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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Quebra (V (BR) GSS) | Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tensão - Corte (VGS desligado) @ id | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDP6030PL | 1.0000 | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal P. | 30 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 19a, 10V | 2V A 250µA | 36 NC @ 5 V | ± 16V | 1570 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQB65N06TM | 0,8800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 65a (TC) | 10V | 16mohm @ 32.5a, 10V | 4V A 250µA | 65 nc @ 10 V | ± 25V | 2410 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N50TF | 0,5100 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 500 v | 3.5a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.75A, 10V | 5V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 610 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQB6N70TM | 2.2500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 700 v | 6.2a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 3.1a, 10V | 5V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 142W (TC) | |||||||||||||||||||||
FDW258p | 1.3600 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P. | 12 v | 9a (ta) | 1.8V, 4.5V | 11mohm @ 9a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 73 NC @ 4,5 V | ± 8V | 5049 pf @ 5 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76407D3 | 0,3700 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 60 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 13a, 10V | 3V A 250µA | 11,3 nc @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76407D3S | 0,2300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 13a, 10V | 3V A 250µA | 11,3 nc @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NZT6727 | 1.0000 | ![]() | 2702 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-3 | 1 w | SOT-223-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 40 v | 1.5 a | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 100ma, 1a | 50 @ 1A, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05 | 1.0000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | RFD16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Rohs Não Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 v | 16a (TC) | 10V | 47mohm @ 16a, 10v | 4V A 250µA | 80 nc @ 20 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQB45N15V2TM | - | ![]() | 6616 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 166 | N-canal | 150 v | 45a (TC) | 10V | 40mohm @ 22.5a, 10V | 4V A 250µA | 94 NC @ 10 V | ± 30V | 3030 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FQB3P20TM | 0,4100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 200 v | 2.8a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.4a, 10V | 5V A 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUF76619D3S | 0,3200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10V | 3V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUF76437S3S | 0,5300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 71a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 71a, 10V | 3V A 250µA | 71 nc @ 10 V | ± 16V | 2230 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQB2P40TM | 0,4100 | ![]() | 4027 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 29 | Canal P. | 400 v | 2a (TC) | 10V | 6.5OHM @ 1A, 10V | 5V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 63W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75332S3S | 1.0000 | ![]() | 8831 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 60a (TC) | 10V | 19mohm @ 60a, 10V | 4V A 250µA | 85 nc @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V2040P3 | 1.0000 | ![]() | 8532 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | EcoSmark® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Lógica | 130 w | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 430 v | 10 a | 1.9V @ 4V, 6a | - | 12 NC | -/3,64µs | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSA643Cyta | 0,0400 | ![]() | 6054 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.850 | 20 v | 500 MA | 200na (ICBO) | Pnp | 400mv @ 50Ma, 500mA | 120 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI11P06TU | 0,3700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 60 v | 11.4a (TC) | 10V | 175mohm @ 5.7a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 53W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CYBU | - | ![]() | 3933 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 250 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 300mv @ 10ma, 100mA | 120 @ 1MA, 6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N50TM | 0,9000 | ![]() | 485 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 v | 9a (TC) | 10V | 730mohm @ 4.5a, 10V | 5V A 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1450 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Ksp24ta | 0,0200 | ![]() | 9807 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 135 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 350 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.407 | 30 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | - | 30 @ 8MA, 10V | 620MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | J270 | 0,2300 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 350 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | Canal P. | - | 30 v | 2 mA a 15 V | 500 mV @ 1 NA | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75229P3 | 0,7900 | ![]() | 161 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 50 v | 44a (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 4V A 250µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | KST4126MTF | 0,0200 | ![]() | 89 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 200 MA | 50na (ICBO) | Pnp | 400mV @ 5MA, 50MA | 120 @ 2MA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF1P50 | 1.0000 | ![]() | 5867 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | - | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 500 v | 1.03a (TC) | 10V | 10.5Ohm @ 515mA, 10V | 5V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N4401NLBU | 0,2900 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 600 mA | - | Npn | 750mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP040N06 | 1.7300 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4mohm @ 75a, 10V | 4.5V a 250µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 8235 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQD1N50TM | 0,5300 | ![]() | 241 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 v | 1.1a (TC) | 10V | 9OHM @ 550MA, 10V | 5V A 250µA | 5,5 nc @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQI12N60TU | 1.3100 | ![]() | 627 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 10.5a (TC) | 10V | 700mohm @ 5.3a, 10V | 5V A 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDS3601 | 0,3700 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS36 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 1.3a | 480mohm @ 1.3a, 10V | 4V A 250µA | 5NC @ 10V | 153pf @ 50V | Portão de Nível Lógico |
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