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Transistores (1315)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx2N3251AUB | - |  | 1639 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N3251 | 360 MW | Ub | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | Pnp | 500mv @ 5Ma, 50Ma | 100 @ 10Ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2N7227U | - | | 6780 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/592 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-267AB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-267AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 14a (TC) | 10V | 415mohm @ 14a, 10v | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| SD1430-02 | - | | 9209 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT20N60BC3G | - | | 3471 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT150A1202G | - | | 7537 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP2 | 690 w | Padrão | SP2 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150a | 50 µA | Não | 10.7 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| SD1400-03 | - | | 6099 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1336 | - | | 6180 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Chassi, montagem em pântano | M135 | 70W | M135 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB | 18V | 8a | Npn | 20 @ 250mA, 5V | 175MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 75102 | - | | 9199 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7335 | - | | 2042 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | MO-036AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canal P. | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500MA, 10V | 4V A 250µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT200SK60TG | - | | 8084 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | 625 w | Padrão | Sp4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V, 200a | 250 µA | Sim | 12.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| APTGT75SK60T1G | - | | 8048 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | 250 w | Padrão | SP1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | Sim | 4,62 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5014S | - | | 2439 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/727 | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 MA | 10na (ICBO) | Npn | 1.6V @ 5MA, 20MA | 30 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| SD1372-01H | - | | 3176 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPR1000 | - | | 5851 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55kV | 2900W | 55kV | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6dB | 65V | 80a | Npn | 10 @ 1A, 5V | 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N6249T1 | - | | 1650 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/510 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 2N6249 | 6 w | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 10 a | 1Ma | Npn | 1.5V @ 1A, 10A | 10 @ 10A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| MS2473 | - | | 1946 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M112 | 2300W | M112 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6dB | 65V | 46a | Npn | 5 @ 1A, 5V | 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5091 | 19.0722 | | 8472 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Ativo | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt8024b2llg | 25.7000 | | 5 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | T-MAX ™ [B2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 31a (TC) | 10V | 240mohm @ 15.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 160 nc @ 10 V | ± 30V | 4670 pf @ 25 V | - | 565W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| APTC80DSK29T3G | - | | 6852 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTC80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 156W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 800V | 15a | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3.9V @ 1MA | 90NC @ 10V | 2254pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGF15H120T3G | - | | 5679 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | SP3 | 140 w | Padrão | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Ponte Conclua | NPT | 1200 v | 25 a | 3.7V @ 15V, 15A | 250 µA | Sim | 1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| APT45GR65BSCD10 | - | | 5467 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | APT45GR65 | Padrão | 543 w | To-247 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V, 45A, 4.3OHM, 15V | 80 ns | NPT | 650 v | 118 a | 224 a | 2.4V @ 15V, 45a | 203 NC | 15ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||
| MS22214 | - | | 1053 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 250 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M218 | 300W | M218 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 7.5dB | 55V | 8a | Npn | 20 @ 2A, 5V | 960MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTGV100H60BTPG | - | | 9515 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem do chassi | Sp6 | 340 w | Padrão | Sp6-p | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Boost Chopper, Ponte Completa | NPT, Parada de Campo da Trincheira | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | Sim | 6.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| MDS70 | - | | 9511 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 55cx | 225W | 55cx | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10.3db ~ 11.65db | 65V | 5a | Npn | 20 @ 500mA, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS2422 | - | | 9221 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Montagem do chassi | M138 | 875W | M138 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.3db | 65V | 22a | Npn | 10 @ 1A, 5V | 960MHz ~ 1.215 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF400U120D4G | - | | 7600 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | D4 | 2500 w | Padrão | D4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | NPT | 1200 v | 510 a | 3.7V @ 15V, 400A | 5 MA | Não | 26 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| MSC80806 | - | | 1029 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pp8979 | - | | 2094 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Volume | Obsoleto | - | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 68231H | - | | 7101 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | - | Não Aplicável | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT5022BNG | - | | 8230 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 27a (TC) | 10V | 220mohm @ 13.5a, 10V | 4V @ 1MA | 210 nc @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 360W (TC) |
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