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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTC90H12T2G | - | ![]() | 3553 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP2 | APTC90 | MOSFET (óxido metálico) | 250W | SP2 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canais N (meia ponte) | 900V | 30A | 120mOhm a 26A, 10V | 3,5V a 3mA | 270nC @ 10V | 6800pF a 100V | Super Junção | |||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N4957UB | - | ![]() | 2690 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N4957 | 200mW | UB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 25dB | 30V | 30mA | PNP | 30 @ 5mA, 10V | - | 3,5 dB a 450 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6770 | - | ![]() | 4270 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AE | MOSFET (óxido metálico) | PARA-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | MS2348 | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTJC120AM13VCT1AG | - | ![]() | 1840 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | Módulo | APTJC120 | - | - | Módulo | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 7 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APTML20UM18R010T1AG | - | ![]() | 5077 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | MOSFET (óxido metálico) | SP1 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 109A (Tc) | 10V | 19mOhm a 50A, 10V | 4 V a 2,5 mA | ±30V | 9880 pF a 25 V | - | 480W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | C25-28A | - | ![]() | 1909 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8372GR2 | - | ![]() | 5767 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | 2,2W | 8-SO | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 8dB ~ 9,5dB | 16V | 200mA | NPN | 30 @ 50mA, 5V | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2315G | - | ![]() | 4841 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2214 | - | ![]() | 1053 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 250°C (TJ) | Montagem em chassi | M218 | 300W | M218 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 7,5dB | 55V | 8A | NPN | 20 @ 2A, 5V | 960 MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | STN6005 | - | ![]() | 7499 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | RoHS não compatível | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3251A | - | ![]() | 7162 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N3251 | 360 mW | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 200 mA | 10µA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
| MRF555T | - | ![]() | 9235 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Montagem em superfície | Macro de energia | MRF555 | 3W | Macro de energia | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 11dB ~ 12,5dB | 16V | 500mA | NPN | 50 @ 100mA, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150A170G | - | ![]() | 9825 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP6 | 890 W | padrão | SP6 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 1700V | 250A | 2,4V a 15V, 150A | 350 µA | Não | 13,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75A120TG | - | ![]() | 9116 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | 350 W | padrão | SP4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 100A | 2,1V a 15V, 75A | 250 µA | Sim | 5,34 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MSC80806 | - | ![]() | 1029 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100DA170D1G | - | ![]() | 5133 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | D1 | 695 W | padrão | D1 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1700V | 200A | 2,4V a 15V, 100A | 3 mA | Não | 8,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APT17N80SC3G | - | ![]() | 6620 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA | MOSFET (óxido metálico) | D3Pak | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 800V | 17A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 11A, 10V | 3,9V a 1mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2250 pF a 25 V | - | 208W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | 1214-30 | - | ![]() | 5303 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montagem em chassi | 55AW | 88W | 55AW | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB | 50V | 4A | NPN | 20 @ 500mA, 5V | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT30A60T1G | - | ![]() | 5070 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | 90W | padrão | SP1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 600V | 50A | 1,9V a 15V, 30A | 250 µA | Sim | 1,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100DDA60T3G | - | ![]() | 5509 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP3 | 340W | padrão | SP3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper de reforço duplo | Parada de campo de trincheira | 600V | 150A | 1,9V a 15V, 100A | 250 µA | Sim | 6,1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTM20DUM05TG | - | ![]() | 9604 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | APTM20 | MOSFET (óxido metálico) | 1250W | SP4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 200V | 333A | 5mOhm @ 166,5A, 10V | 4V @ 8mA | 1184nC @ 10V | 40800pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MS2554A | - | ![]() | 7265 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200ºC | Montagem em chassi | M216 | 600W | M216 | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 6,2dB | 65V | 17,8A | NPN | 15 @ 1A, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2502W | - | ![]() | 5090 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5022BNG | - | ![]() | 8230 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 500 V | 27A (Tc) | 10V | 220mOhm a 13,5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF a 25 V | - | 360W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7225U | - | ![]() | 2479 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-267AB | MOSFET (óxido metálico) | TO-267AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 27,4A (Tc) | 10V | 105mOhm a 27,4A, 10V | 4 V a 250 µA | 115 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | APT28F60S | - | ![]() | 3468 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS 8™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA | APT28F60 | MOSFET (óxido metálico) | D3Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600V | 30A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 1mA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 5575 pF a 25 V | - | 520W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | APTGF15A120T1G | - | ![]() | 8942 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP1 | 140W | padrão | SP1 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | TNP | 1200 V | 25A | 3,7V a 15V, 15A | 250 µA | Sim | 1 nF para 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2221AUB | 139.3710 | ![]() | 4378 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Bandeja | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N2221 | 500 mW | UB | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3810L/TR | - | ![]() | 6037 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | Lata metálica TO-78-6 | 2N3810 | PARA-78-6 | download | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 10µA (ICBO) | 2 PNP (duplo) | 250mV @ 100µA, 1mA | 150 @ 1mA, 5V | - |

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