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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 64051 | - | ![]() | 9149 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2422 | - | ![]() | 9221 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montagem em chassi | M138 | 875W | M138 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 6,3dB | 65V | 22A | NPN | 10 @ 1A, 5V | 960 MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50AM70FT1G | - | ![]() | 6015 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | APTM50 | MOSFET (óxido metálico) | 390W | SP1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (meia ponte) | 500V | 50A | 84mOhm @ 42A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 340nC @ 10V | 10800pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40SM120B | - | ![]() | 7432 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal N | 1200 V | 41A (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 3V @ 1mA (típico) | 130 nC @ 20 V | +25V, -10V | 2.560 pF a 1.000 V | - | 273W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7335 | - | ![]() | 8926 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/599 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 14 DIP (0,300", 7,62mm) | 2N733 | MOSFET (óxido metálico) | 1,4W | MO-036AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canais P | 100V | 750mA | 1,4 Ohm a 500 mA, 10 V | 4 V a 250 µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GS60BRDLG | - | ![]() | 1328 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | APT50GS60 | padrão | 415W | PARA-247 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 50 A, 4,7 Ohm, 15 V | TNP | 600V | 93A | 195A | 3,15V a 15V, 50A | 755 µJ (desligado) | 235nC | 16ns/225ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1006 | - | ![]() | 8980 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200ºC | Montagem em pino | M135 | 127W | M135 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 14dB | 55V | 3,25A | NPN | 19 @ 1,4A, 6V | 30MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N7381 | - | ![]() | 6692 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/614 | Bandeja | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-257-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-257 | download | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 9,4A (Tc) | 12V | 490mOhm @ 9,4A, 12V | 4V @ 1mA | 50 nC @ 12 V | ±20V | - | 2W (Ta), 75W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62144 | - | ![]() | 7652 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV50H60T3G | - | ![]() | 6755 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP3 | 176W | padrão | SP3 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de ponte completa | NPT, parada do campo de trincheira | 600V | 80A | 1,9V a 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3,15 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF90SK60TG | - | ![]() | 9341 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | 416 W | padrão | SP4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | TNP | 600V | 110A | 2,5V a 15V, 90A | 250 µA | Sim | 4,3 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5020SVRG | - | ![]() | 1482 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | - | Montagem em superfície | TO-268-3, D³Pak (2 derivações + guia), TO-268AA | MOSFET (óxido metálico) | D3 [S] | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 500 V | 26A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 225 nC @ 10 V | - | 4440 pF a 25 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2311 | - | ![]() | 4985 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DSKM45CT1G | - | ![]() | 1308 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | APTC60 | MOSFET (óxido metálico) | 250W | SP1 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 600V | 49A | 45mOhm a 24,5A, 10V | 3,9V a 3mA | 150nC @ 10V | 7200pF a 25V | Super Junção | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF559GT | - | ![]() | 3402 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | - | - | 2W | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 9,5dB | 16V | 150mA | NPN | 30 @ 50mA, 10V | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGLQ25H120T2G | - | ![]() | 9380 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | APTGLQ25 | 165W | padrão | SP2 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Ponte Completa | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 50A | 2,42V a 15V, 25A | 50 µA | Sim | 1,43 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1013 | - | ![]() | 2080 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montagem em chassi | M135 | 13W | M135 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 10dB | 35V | 1A | NPN | 10 @ 200mA, 5V | 150MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF25DSK120T3G | - | ![]() | 4415 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP3 | 208W | padrão | SP3 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper Duplo Buck | TNP | 1200 V | 40A | 3,7 V a 15 V, 25 A | 250 µA | Sim | 1,65 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2221AUA | 26.6266 | ![]() | 6490 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, sem chumbo | 2N2221 | 650 mW | UA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2200A | - | ![]() | 6040 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 61045 | - | ![]() | 7703 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF400U120D4G | - | ![]() | 7600 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | D4 | 2500 W | padrão | D4 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | TNP | 1200 V | 510A | 3,7V a 15V, 400A | 5 mA | Não | 26 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N5015S | - | ![]() | 7327 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS não compatível | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 1,8 V a 5 mA, 20 mA | 30 @ 20mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75DSK60T3G | - | ![]() | 3703 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP3 | 250W | padrão | SP3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper Duplo Buck | Parada de campo de trincheira | 600V | 100A | 1,9V a 15V, 75A | 250 µA | Sim | 4,62 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N5013 | - | ![]() | 3281 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 1W | PARA-5 | - | RoHS não compatível | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 @ 20mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 75096A | - | ![]() | 2812 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DA120D1G | - | ![]() | 9152 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | D1 | 700 W | padrão | D1 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 220A | 2,1V a 15V, 150A | 4mA | Não | 10,8 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6782 | - | ![]() | 7371 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/556 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | PARA-39 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 3,5A (Tc) | 10V | 610mOhm a 3,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 8,1 nC a 10 V | ±20V | - | 800mW (Ta), 15W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6768 | - | ![]() | 1623 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/543 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AE | MOSFET (óxido metálico) | PARA-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 14A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 14A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 62091 | - | ![]() | 3637 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 |

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