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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FQD60N03LTM Fairchild Semiconductor FQD60N03LTM 0,6000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 30a (TC) 5V, 10V 23mohm @ 30a, 10V 3V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 16V 900 pf @ 15 V - 45W (TC)
FGA20S120M Fairchild Semiconductor FGA20S120M 2.0700
RFQ
 ECAD 407 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA20 Padrão 348 w TO-3P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 - Parada de Campo da Trinceira 1200 v 40 a 60 a 1.85V @ 15V, 20A - 208 NC -
NTD5C446NT4G Fairchild Semiconductor Ntd5c446nt4g 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-NTD5C446NT4G-600039 1 N-canal 40 v 110A (TC) 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 34,3 nc @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 20 V - 66W (TC)
HUFA75344S3 Fairchild Semiconductor HUFA75344S3 1.0400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
FQAF5N90 Fairchild Semiconductor FQAF5N90 1.1200
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 220 N-canal 900 v 4.1a (TC) 10V 2.3OHM @ 2.05A, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 90W (TC)
SGS10N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGS10N60RUFDTU 1.0000
RFQ
 ECAD 8047 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 SGS10N60 Padrão 55 w TO-220F-3 download Ear99 8541.29.0095 1 300V, 10a, 20ohm, 15V 60 ns - 600 v 16 a 30 a 2.8V @ 15V, 10A 141µJ (ON), 215µJ (Off) 30 NC 15ns/36ns
2N7002D87Z Fairchild Semiconductor 2N7002D87Z -
RFQ
 ECAD 4379 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 11 N-canal 60 v 115mA (TC) 5V, 10V 7.5Ohm @ 500Ma, 10V 2,5V a 250µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TC)
FQPF16N25 Fairchild Semiconductor FQPF16N25 0,8500
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 250 v 9.5a (TC) 10V 230mohm @ 4.75a, 10V 5V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 50W (TC)
KSC2688YSTU Fairchild Semiconductor KSC2688YSTU 0,1900
RFQ
 ECAD 156 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 1,25 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 60 300 v 200 MA 100µA (ICBO) Npn 1.5V @ 5MA, 50MA 100 @ 10ma, 10V 80MHz
FDFMA2P853 Fairchild Semiconductor FDFMA2P853 0,3600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VDFN PAD EXPOSTO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 3a (ta) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5V 1.3V a 250µA 6 nc @ 4,5 V ± 8V 435 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) 1.4W (TA)
SGH20N120RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH20N120RUFDTU -
RFQ
 ECAD 4216 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Sgh20n Padrão 230 w TO-3P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 9 600V, 20A, 15OHM, 15V 80 ns - 1200 v 32 a 60 a 3V @ 15V, 20A 1,3MJ (ON), 1,3MJ (Desligado) 140 NC 30ns/70ns
BC547B Fairchild Semiconductor BC547B 0,0600
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 4.991 45 v 100 ma 15Na Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300MHz
FCU5N60TU Fairchild Semiconductor Fcu5n60tu -
RFQ
 ECAD 9408 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA Fcu5n60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 600 v 4.6a (TC) 10V 950mohm @ 2.3a, 10V 5V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 54W (TC)
FGH50N3 Fairchild Semiconductor FGH50N3 -
RFQ
 ECAD 6132 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 463 w To-247 download Ear99 8542.39.0001 1 180V, 30A, 5OHM, 15V Pt 300 v 75 a 240 a 1.4V @ 15V, 30A 130µJ (ON), 92µJ (Off) 180 NC 20ns/135ns
MMBT2369 Fairchild Semiconductor MMBT2369 -
RFQ
 ECAD 7778 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 15 v 200 MA 400na (ICBO) Npn 250mv @ 1Ma, 10ma 40 @ 10MA, 1V -
FJP13007TU Fairchild Semiconductor FJP13007TU -
RFQ
 ECAD 4685 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 400 v 8 a - Npn 3V @ 2a, 8a 8 @ 2A, 5V 4MHz
FDP6676 Fairchild Semiconductor FDP6676 0,9800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 84a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 42a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 5 V ± 16V 5324 PF @ 15 V - 93W (TC)
2N5830 Fairchild Semiconductor 2N5830 0,0400
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 100 v 200 MA 50na (ICBO) Npn 250mv @ 5Ma, 50Ma 80 @ 10Ma, 5V -
MJD45H11TM Fairchild Semiconductor MJD45H11TM -
RFQ
 ECAD 3505 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MJD45 1,75 w TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1.158 80 v 8 a 10µA Pnp 1V @ 400Ma, 8a 40 @ 4A, 1V 40MHz
FQP11N40 Fairchild Semiconductor FQP11N40 0,8300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 400 v 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 147W (TC)
MJ21193G Fairchild Semiconductor MJ21193G -
RFQ
 ECAD 1831 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 250 w TO-204AA (TO-3) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-MJ21193G-600039 1 250 v 16 a 100µA Pnp 4V @ 3.2a, 16a 25 @ 8a, 5V 4MHz
IRLR210ATM Fairchild Semiconductor IRLR210ATM 0,5200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 2.7a (TC) 5V 1.5OHM @ 1.35a, 5V 2V A 250µA 9 nc @ 5 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 21W (TC)
2N3663 Fairchild Semiconductor 2N3663 1.0000
RFQ
 ECAD 3328 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 350mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 1.5dB 12V 50mA Npn 20 @ 8MA, 10V 2,1 GHz 6.5db @ 60MHz
KSD401G Fairchild Semiconductor KSD401G 1.0000
RFQ
 ECAD 9388 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 25 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.200 150 v 2 a 50µA (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 200 @ 400MA, 10V 5MHz
BUT11ATU Fairchild Semiconductor Mas11atu 0,5400
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MAS11 100 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 450 v 5 a 1Ma Npn 1,5V a 500mA, 2.5a - -
FQD4N50TM Fairchild Semiconductor FQD4N50TM 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 2.6a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.3a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
KSD471AGBU Fairchild Semiconductor KSD471AGBU 0,0200
RFQ
 ECAD 7554 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 800 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 14.016 30 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 1a 200 @ 100mA, 1V 130MHz
KSC2333YTU-FS Fairchild Semiconductor KSC2333YTU-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 9839 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 15 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 400 v 2 a 1Ma Npn 1V @ 100MA, 500mA 20 @ 100mA, 5V -
NDS8434A Fairchild Semiconductor NDS8434A -
RFQ
 ECAD 1167 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 20 v 7.8a (ta) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.9a, 4.5V 1V a 250µA 55 nc @ 4,5 V ± 8V 1730 PF @ 10 V - 2.5W (TA)
FDFME3N311ZT Fairchild Semiconductor Fdfme3n311zt 1.0000
RFQ
 ECAD 5747 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-UFDFN PAD EXPOSTO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-UMLP (1.6x1.6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 5.000 N-canal 30 v 1.8a (ta) 299mohm @ 1.6a, 4.5V 1,5V a 250µA 1,4 NC a 4,5 V ± 12V 75 pf @ 15 V - 600mW (TA)
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