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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
MJE182STU Fairchild Semiconductor MJE182STU 0,2000
RFQ
 ECAD 319 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 MJE182 1,5 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 3 a 100na (ICBO) Npn 1.7V @ 600MA, 3A 50 @ 100mA, 1V 50MHz
HUFA75617D3S Fairchild Semiconductor HUFA75617D3S -
RFQ
 ECAD 4020 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 173 N-canal 100 v 16a (TC) 10V 90mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 39 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 64W (TC)
FGPF30N45TTU Fairchild Semiconductor FGPF30N45TTU 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão 50,4 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 - Trincheira 450 v 120 a 1.6V @ 15V, 20A - 73 NC -
FDS6690S Fairchild Semiconductor FDS6690S 0,9600
RFQ
 ECAD 427 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10V 3V @ 1Ma 16 nc @ 5 V ± 20V 1233 pf @ 15 V - 1W (TA)
BDW94 Fairchild Semiconductor BDW94 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 45 v 12 a 1Ma PNP - Darlington 3V @ 100MA, 10A 750 @ 5A, 3V -
FDMS8888 Fairchild Semiconductor FDMS8888 -
RFQ
 ECAD 4054 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 13.5a (ta), 21a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10V 2,5V a 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 1585 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
BC559CTA Fairchild Semiconductor BC559CTA -
RFQ
 ECAD 8389 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 1 30 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
SI9435DY Fairchild Semiconductor SI9435DY -
RFQ
 ECAD 6076 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 5.3a (ta) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.3a, 10V 3V A 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 690 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDD6676AS Fairchild Semiconductor FDD6676AS 0,9800
RFQ
 ECAD 209 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 90A (TA) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 16a, 10V 3V @ 1Ma 64 nc @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 15 V - 70W (TA)
PN5138 Fairchild Semiconductor PN5138 0,0700
RFQ
 ECAD 7233 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 4.022 30 v 500 MA 50na (ICBO) Pnp 300mv @ 500µA, 10MA 50 @ 10MA, 10V -
FDB5690 Fairchild Semiconductor FDB5690 1.6000
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 32a (TC) 6V, 10V 27mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 58W (TC)
NDS9947 Fairchild Semiconductor NDS9947 0,7000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS994 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 20V 3.5a 100mohm @ 3.5a, 10V 3V A 250µA 13NC @ 10V 542pf @ 10V Portão de Nível Lógico
SGR6N60UFTF Fairchild Semiconductor SGR6N60UFTF 1.0000
RFQ
 ECAD 1585 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sgr6n Padrão 30 w TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 300V, 3A, 80OHM, 15V - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V, 3A 57µJ (ON), 25µJ (Off) 15 NC 15ns/60ns
FCH170N60 Fairchild Semiconductor FCH170N60 3.1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Ear99 8542.39.0001 102 N-canal 600 v 22a (TC) 10V 170mohm @ 11a, 10V 3,5V a 250µA 55 nc @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 380 V - 227W (TC)
TN6727A Fairchild Semiconductor TN6727A -
RFQ
 ECAD 3177 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-226-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 40 v 1.5 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1A, 1V -
FDM3622 Fairchild Semiconductor FDM3622 1.0000
RFQ
 ECAD 5205 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (3,3x3.3) download 0000.00.0000 1 N-canal 100 v 4.4a (ta) 6V, 10V 60mohm @ 4.4a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1090 pf @ 25 V - 2.1W (TA)
FJN4303RTA Fairchild Semiconductor FJN4303RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 101 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads FJN430 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
HUF76633S3ST Fairchild Semiconductor HUF76633S3ST 0,5000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 39a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
RFP45N06_NL Fairchild Semiconductor RFP45N06_NL -
RFQ
 ECAD 4001 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 45a (TC) 10V 28mohm @ 45a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2050 PF @ 25 V - 131W (TC)
FDPF12N35 Fairchild Semiconductor FDPF12N35 0,5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 350 v 12a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 5V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 30V 1110 pf @ 25 V - 31.3W (TC)
KSC1623LMTF-FS Fairchild Semiconductor KSC1623LMTF-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC1623 200 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 300mv @ 10ma, 100mA 300 @ 1MA, 6V 250MHz
BC556 Fairchild Semiconductor BC556 0,0400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FCH043N60 Fairchild Semiconductor FCH043N60 11.2600
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download Ear99 8542.39.0001 27 N-canal 600 v 75a (TC) 10V 43mohm @ 38a, 10V 3,5V a 250µA 215 NC @ 10 V ± 20V 12225 PF @ 400 V - 592W (TC)
SS9014CBU Fairchild Semiconductor SS9014CBU 0,0300
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 450 MW TO-92-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-SS9014CBU-600039 1 45 v 100 ma 500na (ICBO) Npn 300mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 1MA, 5V 270MHz
KSD5041QBU Fairchild Semiconductor KSD5041QBU 0,0500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 750 MW TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 1 20 v 5 a 100na (ICBO) Npn 1v @ 100ma, 3a 230 @ 500MA, 2V 150MHz
BC238CBU Fairchild Semiconductor BC238CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 6133 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 25 v 100 ma 15Na Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 380 @ 2MA, 5V 250MHz
FDP039N08B-F102 Fairchild Semiconductor FDP039N08B-F102 4.7500
RFQ
 ECAD 399 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 120A (TC) 10V 3.9mohm @ 100a, 10V 4.5V a 250µA 133 NC @ 10 V ± 20V 9450 pf @ 40 V - 214W (TC)
FQD30N06TF Fairchild Semiconductor FQD30N06TF -
RFQ
 ECAD 2403 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 21 N-canal 60 v 22.7a (TC) 10V 45mohm @ 11.4a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 25V 945 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
FGA25S125P-SN00337 Fairchild Semiconductor FGA25S125P-SN00337 3.0100
RFQ
 ECAD 412 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA25S125 Padrão 250 w TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 1 600V, 25A, 10OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 1250 v 50 a 75 a 2.35V @ 15V, 25A 1,09MJ (ON), 580µJ (Desligado) 204 NC 24ns/502ns
FJN3305RTA Fairchild Semiconductor FJN3305RTA 1.0000
RFQ
 ECAD 2055 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads FJN330 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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