Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MS2563 | - | ![]() | 8409 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7227 | - | ![]() | 1365 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) | MOSFET (óxido metálico) | TO-254AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 14A (Tc) | 10V | 315mOhm @ 9A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3811 | - | ![]() | 9829 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | Lata metálica TO-78-6 | 2N3811 | 350mW | PARA-78-6 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mA | 10µA (ICBO) | 2 PNP (duplo) | 250mV @ 100µA, 1mA | 300 @ 1mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT11GP60BDQBG | - | ![]() | 2652 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS 7® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | APT11G | padrão | 187W | PARA-247-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 11A, 5Ohm, 15V | PT | 600V | 41A | 45A | 2,7V a 15V, 11A | 46 µJ (ligado), 90 µJ (desligado) | 40nC | 7ns/29ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC90AM60SCTG | - | ![]() | 5132 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | APTC90 | MOSFET (óxido metálico) | 462W | SP4 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 2 canais N (meia ponte) | 900V | 59A | 60mOhm a 52A, 10V | 3,5 V a 6 mA | 540nC @ 10V | 13600pF a 100V | Super Junção | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2588 | - | ![]() | 4337 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DUM19G | - | ![]() | 6767 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP6 | APTM50 | MOSFET (óxido metálico) | 1136W | SP6 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 500V | 163A | 22,5mOhm a 81,5A, 10V | 5V a 10mA | 492nC @ 10V | 22400pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT400SK60D3G | - | ![]() | 2549 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo D-3 | 1250W | padrão | D3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 600V | 500A | 1,9V a 15V, 400A | 500 µA | Não | 24 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| APTGT200A602G | - | ![]() | 6292 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP2 | APTGT200 | 625 W | padrão | SP2 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 600V | 290A | 1,9V a 15V, 200A | 50 µA | Não | 12,3 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50A120D1G | - | ![]() | 4848 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | - | Montagem em chassi | D1 | 270W | padrão | D1 | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 75A | 2,1V a 15V, 50A | 5 mA | Não | 3,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL325SK120D3G | - | ![]() | 9835 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo D-3 | 1500W | padrão | D3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 420A | 2,2V a 15V, 300A | 5 mA | Não | 18,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT11GF120KRG | - | ![]() | 6419 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | APT11G | padrão | 156W | TO-220 [K] | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 800V, 8A, 10Ohm, 15V | TNP | 1200 V | 25A | 44A | 3V a 15V, 8A | 300 µJ (ligado), 285 µJ (desligado) | 65nC | 7ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50SKM35TG | - | ![]() | 1645 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | MOSFET (óxido metálico) | SP4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 99A (Tc) | 10V | 39mOhm @ 49,5A, 10V | 5V @ 5mA | 280 nC @ 10 V | ±30V | 14.000 pF a 25 V | - | 781W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF100DU120TG | - | ![]() | 5907 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP4 | 568W | padrão | SP4 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Fonte Dupla e Comum | TNP | 1200 V | 135A | 3,7 V a 15 V, 100 A | 350 µA | Sim | 6,9 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF90TDU60PG | - | ![]() | 5664 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP6 | 416 W | padrão | SP6-P | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Triplo, Duplo - Fonte Comum | TNP | 600V | 110A | 2,5V a 15V, 90A | 250 µA | Não | 4,3 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40SM120J | - | ![]() | 1130 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | SOT-227 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1200 V | 32A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 3V @ 1mA (típico) | 130 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2.560 pF a 1.000 V | - | 165W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6849 | - | ![]() | 8880 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/564 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | PARA-39 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 100V | 6,5A (Tc) | 10V | 320mOhm a 6,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 34,8 nC a 10 V | ±20V | - | 800mW (Ta), 25W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC1090M | - | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200ºC | Montagem em chassi | M220 | 220W | M220 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,4dB | 65V | 5,52A | - | 15 @ 500mA, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N7227 | - | ![]() | 2480 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) | MOSFET (óxido metálico) | TO-254AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 14A (Tc) | 10V | 415mOhm @ 14A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT6030BN | - | ![]() | 8188 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 600V | 23A (Tc) | 10V | 300mOhm a 11,5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF a 25 V | - | 360W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5025BN | - | ![]() | 2142 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 500 V | 23A (Tc) | 10V | 250mOhm a 11,5A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2.950 pF a 25 V | - | 310W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N6782 | - | ![]() | 8010 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | PARA-39 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 3,5A (Tc) | 10V | 600mOhm a 2,25A, 10V | 4 V a 250 µA | 8,1 nC a 10 V | ±20V | - | 800mW (Ta), 15W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMIL10 | - | ![]() | 3742 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200°C (TJ) | Chassi, montagem em pino | 55 pés | 28W | 55 pés | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB | 30V | 1,5A | NPN | 10 @ 200mA, 5V | 100MHz ~ 400MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5014SLLG/TR | - | ![]() | 5653 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS 7® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-247 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 35A (Tc) | 10V | 140mOhm a 17,5A, 10V | 5V @ 1mA | 72 nC @ 10 V | ±30V | 3261 pF a 25 V | - | 403W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT14050JVFR | - | ![]() | 3606 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Canal N | 1400 V | 23A (Tc) | 10V | 500 mOhm a 11,5 A, 10 V | 4V @ 5mA | 820 nC @ 10 V | ±30V | 13.500 pF a 25 V | - | 694W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM20UM05SG | - | ![]() | 1792 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo J3 | MOSFET (óxido metálico) | Módulo | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 317A (Tc) | 10V | 5mOhm @ 158,5A, 10V | 5V a 10mA | 448 nC @ 10 V | ±30V | 27.400 pF a 25 V | - | 1136W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT580U60D4G | - | ![]() | 8448 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | D4 | 1600 W | padrão | D4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 600V | 760A | 1,9V a 15V, 600A | 1mA | Não | 37 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75A1202G | - | ![]() | 9774 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP2 | 357 W | padrão | SP2 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 110A | 2,1V a 15V, 75A | 50 µA | Não | 5,34 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 75099 | - | ![]() | 6308 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK120TG | - | ![]() | 7742 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | 480W | padrão | SP4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 140A | 2,1V a 15V, 100A | 250 µA | Sim | 7,2 nF a 25 V |

Volume médio diário de RFQ

Unidade de produto padrão

Fabricantes mundiais

Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)