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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
HUF76645S3S Fairchild Semiconductor HUF76645S3S 2.0200
RFQ
 ECAD 3766 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5 N-canal 100 v 75a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 153 NC @ 10 V ± 16V 4400 pf @ 25 V - 310W (TC)
HUF76609D3S Fairchild Semiconductor HUF76609D3S 0,3900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 v 10a (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
KSE5020S Fairchild Semiconductor KSE5020S 1.0000
RFQ
 ECAD 2732 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 30 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 500 v 3 a 10µA (ICBO) Npn 1V @ 300MA, 1.5A 15 @ 300mA, 5V 18MHz
FDMS8660AS Fairchild Semiconductor FDMS8660As 0,9500
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 28a (ta), 49a (tc) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 28a, 10V 3V @ 1Ma 83 nc @ 10 V ± 20V 5865 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
FQP2NA90 Fairchild Semiconductor Fqp2na90 0,5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 900 v 2.8a (TC) 10V 5.8OHM @ 1.4A, 10V 5V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 680 pf @ 25 V - 107W (TC)
FQA10N80 Fairchild Semiconductor FQA10N80 1.7100
RFQ
 ECAD 58 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 800 v 9.8a (TC) 10V 1.05OHM @ 4.9A, 10V 5V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 25 V - 240W (TC)
FDI025N06 Fairchild Semiconductor FDI025N06 3.0400
RFQ
 ECAD 8621 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 29 N-canal 60 v 265a (TC) 10V 2.5mohm @ 75a, 10V 4.5V a 250µA 226 NC @ 10 V ± 20V 14885 PF @ 25 V - 395W (TC)
NDP7050 Fairchild Semiconductor NDP7050 2.4000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 50 v 75a (TC) 10V 13mohm @ 40a, 10V 4V A 250µA 115 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 150W (TC)
FQPF12N60 Fairchild Semiconductor FQPF12N60 2.8800
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 5.8a (TC) 10V 700mohm @ 2.9a, 10V 5V A 250µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 55W (TC)
NDS352P Fairchild Semiconductor NDS352p 0,3000
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 987 Canal P. 20 v 850mA (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 1a, 10v 2,5V a 250µA 4 nc @ 5 V ± 12V 125 pf @ 10 V - 500mW (TA)
FDD1600N10ALZD Fairchild Semiconductor FDD1600N10AlzD -
RFQ
 ECAD 8629 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-4 download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 6.8a (TC) 5V, 10V 160mohm @ 3.4a, 10V 2,8V a 250µA 3,61 nc @ 10 V ± 20V 225 pf @ 50 V - 14.9W (TC)
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0,3700
RFQ
 ECAD 860 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 860 Canal P. 100 v 5.3a (TC) 10V 530mohm @ 2.65a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 470 pf @ 25 V - 28W (TC)
FQPF8N60CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf8n60cydtu 1.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, FiOS Formados MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 (FORMAÇÃO Y) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 7.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 3.75A, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1255 pf @ 25 V - 48W (TC)
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 500 v 22a (TC) 230mohm @ 11a, 10V 5V A 250µA 59,5 nc @ 10 V 3120 pf @ 25 V -
FDM3300NZ Fairchild Semiconductor FDM3300NZ 2.4400
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn FDM3300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW Power33 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 10a 23mohm @ 10a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1610pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FJV3111RMTF Fairchild Semiconductor Fjv3111rmtf -
RFQ
 ECAD 4062 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv311 200 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 22 Kohms
SS9015BTA Fairchild Semiconductor SS9015BTA 0,0200
RFQ
 ECAD 2898 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 450 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 12.384 45 v 100 ma 50na (ICBO) Pnp 700MV @ 5MA, 100mA 100 @ 1MA, 5V 190MHz
FDD24AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD24AN06LA0 1.1300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 7.1a (ta), 40a (tc) 5V, 10V 19mohm @ 40a, 10V 2V A 250µA 21 NC @ 5 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 75W (TC)
FMG2G300US60 Fairchild Semiconductor FMG2G300US60 -
RFQ
 ECAD 5459 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ia 892 w Padrão 19: 00-ia download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte - 600 v 300 a 2.7V @ 15V, 300A 250 µA Não
FQB20N06TM Fairchild Semiconductor FQB20N06TM 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 20a (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 53W (TC)
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor FDS7066ASN3 1.1900
RFQ
 ECAD 623 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 19a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 19a, 10V 3V @ 1Ma 62 NC @ 10 V ± 20V 2460 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDS7088SN3 Fairchild Semiconductor FDS7088SN3 1.4100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 21a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 21a, 10V 3V @ 1Ma 80 nc @ 10 V ± 20V 3230 pf @ 15 V - 3W (TA)
FMG1G100US60H Fairchild Semiconductor FMG1G100US60H 41.1600
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ga 400 w Padrão 19: 00-ga download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 15 Solteiro - 600 v 100 a 2.8V @ 15V, 100A 250 µA Não 10,84 NF @ 30 V
TN3440A Fairchild Semiconductor TN3440A 0,0700
RFQ
 ECAD 1238 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-226-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 833 250 v 100 ma 50µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V 15MHz
FDS8947A Fairchild Semiconductor FDS8947A 1.9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS89 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 30V 4a 52mohm @ 4a, 10V 3V A 250µA 27NC @ 10V 730pf @ 15V Portão de Nível Lógico
TN2907A Fairchild Semiconductor TN2907A 0,2700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-226-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.500 60 v 800 mA 10na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
FGH20N6S2 Fairchild Semiconductor FGH20N6S2 1.0000
RFQ
 ECAD 2465 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 125 w To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 150 390V, 7A, 25OHM, 15V - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7a 25µJ (ON), 58µJ (Desligado) 30 NC 7.7ns/87ns
FQP5N40 Fairchild Semiconductor FQP5N40 -
RFQ
 ECAD 5148 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 400 v 4.5a (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 70W (TC)
FQI2N90TU Fairchild Semiconductor Fqi2n90tu 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 900 v 2.2a (TC) 10V 7.2Ohm @ 1.1a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
FQH140N10 Fairchild Semiconductor FQH140N10 -
RFQ
 ECAD 7619 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 N-canal 100 v 140A (TC) 10V 10mohm @ 70A, 10V 4V A 250µA 285 nc @ 10 V ± 25V 7900 pf @ 25 V - 375W (TC)
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