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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor IRFR210BTF 0,2400
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 200 v 2.7a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.35A, 10V 4V A 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
KSC838COBU Fairchild Semiconductor KSC838COBU 0,0300
RFQ
 ECAD 4448 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 9.745 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 1Ma, 10MA 70 @ 2MA, 12V 250MHz
HUFA75639S3ST-F085A Fairchild Semiconductor HUFA75639S3ST-F085A 1.0300
RFQ
 ECAD 766 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Não Aplicável 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 56a (TC) 25mohm @ 56a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
BC308 Fairchild Semiconductor BC308 -
RFQ
 ECAD 4627 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.036 25 v 100 ma 15Na Pnp 500mv @ 5Ma, 100mA 120 @ 2MA, 5V 130MHz
2SA608NG-NPA-AT Fairchild Semiconductor 2SA608NG-NPA-AT 0,0500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 500 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.500 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 280 @ 1MA, 6V 200MHz
FDD6670AS Fairchild Semiconductor FDD6670As 1.3500
RFQ
 ECAD 6386 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 162 N-canal 30 v 76a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 1Ma 40 nc @ 10 V ± 20V 1580 pf @ 15 V - 70W (TA)
IRFR330BTM Fairchild Semiconductor IRFR330BTM -
RFQ
 ECAD 5841 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 4.5a (TC) 10V 1OHM @ 2.25A, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
SI9936DY Fairchild Semiconductor SI9936DY -
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) SI9936 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V a 250µA 35NC @ 10V 525pf @ 15V -
BC556CTA Fairchild Semiconductor BC556CTA 0,0200
RFQ
 ECAD 617 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
SFP9Z14 Fairchild Semiconductor SFP9Z14 -
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 6.7a (TC) 10V 500mohm @ 3.4a, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
FQB1P50TM Fairchild Semiconductor FQB1P50TM -
RFQ
 ECAD 1733 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 500 v 1.5a (TC) 10V 10.5Ohm @ 750Ma, 10V 5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 63W (TC)
KSE13009TU Fairchild Semiconductor KSE13009TU -
RFQ
 ECAD 8878 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSE13009 To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - Npn 3V @ 3A, 12A 8 @ 5A, 5V 4MHz
FQA34N20L Fairchild Semiconductor FQA34N20L 1.3900
RFQ
 ECAD 669 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 200 v 34a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 17a, 10V 2V A 250µA 72 NC @ 5 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 210W (TC)
FDD20AN06A0 Fairchild Semiconductor FDD20AN06A0 1.0000
RFQ
 ECAD 3032 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 8a (ta), 45a (tc) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 90W (TC)
FDD6606 Fairchild Semiconductor FDD6606 0,7200
RFQ
 ECAD 214 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 75A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 17a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TC)
FDA2712 Fairchild Semiconductor FDA2712 9.5400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 250 v 64a (TC) 10V 34mohm @ 40a, 10V 5V A 250µA 129 NC @ 10 V ± 30V 10175 pf @ 25 V - 357W (TC)
FDG316P Fairchild Semiconductor FDG316P 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-88 (SC-70-6) download Ear99 8542.39.0001 1.588 Canal P. 30 v 1.6a (ta) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.6a, 10V 3V A 250µA 5 nc @ 10 V ± 20V 165 pf @ 15 V - 750mW (TA)
HUFA75309T3ST Fairchild Semiconductor HUFA75309T3ST 0,3400
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 3a (ta) 10V 70mohm @ 3a, 10V 4V A 250µA 23 NC @ 20 V ± 20V 352 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
FDD6676 Fairchild Semiconductor FDD6676 0,8300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 78A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 16.8a, 10V 3V A 250µA 63 nc @ 5 V ± 16V 5103 pf @ 15 V - 1.6W (TA)
FDG361N Fairchild Semiconductor FDG361N 0,4100
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-88 (SC-70-6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 v 600mA (TA) 6V, 10V 500MOHM @ 600MA, 10V 4V A 250µA 5 nc @ 10 V ± 20V 153 pf @ 50 V - 420mW (TA)
FDP7N50 Fairchild Semiconductor FDP7N50 -
RFQ
 ECAD 9668 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 500 v 7a (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V A 250µA 16,6 nc @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 89W (TC)
FDW9926NZ Fairchild Semiconductor FDW9926NZ 0,2400
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW99 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.1W 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 4.5a 32mohm @ 4.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 8nc @ 4.5V 600pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDPF18N50T-G Fairchild Semiconductor FDPF18N50T-G -
RFQ
 ECAD 2376 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDPF18N50T-G-600039 1 N-canal 500 v 18a (TJ) 10V 265mohm @ 9a, 10V 5V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 30V 2860 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FQPF34N20L Fairchild Semiconductor FQPF34N20L 1.1400
RFQ
 ECAD 764 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 17.5a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 8.75a, 10V 2V A 250µA 72 NC @ 5 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor FDPF12N50FT 1.0500
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 287 N-canal 500 v 11.5a (TC) 10V 700mohm @ 6a, 10V 5V A 250µA 30 NC a 10 V ± 30V 1395 pf @ 25 V - 42W (TC)
TIP117 Fairchild Semiconductor Tip117 -
RFQ
 ECAD 5150 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
FDU6030BL Fairchild Semiconductor FDU6030BL 0,5900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 v 10a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1143 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 50W (TC)
HUF76437P3 Fairchild Semiconductor HUF76437P3 1.1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10V 3V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
FDS8433A-G Fairchild Semiconductor FDS8433A-G 0,2900
RFQ
 ECAD 720 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDS8433A-G-600039 Ear99 8541.29.0095 1
FDS6699S Fairchild Semiconductor FDS6699S -
RFQ
 ECAD 6735 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS6699 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 21a, 10V 3V @ 1Ma 91 nc @ 10 V ± 20V 3610 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

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    Unidade de produto padrão

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    2800+

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