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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Figura de ruído (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTM20DHM16TG | - | ![]() | 4225 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | APTM20 | MOSFET (óxido metálico) | 390W | SP4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) assimétricos | 200V | 104A | 19mOhm @ 52A, 10V | 5 V a 2,5 mA | 140nC @ 10V | 7220pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 64077 | - | ![]() | 4072 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT6040BN | - | ![]() | 3651 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AD | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 600V | 18A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2.950 pF a 25 V | - | 310W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2221AUB | 139.3710 | ![]() | 4378 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Bandeja | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N2221 | 500 mW | UB | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1V a 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| APT50GF60JCU2 | - | ![]() | 4817 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassi, montagem em pino | SOT-227-4, miniBLOC | 277 W | padrão | SOT-227 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | TNP | 600V | 70A | 2,45V a 15V, 50A | 250 µA | Não | 2,2 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT35A120D1G | - | ![]() | 5031 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | - | Montagem em chassi | D1 | 205W | padrão | D1 | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 55A | 2,1V a 15V, 35A | 5 mA | Não | 2,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGF75DA120T1G | - | ![]() | 6340 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP1 | 500 W | padrão | SP1 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | TNP | 1200 V | 100A | 3,7 V a 15 V, 75 A | 250 µA | Sim | 5,1 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||
| MRF555T | - | ![]() | 9235 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Montagem em superfície | Macro de energia | MRF555 | 3W | Macro de energia | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 11dB ~ 12,5dB | 16V | 500mA | NPN | 50 @ 100mA, 5V | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N7335 | - | ![]() | 9646 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/599 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 14 DIP (0,300", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (óxido metálico) | 1,4W | MO-036AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canais P | 100V | 750mA | 1,4 Ohm a 500 mA, 10 V | 4 V a 250 µA | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | APTGL325DA120D3G | - | ![]() | 6170 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo D-3 | 1500W | padrão | D3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 420A | 2,2V a 15V, 300A | 5 mA | Não | 18,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DAM24T1G | - | ![]() | 4965 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | MOSFET (óxido metálico) | SP1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 600V | 95A (Tc) | 10V | 24mOhm a 47,5A, 10V | 3,9 V a 5 mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 14.400 pF a 25 V | - | 462W (Tc) | |||||||||||||||||||
| APTGF350DA60G | - | ![]() | 8006 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP6 | 1562 W | padrão | SP6 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | TNP | 600V | 430A | 2,5V a 15V, 360A | 200 µA | Não | 17,2 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DA170D1G | - | ![]() | 7140 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | D1 | 310 W | padrão | D1 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1700V | 70A | 2,4V a 15V, 50A | 6 mA | Não | 4,4 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
| 2N3866A | - | ![]() | 8199 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 1W | PARA-39 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 30V | 400mA | NPN | 25 @ 50mA, 5V | 400MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT35DA120D1G | - | ![]() | 6218 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | D1 | 205W | padrão | D1 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 55A | 2,1V a 15V, 35A | 5 mA | Não | 2,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGT30A60T1G | - | ![]() | 5070 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP1 | 90W | padrão | SP1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 600V | 50A | 1,9V a 15V, 30A | 250 µA | Sim | 1,6 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTCV60HM70BT3G | - | ![]() | 1969 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | SP3 | 250W | padrão | SP3 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Boost Chopper, ponte completa | Parada de campo de trincheira | 600V | 50A | 1,9V a 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3,15 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50TA120PG | - | ![]() | 3607 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP6 | 312 W | padrão | SP6-P | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Trifásico | TNP | 1200 V | 75A | 3,7 V a 15 V, 50 A | 250 µA | Não | 3,45 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||
| APTGF350DU60G | - | ![]() | 9252 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem em chassi | SP6 | 1562 W | padrão | SP6 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Fonte Dupla e Comum | TNP | 600V | 430A | 2,5V a 15V, 360A | 200 µA | Não | 17,2 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6790U | - | ![]() | 5573 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 18-CLCC | MOSFET (óxido metálico) | 18-ULCC (9,14x7,49) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 2,8A(Tc) | 10V | 800mOhm a 2,25A, 10V | 4 V a 250 µA | 14,3 nC a 10 V | ±20V | - | 800 mW (Tc) | |||||||||||||||||||
| APT75GN120J | - | ![]() | 8164 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | ISOTOP | 379 W | padrão | ISOTOP® | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Solteiro | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 124A | 2,1V a 15V, 75A | 100 µA | Não | 4,8 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8372GR1 | - | ![]() | 5172 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | 2,2W | 8-SO | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 8dB ~ 9,5dB | 16V | 200mA | NPN | 30 @ 50mA, 5V | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5812MR1 | - | ![]() | 1433 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DH60TG | - | ![]() | 4719 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | SP4 | 176 W | padrão | SP4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Ponte Assimétrica | Parada de campo de trincheira | 600V | 80A | 1,9V a 15V, 50A | 250 µA | Sim | 3,15 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6898 | - | ![]() | 4635 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-3 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | Canal P | 100V | 25A (Tc) | 10V | 200mOhm a 15,8A, 10V | 4 V a 250 µA | ±20V | 3000 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N7227U | - | ![]() | 4202 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-267AB | MOSFET (óxido metálico) | TO-267AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 14A (Tc) | 10V | 415mOhm @ 14A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | 64042 | - | ![]() | 1124 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não aplicável | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10A030 | - | ![]() | 3441 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montagem em pino | 55 pés | 13W | 55 pés | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,8dB ~ 8,5dB | 24V | 1,5A | NPN | 20 @ 200mA, 5V | 2,5GHz | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT25A120D1G | - | ![]() | 6254 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado na SIC | - | Montagem em chassi | D1 | 140 W | padrão | D1 | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de campo de trincheira | 1200 V | 40A | 2,1V a 15V, 25A | 5 mA | Não | 1,8 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6768 | - | ![]() | 6393 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/543 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AE | MOSFET (óxido metálico) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 400V | 14A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 14A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | - | 4W (Ta), 150W (Tc) |

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