (óxido metálico) ISOTOP® download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10 Canal N 1400 V 23A (Tc) 10V 500 mOhm a 11,5 A, 10 V 4V @ 5mA 820 nC @ 10 V ±30V 13.500 pF a 25 V - 694W (Tc)
APTM20UM05SG Microsemi Corporation APTM20UM05SG -
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ECAD 1792 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Descontinuado na SIC -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi Módulo J3 MOSFET (óxido metálico) Módulo download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 200 V 317A (Tc) 10V 5mOhm @ 158,5A, 10V 5V a 10mA 448 nC @ 10 V ±30V 27.400 pF a 25 V - 1136W (Tc)
APTGT580U60D4G Microsemi Corporation APTGT580U60D4G -
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ECAD 8448 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em chassi D4 1600 W padrão D4 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de campo de trincheira 600V 760A 1,9V a 15V, 600A 1mA Não 37 nF a 25 V
APTGT75A1202G Microsemi Corporation APTGT75A1202G -
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ECAD 9774 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP2 357 W padrão SP2 - 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Meia Ponte Parada de campo de trincheira 1200 V 110A 2,1V a 15V, 75A 50 µA Não 5,34 nF a 25 V
75099 Microsemi Corporation 75099 -
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ECAD 6308 0,00000000 Microsemi Corporation * Volume Obsoleto - - 1 (ilimitado) OBSOLETO 0000.00.0000 1
APTGT100SK120TG Microsemi Corporation APTGT100SK120TG -
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ECAD 7742 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em chassi SP4 480W padrão SP4 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1 Solteiro Parada de campo de trincheira 1200 V 140A 2,1V a 15V, 100A 250 µA Sim 7,2 nF a 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque