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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
FDPF18N50T-G Fairchild Semiconductor FDPF18N50T-G -
RFQ
 ECAD 2376 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDPF18N50T-G-600039 1 N-canal 500 v 18a (TJ) 10V 265mohm @ 9a, 10V 5V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 30V 2860 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FQPF34N20L Fairchild Semiconductor FQPF34N20L 1.1400
RFQ
 ECAD 764 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 17.5a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 8.75a, 10V 2V A 250µA 72 NC @ 5 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor FDPF12N50FT 1.0500
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 287 N-canal 500 v 11.5a (TC) 10V 700mohm @ 6a, 10V 5V A 250µA 30 NC a 10 V ± 30V 1395 pf @ 25 V - 42W (TC)
TIP117 Fairchild Semiconductor Tip117 -
RFQ
 ECAD 5150 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
FDU6030BL Fairchild Semiconductor FDU6030BL 0,5900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 v 10a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1143 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 50W (TC)
HUF76437P3 Fairchild Semiconductor HUF76437P3 1.1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10V 3V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
FDS8433A-G Fairchild Semiconductor FDS8433A-G 0,2900
RFQ
 ECAD 720 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDS8433A-G-600039 Ear99 8541.29.0095 1
FDS6699S Fairchild Semiconductor FDS6699S -
RFQ
 ECAD 6735 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS6699 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 21a, 10V 3V @ 1Ma 91 nc @ 10 V ± 20V 3610 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FJY3007R Fairchild Semiconductor Fjy3007r 0,0200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
FDMQ8403 Fairchild Semiconductor FDMQ8403 -
RFQ
 ECAD 7103 0,00000000 Semicondutor Fairchild Greenbridge ™ PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 12 WDFN PAD Exposto FDMQ84 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.9W 12 MLP (5x4.5) download Ear99 8542.39.0001 1 4 Canais n (Meia Ponte) 100V 3.1a 110mohm @ 3a, 10V 4V A 250µA 5NC @ 10V 215pf @ 15V -
IRFU120ATU Fairchild Semiconductor IRFU120ATU 0,9300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 70 N-canal 100 v 8.4a (TC) 10V 200mohm @ 4.2a, 10V 4V A 250µA 22 NC @ 10 V - 480 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
FDU8796 Fairchild Semiconductor FDU8796 0,4100
RFQ
 ECAD 502 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 25 v 35a (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2610 pf @ 13 V - 88W (TC)
KSE700STU Fairchild Semiconductor KSE700STU -
RFQ
 ECAD 3558 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 40 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.209 60 v 4 a 100µA PNP - Darlington 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5A, 3V -
BSS123L Fairchild Semiconductor BSS123L -
RFQ
 ECAD 2627 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 100 v 170mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm a 170mA, 10V 2V @ 1MA 2,5 nc @ 10 V ± 20V 21,5 pf @ 25 V - 360MW (TA)
PN100 Fairchild Semiconductor PN100 0,0400
RFQ
 ECAD 998 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 500 MA 50na Npn 400mv @ 20Ma, 200Ma 100 @ 150mA, 5V 250MHz
MMBT2907A Fairchild Semiconductor MMBT2907A 1.0000
RFQ
 ECAD 2288 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FJV4114RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4114rmtf -
RFQ
 ECAD 2162 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv411 200 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
KSA1175YBU Fairchild Semiconductor KSA1175YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 4544 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto 250 MW Parágrafo 92s download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 9.954 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 1MA, 6V 180MHz
FDS9934C Fairchild Semiconductor FDS9934C -
RFQ
 ECAD 2274 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS9934 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N E P-Canal 20V 6.5a, 5a 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 9NC @ 4.5V 650pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FQP7N65C Fairchild Semiconductor FQP7N65C 0,7500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 7a (TC) 10V 1.4ohm @ 3.5a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1245 pf @ 25 V - 160W (TC)
FDMS3668S Fairchild Semiconductor FDMS3668S 0,9100
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3668 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 330 2 canal n (Duplo) Assimético 30V 13a, 18a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1765pf @ 15V Portão de Nível Lógico
KSH2955TF Fairchild Semiconductor KSH2955TF 0,1900
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w D-Pak download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-KSH2955TF-600039 1 60 v 10 a 50µA Pnp 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4A, 4V 2MHz
BC328 Fairchild Semiconductor BC328 0,0600
RFQ
 ECAD 1460 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.083 25 v 800 mA 100na Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
FQA13N50C-F109 Fairchild Semiconductor FQA13N50C-F109 1.6800
RFQ
 ECAD 792 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 500 v 13.5a (TC) 10V 480mohm @ 6.75a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 218W (TC)
FDS6690A-NBNP006 Fairchild Semiconductor FDS6690A-NBNP006 0,2500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDS6690A-NBNP006-600039 Ear99 8541.29.0095 1
FDMC8676 Fairchild Semiconductor FDMC8676 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power33 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 16a (ta), 18a (tc) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 14.7a, 10V 3V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 1935 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
2N6518TA Fairchild Semiconductor 2N6518ta 0,0500
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 250 v 500 MA 50na (ICBO) Pnp 1V @ 5MA, 50MA 45 @ 50MA, 10V 200MHz
2N3906BU Fairchild Semiconductor 2N3906BU 0,0400
RFQ
 ECAD 677 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 1 40 v 200 MA - Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
FDD6676S Fairchild Semiconductor FDD6676S 0,7200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 78A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 16a, 10V 3V @ 1Ma 58 nc @ 5 V ± 16V 4770 PF @ 15 V - 1.3W (TA)
FDMC8884 Fairchild Semiconductor FDMC8884 0,3300
RFQ
 ECAD 441 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (3,3x3.3) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDMC8884-600039 1 N-canal 30 v 9A (TA), 15A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2,5V a 250µA 14 nc @ 10 V ± 20V 685 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 18W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

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    30.000.000

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