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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FQB10N20CTM Fairchild Semiconductor FQB10N20CTM -
RFQ
 ECAD 1549 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
ISL9N312AD3ST_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3ST_NL -
RFQ
 ECAD 9363 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 184 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1450 PF @ 15 V - 75W (TA)
FDMS5361L Fairchild Semiconductor FDMS5361L 0,4600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMS5361 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 -
FQD630TM Fairchild Semiconductor FQD630TM 0,6100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 7a (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
HUF75631SK8T_NB82083 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T_NB82083 0,7100
RFQ
 ECAD 651 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 5.5a (ta) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BC640BU Fairchild Semiconductor BC640BU 0,0200
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
TIP111 Fairchild Semiconductor Tip111 0,2700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 80 v 2 a 2m NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V 25MHz
NDS9959 Fairchild Semiconductor NDS9959 0,4700
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS995 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 50V 2a 300mohm @ 1.5a, 10V 4V A 250µA 15NC @ 10V 250pf @ 25V -
HUF75339G3 Fairchild Semiconductor HUF75339G3 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 300 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FDW2516NZ Fairchild Semiconductor FDW2516NZ 0,2900
RFQ
 ECAD 107 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.1W 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 5.8a 30mohm @ 5.8a, 4.5V 1,5V a 250µA 12NC @ 5V 745pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FQP6P25 Fairchild Semiconductor FQP6P25 0,8300
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 250 v 6a (TC) 10V 1.1OHM @ 3A, 10V 5V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 780 pf @ 25 V - 90W (TC)
FDS6575 Fairchild Semiconductor FDS6575 1.0000
RFQ
 ECAD 2847 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 10a (ta) 2.5V, 4.5V 13mohm @ 10a, 4.5V 1,5V a 250µA 74 NC a 4,5 V ± 8V 4951 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FDB4020P Fairchild Semiconductor FDB4020P 0,7500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 20 v 16a (ta) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 8a, 4.5V 1V a 250µA 13 NC @ 4,5 V ± 8V 665 pf @ 10 V - 37.5W (TC)
MPSL01 Fairchild Semiconductor MPSL01 -
RFQ
 ECAD 3504 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 8.954 120 v 200 MA 1µA (ICBO) Npn 300mv @ 5MA, 50MA 50 @ 10MA, 5V 60MHz
KSP2222ATA Fairchild Semiconductor KSP2222ATA 0,0500
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 6.497 40 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
RFP50N06_NL Fairchild Semiconductor RFP50N06_NL -
RFQ
 ECAD 3974 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 50a (TC) 10V 22mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor HUFA76445S3S 1.0600
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 75a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDPF15N65 Fairchild Semiconductor FDPF15N65 -
RFQ
 ECAD 2828 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 650 v 15a (TC) 10V 440mohm @ 7.5a, 10V 5V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 30V 3095 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FDB8860-F085 Fairchild Semiconductor FDB8860-F085 -
RFQ
 ECAD 2526 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDB8860-F085-600039 1 N-canal 30 v 80a (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 80a, 10V 3V A 250µA 214 NC @ 10 V ± 20V 12585 pf @ 15 V - 254W (TC)
RF1S50N06SM9A Fairchild Semiconductor RF1S50N06SM9A 0,8700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 50a (TC) 10V 22mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
FDD050N03B Fairchild Semiconductor FDD050N03B 1.0000
RFQ
 ECAD 7543 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 25a, 10V 3V A 250µA 43 nc @ 10 V ± 16V 2875 pf @ 15 V - 65W (TC)
FQD7N20LTM Fairchild Semiconductor FQD7N20LTM -
RFQ
 ECAD 2891 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 5.5a (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V A 250µA 9 nc @ 5 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQPF5P10 Fairchild Semiconductor FQPF5P10 0,3400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 100 v 2.9a (TC) 10V 1.05OHM @ 1.45a, 10V 4V A 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 23W (TC)
FDMS015N04B Fairchild Semiconductor FDMS015N04B 1.0000
RFQ
 ECAD 8411 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 31.3a (ta), 100a (tc) 10V 1.5mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 118 nc @ 10 V ± 20V 8725 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
BD436S Fairchild Semiconductor BD436S -
RFQ
 ECAD 8546 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 36 w TO-126-3 download Ear99 8541.29.0095 344 32 v 4 a 100µA Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 40 @ 10MA, 5V 3MHz
KSE13007H2SMTU Fairchild Semiconductor KSE13007H2SMTU -
RFQ
 ECAD 3760 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSE13007 To-220-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - Npn 3V @ 2a, 8a 8 @ 2A, 5V 4MHz
HUF76419D3ST Fairchild Semiconductor HUF76419D3ST 0,2500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 27,5 nc @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
2N6076 Fairchild Semiconductor 2N6076 0,0200
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 25 v 500 MA 100na Pnp 250mv @ 1Ma, 10ma 100 @ 10Ma, 1V -
FDMS8350L Fairchild Semiconductor FDMS8350L 2.1700
RFQ
 ECAD 981 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power56 download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDMS8350L Ear99 8541.29.0095 139 N-canal 40 v 47A (TA), 290A (TC) 4.5V, 10V 0,85mohm @ 47a, 10V 3V A 250µA 242 NC @ 10 V ± 20V 17500 pf @ 20 V - 2.7W (TA), 113W (TC)
IRF9510R4941 Fairchild Semiconductor IRF9510R4941 -
RFQ
 ECAD 6749 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 3a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 20W (TC)
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