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Transistores (1315)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N3866A | - |  | 8199 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | PARA-39 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 30V | 400mA | NPN | 25 @ 50mA, 5V | 400MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APT12080JVR | - | | 3427 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1200 V | 15A (Tc) | 10V | 800mOhm a 7,5A, 10V | 4 V a 2,5 mA | 485 nC @ 10 V | ±30V | 7.800 pF a 25 V | - | 450W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 61111 | - | | 2828 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N3960UB | - | | 1666 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/399 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N3960 | 400 mW | UB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 12V | 10µA (ICBO) | NPN | 300mV @ 3mA, 30mA | 60 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 40036ST | - | | 4266 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TAN150A | - | | 5032 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1330-06H | - | | 5342 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT5022BNG | - | | 8230 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 500 V | 27A (Tc) | 10V | 220mOhm a 13,5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF a 25 V | - | 360W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| MS2575A | - | | 9629 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7224 | - | | 2605 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-254-3, TO-254AA (condutores retos) | MOSFET (óxido metálico) | TO-254AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 34A (Tc) | 10V | 81mOhm @ 34A, 10V | 4 V a 250 µA | 125 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| 2C5012 | - | | 3130 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | - | - | - | - | RoHS não compatível | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT94N65B2C3G | - | | 8606 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Variante TO-247-3 | APT94N65 | MOSFET (óxido metálico) | T-MAX™ [B2] | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 650 V | 94A (Tc) | 10V | 35mOhm @ 47A, 10V | 3,9 V a 5,8 mA | 580 nC @ 10 V | ±20V | 13.940 pF a 25 V | - | 833W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
| APTM20DUM05TG | - | | 9604 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | APTM20 | MOSFET (óxido metálico) | 1250 W | SP4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 200V | 333A | 5mOhm @ 166,5A, 10V | 4V @ 8mA | 1184nC @ 10V | 40800pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MS2473A | - | | 5741 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N5014 | - | | 5390 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 1W | PARA-5 | - | RoHS não compatível | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 900V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 @ 20mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6788U | - | | 4899 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/555 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 18-CLCC | MOSFET (óxido metálico) | 18-ULCC (9,14x7,49) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal N | 100V | 4,5A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 6A, 10V | 4 V a 250 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | - | 800 mW (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N6798 | - | | 7332 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/557 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | PARA-39 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 5,5A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 5,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 42,07 nC @ 10 V | ±20V | - | 800mW (Ta), 25W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT25H120T1G | - | | 6216 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | 156W | padrão | SP1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de ponte completa | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 40A | 2,1V a 15V, 25A | 250 µA | Sim | 1,8 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| 75099 | - | | 6308 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF330A60D3G | - | | 1768 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | Módulo D-3 | 1560 W | padrão | D3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | TNP | 600 V | 520A | 2,45V a 15V, 400A | 500 µA | Não | 18 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6770 | - | | 8496 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/543 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AE | MOSFET (óxido metálico) | TO-204AE (TO-3) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | APT45GR65SSCD10 | - | | 6599 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | APT45GR65 | padrão | 543W | D3Pak | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 433 V, 45 A, 4,3 Ohm, 15 V | 80 ns | TNP | 650 V | 118A | 224A | 2,4V a 15V, 45A | 203nC | 15ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||
| APT60M80JVR | - | | 1271 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600 V | 55A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 870 nC @ 10 V | ±30V | 14.500 pF a 25 V | - | 568W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| APT40SM120J | - | | 1130 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (óxido metálico) | SOT-227 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1200 V | 32A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 3V @ 1mA (típico) | 130 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2.560 pF a 1.000 V | - | 165W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| SD1057-01H | - | | 7524 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT58MJ50J | - | | 2451 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS 8™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | APT58MJ50 | MOSFET (óxido metálico) | ISOTOP® | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm a 42A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13.500 pF a 25 V | - | 540W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6784 | - | | 3264 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/556 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | TO-205AF (TO-39) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 2,25A (Tc) | 10V | 1,6 Ohm a 2,25 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 8,6 nC a 10 V | ±20V | - | 800mW (Ta), 15W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT30DSK60T3G | - | | 6698 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP3 | 90W | padrão | SP3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper Duplo Buck | Parada de campo de trincheira | 600 V | 50A | 1,9V a 15V, 30A | 250 µA | Sim | 1,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7224U | - | | 6410 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-267AB | MOSFET (óxido metálico) | TO-267AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 34A (Tc) | 10V | 81mOhm @ 34A, 10V | 4 V a 250 µA | 125 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | APTGFQ25H120T2G | - | | 6232 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | SP2 | APTGFQ25 | 227 W | padrão | SP2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Ponte Completa | NPT e Fieldstop | 1200 V | 40A | 2,1V a 15V, 25A | 250 µA | Sim | 2,02 nF a 25 V |
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