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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Tensão Acoplada à Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS Tensão Acoplada à CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS
FDPF10N50UT Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT 0,8600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 351 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 1.05OHM @ 4A, 10V 5V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 1130 pf @ 25 V - 42W (TC)
FQI10N20CTU Fairchild Semiconductor FQI10N20CTU 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
IRF610A Fairchild Semiconductor IRF610A -
RFQ
 ECAD 9339 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 3.3a ​​(TC) 10V 1.5OHM @ 1.65a, 10V 4V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 210 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDMF6823 Fairchild Semiconductor FDMF6823 -
RFQ
 ECAD 1548 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-FDMF6823-600039 1
IRFM220BTF Fairchild Semiconductor IRFM220BTF 0,2900
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 v 1.13a (TC) 10V 800mohm @ 570mA, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 2.4W (TC)
FQP8N60C Fairchild Semiconductor FQP8N60C 1.2200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 247 N-canal 7.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 3.75A, 10V 4V A 250µA 36 ± 30V 1255 - 147W (TC) 10 25
FQD20N06TM Fairchild Semiconductor FQD20N06TM -
RFQ
 ECAD 4146 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 16.8a (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 38W (TC)
FDT459N Fairchild Semiconductor FDT459N 0,4400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA FDT45 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.500 N-canal 30 v 6.5a (ta) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.5a, 10V 2V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 365 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDP13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDP13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 4876 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 10.9a (ta), 62a (tc) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 115W (TC)
FDC654P Fairchild Semiconductor FDC654P 0,1700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8541.29.0095 1.789 Canal P. 30 v 3.6a (ta) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 3V A 250µA 9 nc @ 10 V ± 20V 298 pf @ 15 V - 1.6W (TA)
HUF75345S3S Fairchild Semiconductor HUF75345S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 1906 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
RFQ
 ECAD 1960 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 N-canal - 35 v 5 mA a 15 V 1 V @ 1 µA 50 ohms
FDS4410A Fairchild Semiconductor FDS4410A 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS44 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 10a (ta) 13.5mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 16 nc @ 5 V 1205 pf @ 15 V - -
FDA16N50-F109 Fairchild Semiconductor FDA16N50-F109 1.5600
RFQ
 ECAD 270 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 270 N-canal 500 v 16.5a (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 205W (TC)
FDMA0104 Fairchild Semiconductor FDMA0104 0,3100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto FDMA01 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 N-canal 20 v 9.4a (ta) 14.5mohm @ 9.4a, 4.5V 1V a 250µA 17,5 nc @ 4,5 V 1680 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FDS6689S Fairchild Semiconductor FDS6689S 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 16a (ta) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10V 3V @ 1Ma 78 NC @ 10 V ± 20V 3290 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDZ372NZ Fairchild Semiconductor FDZ372NZ 1.3600
RFQ
 ECAD 978 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (1x1) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 5.000 N-canal 20 v 4.7a (ta) 50mohm @ 2a, 4.5V 1V a 250µA 9,8 nc @ 4,5 V 685 pf @ 10 V - 1.7W (TA)
HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75332S3ST 0,4700
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 60a (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
FGA25S125P Fairchild Semiconductor FGA25S125P -
RFQ
 ECAD 6471 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA25S125 Padrão 250 w TO-3PN download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 - Parada de Campo da Trinceira 1250 v 50 a 75 a 2.35V @ 15V, 25A - 204 NC -
FQI7N80TU Fairchild Semiconductor Fqi7n80tu -
RFQ
 ECAD 1520 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
FQP3N60 Fairchild Semiconductor Fqp3n60 0,5900
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 3a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.5a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 75W (TC)
FGL40N120ANTU Fairchild Semiconductor FGL40N120ANTU 8.9200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA Padrão 500 w HPM F2 download Ear99 8542.39.0001 1 600V, 40A, 5OHM, 15V NPT 1200 v 64 a 160 a 3.2V @ 15V, 40A 2,3mj (ON), 1,1MJ (Desligado) 220 NC 15ns/110ns
FDS8926 Fairchild Semiconductor FDS8926 0,9400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDS89 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
FDZ375P Fairchild Semiconductor FDZ375P 1.5400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (1x1) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 3.7a (ta) 1.5V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5V 1.2V a 250µA 15 NC a 4,5 V ± 8V 865 pf @ 10 V - 1.7W (TA)
ISL9N322AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N322AS3ST 1.0300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 35a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 35a, 10V 3V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 970 pf @ 15 V - 50W (TA)
FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FQD5N40TM 0,4400
RFQ
 ECAD 157 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 400 v 3.4a (TC) 10V 1.6OHM @ 1.7A, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDN358P Fairchild Semiconductor FDN358P -
RFQ
 ECAD 6844 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN358 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Supersot-3 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 30 v 1.5a (ta) 4.5V, 10V 125mohm @ 1.5a, 10V 3V A 250µA 5,6 nc @ 10 V ± 20V 182 pf @ 15 V - 500mW (TA)
FDP8443 Fairchild Semiconductor FDP8443 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 40 v 20A (TA), 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 9310 pf @ 25 V - 188W (TC)
KSD1408OTU Fairchild Semiconductor KSD1408OTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9824 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 25 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µA (ICBO) Npn 1.5V @ 300Ma, 3a 70 @ 500MA, 5V 8MHz
FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS5361L-F085 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power56 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDMS5361L-F085-600039 1 N-canal 60 v 35a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 16.5a, 10V 3V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1980 pf @ 25 V - 75W (TC)
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