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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
KSH122TF Fairchild Semiconductor KSH122TF -
RFQ
 ECAD 8567 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 100 v 8 a 10µA NPN - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4A, 4V -
2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2N5550TFR 0,0400
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 7.416 140 v 600 mA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 300MHz
KSD986YSTSSTU Fairchild Semiconductor KSD986YSTSSTU 1.0000
RFQ
 ECAD 3733 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 1 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.880 80 v 1.5 a 10µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 8000 @ 1A, 2V -
FDS5692Z Fairchild Semiconductor FDS5692Z 1.0700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 50 v 5.8a (ta) 4.5V, 10V 24mohm @ 5.8a, 10V 3V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1025 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FQT7N10LTF Fairchild Semiconductor FQT7N10LTF -
RFQ
 ECAD 1393 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 1.7a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 850mA, 10V 2V A 250µA 6 nc @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 2W (TC)
FDA8440 Fairchild Semiconductor FDA8440 3.9800
RFQ
 ECAD 7543 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 30a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 80a, 10V 3V A 250µA 450 nc @ 10 V ± 20V 24740 pf @ 25 V - 306W (TC)
SFU9014TU Fairchild Semiconductor SFU9014TU 0,2600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-SFU9014TU-600039 1
FDS6898AZ-F085 Fairchild Semiconductor FDS6898AZ-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 9659 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDS6898AZ-F085-600039 1
FQA27N25 Fairchild Semiconductor FQA27N25 1.5900
RFQ
 ECAD 712 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 189 N-canal 250 v 27a (TC) 10V 110mohm @ 13.5a, 10V 5V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 210W (TC)
FGY75N60SMD Fairchild Semiconductor FGY75N60SMD -
RFQ
 ECAD 5735 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante Padrão 750 w PowerTO-247-3 download Ear99 8542.39.0001 1 400V, 75A, 3OHM, 15V 55 ns Parada de Campo 600 v 150 a 225 a 2.5V @ 15V, 75A 2,3MJ (ON), 770µJ (Desligado) 248 NC 24ns/136ns
ISL9N312AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3ST 0,2900
RFQ
 ECAD 138 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1450 PF @ 15 V - 75W (TA)
IRLM120ATF Fairchild Semiconductor IRLM120ATF -
RFQ
 ECAD 3206 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-Irlm120ATF-600039 1 N-canal 100 v 2.3a (TC) 5V 220mohm @ 1.15a, 5V 2V A 250µA 15 nc @ 5 V ± 20V 440 pf @ 25 V - 2.7W (TC)
2SA1708T-AN Fairchild Semiconductor 2SA1708T-AN -
RFQ
 ECAD 8379 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco SC-71 1 w 3-nmp - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-2SA1708T-AN-600039 1 100 v 1 a 100na Pnp 600mv @ 40mA, 400mA 200 @ 100mA, 5V 120MHz
NZT6715 Fairchild Semiconductor NZT6715 -
RFQ
 ECAD 3259 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 1 w SOT-223-4 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-NZT6715-600039 1 40 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 1a 60 @ 100mA, 1V -
HGTG40N60C3 Fairchild Semiconductor HGTG40N60C3 -
RFQ
 ECAD 7264 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ufs Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 291 w To-247 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HGTG40N60C3-600039 1 480V, 40A, 3OHM, 15V - 600 v 75 a 300 a 1.8V @ 15V, 40A 850MJ (ON), 1MJ (OFF) 395 NC 47ns/185ns
HGTG7N60A4D Fairchild Semiconductor HGTG7N60A4D -
RFQ
 ECAD 3040 0,00000000 Semicondutor Fairchild SMPS Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 125 w To-247-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HGTG7N60A4D-600039 1 390V, 7A, 25OHM, 15V 34 ns - 600 v 34 a 56 a 2.7V @ 15V, 7a 55µJ (ON), 60µJ (Desligado) 37 NC 11ns/100ns
RFP50N06 Fairchild Semiconductor RFP50N06 -
RFQ
 ECAD 6246 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-RFP50N06-600039 1 N-canal 60 v 50a (TC) 10V 22mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
MMBT6515 Fairchild Semiconductor MMBT6515 -
RFQ
 ECAD 1506 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-MMBT6515-600039 1 25 v 200 MA 50na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 50Ma 250 @ 2MA, 10V -
HUF75332P3 Fairchild Semiconductor HUF75332P3 -
RFQ
 ECAD 4297 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HUF75332P3-600039 1 N-canal 55 v 60a (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
KSC3265YMTF Fairchild Semiconductor Ksc3265ymtf -
RFQ
 ECAD 4202 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-KSC3265YMTF-600039 1 25 v 800 mA 100na Npn 400mv @ 20Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 120MHz
FQAF44N08 Fairchild Semiconductor FQAF44N08 0,8300
RFQ
 ECAD 720 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 80 v 35.6a (TC) 10V 34mohm @ 17.8a, 10V 4V A 250µA 50 nc @ 10 V ± 25V 1430 PF @ 25 V - 83W (TC)
FDU6N50TU Fairchild Semiconductor FDU6N50TU 0,4100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 500 v 6a (TC) 10V 900MOHM @ 3A, 10V 5V A 250µA 16,6 nc @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 89W (TC)
BC850AMTF Fairchild Semiconductor BC850Amtf 0,0200
RFQ
 ECAD 121 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
FQPF9N25C Fairchild Semiconductor FQPF9N25C -
RFQ
 ECAD 5673 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 8.8a (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 710 pf @ 25 V - 38W (TC)
KSC2310YBU Fairchild Semiconductor KSC2310YBU 0,0500
RFQ
 ECAD 118 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 800 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 500 150 v 50 MA 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 120 @ 10MA, 5V 100MHz
FQP9N08L Fairchild Semiconductor FQP9N08L 0,2700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 9.3a (TC) 5V, 10V 210mohm @ 4.65a, 10V 5V A 250µA 6.1 NC @ 5 V ± 20V 280 pf @ 25 V - 40W (TC)
HUF75645P3 Fairchild Semiconductor HUF75645P3 -
RFQ
 ECAD 3066 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 75a (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V 310W (TC)
FQU4N25TU Fairchild Semiconductor Fqu4n25tu 0,4600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 70 N-canal 250 v 3a (TC) 10V 1.75OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 5,6 nc @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
2N5401_D28Z Fairchild Semiconductor 2N5401_D28Z 1.0000
RFQ
 ECAD 2181 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 - Não Aplicável Ear99 8541.21.0075 2.000 150 v 600 mA 50na (ICBO) Pnp 500mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 400MHz
2N4125BU Fairchild Semiconductor 2N4125BU -
RFQ
 ECAD 6970 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.000 30 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 50 @ 2MA, 1V -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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